公开(公告)号：TW374193B

公开(公告)日：1999-11-11

申请号：TW087110976

申请日：1998-07-07

Applicant: 摩托羅拉公司

Inventor： 貝卜加拉瑪拉 ,  宋培克 ,  查理斯洛威爾

IPC: H01J

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J29/04 ,  H01J2201/30426

Abstract: 一種電子發射器(121,221,321,421)包括一電子發射器構造(118)，具有在其上面形成之鈍化層(120,220,320,420)。鈍化層(120,220,320,420)係由選擇自鋇，鈣，鍶，銦，鈧，鈦，銥，鈷，鍶，釔，鋯，釕，鈀，錫，鎦，鉿，錸，鑭，鈰，鐠，銣，鉅，釤，銪，釓，鋱，鏑，鈥，鉺，銩，鐿，釷之氧化物組成群組與其結合物之氧化物所製成。在較佳具體實施例中，電子發射器構造(118)係由鉬製成，且鈍化層(120,220,320,420)係由具有一工作函數之發射加強式氧化物製成，其該工作函數係低於鉬之工作函數。

Abstract in simplified Chinese: 一种电子发射器(121,221,321,421)包括一电子发射器构造(118)，具有在其上面形成之钝化层(120,220,320,420)。钝化层(120,220,320,420)系由选择自钡，钙，锶，铟，钪，钛，铱，钴，锶，钇，锆，钌，钯，锡，镥，铪，铼，镧，铈，镨，铷，巨，钐，铕，钆，铽，镝，钬，铒，铥，镱，钍之氧化物组成群组与其结合物之氧化物所制成。在较佳具体实施例中，电子发射器构造(118)系由钼制成，且钝化层(120,220,320,420)系由具有一工作函数之发射加强式氧化物制成，其该工作函数系低于钼之工作函数。

公开(公告)号：TW201919085A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107126021

申请日：2018-07-27

Applicant: 英商伊溫斯科技公司 ,  EVINCE TECHNOLOGY LIMITED

Inventor： 泰勒 蓋瑞斯安德魯 ,  TAYLOR, GARETH ANDREW ,  摩倫 大衛安德魯詹姆士 ,  MORAN, DAVID ANDREW JAMES ,  卡爾 約翰彼得 ,  CARR, JOHN PETER ,  費拉 保羅 ,  FARRAR, PAUL ,  麻塞 馬克凱倫 ,  MASSEY, MARK KIERAN

IPC: H01J1/304 ,  H01J21/10 ,  H01J3/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J3/022 ,  H01J3/027 ,  H01J21/105 ,  H01J2201/30415 ,  H01J2201/30426

Abstract: 提供一種用於控制電子流的裝置10。該裝置包括一陰極12、埋在一鑽石基板16中之一長形的電導體14、一陽極18及設於基板表面20上之一控制電極22，其用於改變在該電導體14之末端26之區域中之電場。亦提供一種製造該裝置10的方法。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种用于控制电子流的设备10。该设备包括一阴极12、埋在一钻石基板16中之一长形的电导体14、一阳极18及设于基板表面20上之一控制电极22，其用于改变在该电导体14之末端26之区域中之电场。亦提供一种制造该设备10的方法。

公开(公告)号：TW200423182A

公开(公告)日：2004-11-01

申请号：TW093111619

申请日：2004-04-26

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Inventor： 修果 馬修 斐塞 VISSER, HUGO MATTHIEU ,  馬克斯 安東尼斯 維勤寧 VERSCHUUREN, MARCUS ANTONIUS ,  突尼斯 强納司 分克 VINK, TEUNIS JOHANNES

IPC: H01J

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30407 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2329/00

Abstract: 一種可用於在一場發射顯示器中發射電子之場發射裝置(1)。場發射尖端(40)被用於在場發射裝置(1)中發射電子。在場發射裝置(1)之操作中，在與場發射尖端(40)有電接觸之第一電極(4)與第二電極(34)間施加一電壓而使該場發射尖端(40)發射電子。為形成場發射尖端(40)，在備有該第一電極(4)之一基板(2)上施加一液體材料層。該液體材料層以一圖案化之印模加以壓花並隨後使之硬化而形成一場發射尖端結構(20)。在該場發射尖端結構(20)上施加一導電膜(38)而形成一與第一電極(4)有電接觸之場發射尖端(40)。

Abstract in simplified Chinese: 一种可用于在一场发射显示器中发射电子之场发射设备(1)。场发射尖端(40)被用于在场发射设备(1)中发射电子。在场发射设备(1)之操作中，在与场发射尖端(40)有电接触之第一电极(4)与第二电极(34)间施加一电压而使该场发射尖端(40)发射电子。为形成场发射尖端(40)，在备有该第一电极(4)之一基板(2)上施加一液体材料层。该液体材料层以一图案化之印模加以压花并随后使之硬化而形成一场发射尖端结构(20)。在该场发射尖端结构(20)上施加一导电膜(38)而形成一与第一电极(4)有电接触之场发射尖端(40)。

公开(公告)号：TW373220B

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：TW086114944

申请日：1997-10-13

Applicant: 濱松赫德尼古斯股份有限公司

Inventor： 新垣實 ,  廣祽徹 ,  菅博文 ,  山田正美

IPC: H01J

CPC classification number: H01J29/94 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2329/00

Abstract: 本發明關係著一個具有可維持長時間穩定操作的結構的電子管。電子管至少包含：一個場射極，由金鋼石或由主要成分為金鋼石的材料製成，其表面可為氫所終結；以及一個封套以容納金鋼石場射極。由於氫的終結，金鋼石場射極的電子親和性是處於負的狀態。又，氫是封於封套內。由於這個結構，金鋼石場射極表面的氫終結狀態是穩定的，且金鋼石場射極的電子親和性會維持長時間不變。

Abstract in simplified Chinese: 本发明关系着一个具有可维持长时间稳定操作的结构的电子管。电子管至少包含：一个场射极，由金钢石或由主要成分为金钢石的材料制成，其表面可为氢所终结；以及一个封套以容纳金钢石场射极。由于氢的终结，金钢石场射极的电子亲和性是处于负的状态。又，氢是封于封套内。由于这个结构，金钢石场射极表面的氢终结状态是稳定的，且金钢石场射极的电子亲和性会维持长时间不变。

公开(公告)号：TW200842926A

公开(公告)日：2008-11-01

申请号：TW096146600

申请日：2007-12-06

Applicant: 石原產業股份有限公司 ISHIHARA SANGYO KAISHA, LTD.

Inventor： 高井幹夫 TAKAI, MIKIO ,  福山知惠子 FUKUYAMA, CHIEKO ,  高岡陽一 TAKAOKA, YOICHI ,  神代善正 KUMASHIRO, YOSHIMASA ,  瀧本理人 TAKIMOTO, TADAHIKO

IPC: H01J

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30446

Abstract: 本發明係一冷陰極電子源及其製造方法及使用此之發光元件,其中,針對在具有陰極電極及形成在其上方之電子釋放部的冷陰極電子源,使用活性化處理於電子釋放部之金屬氧化物,做為活性化處理,係可舉出經由膠帶剝離之起毛處理,經由雷射光之照射處理,高電場施加處理,當使用經由雷射光之照射處理或高電場施加處理時,即使使用未具有導電性之金屬氧化物,亦可發現以低施加電壓放射現象,與碳金屬管等作比較,可提供作為發射體材料而使用廉價之金屬氧化物的冷陰極電子源。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系一冷阴极电子源及其制造方法及使用此之发光组件,其中,针对在具有阴极电极及形成在其上方之电子释放部的冷阴极电子源,使用活性化处理于电子释放部之金属氧化物,做为活性化处理,系可举出经由胶带剥离之起毛处理,经由激光光之照射处理,高电场施加处理,当使用经由激光光之照射处理或高电场施加处理时,即使使用未具有导电性之金属氧化物,亦可发现以低施加电压放射现象,与碳金属管等作比较,可提供作为发射体材料而使用廉价之金属氧化物的冷阴极电子源。

公开(公告)号：TWI283424B

公开(公告)日：2007-07-01

申请号：TW093139456

申请日：2004-12-17

Applicant: 湯寅生 TANG, YIN S.

Inventor： 湯寅生 TANG, YIN S.

IPC: H01J

CPC classification number: H01J9/025 ,  B29C67/0044 ,  B29D11/00663 ,  B29L2011/0075 ,  G02B6/2552 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30426

Abstract: 一種場發射裝置之製造方法，及含有纖維段形成之發射體所製成的裝置。尖梢會藉曝露一反應液體一段時間來形成於該等纖維段上而具有甚小的半徑。該等尖梢會被覆設一低功函數導電材料來形成發射體。

Abstract in simplified Chinese: 一种场发射设备之制造方法，及含有纤维段形成之发射体所制成的设备。尖梢会藉曝露一反应液体一段时间来形成于该等纤维段上而具有甚小的半径。该等尖梢会被覆设一低功函数导电材料来形成发射体。

公开(公告)号：TW200409162A

公开(公告)日：2004-06-01

申请号：TW092120976

申请日：2003-07-31

Applicant: 惠普研發公司 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.

Inventor： 保羅H 麥克里蘭德 PAUL H. MCCLELLAND ,  大衛L 尼曼 DAVID L. NEIMAN ,  史帝芬 雷斯 STEVEN LEITH ,  尼蘭傑恩 西魯柯維魯 NIRANJAN THIRUKKOVALUR

IPC: H01J

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/10 ,  H01J1/3044 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30426

Abstract: 一種發射構件，其包括數個形狀不同之電子發射器結構(12)，該電子發射器結構上具有一傳導層(22)。該傳導層之每一電子發射器結構具有座落在穿隧址(18)處之開口(24)。藉由該傳導層相對於該電子發射器結構的電壓偏壓，該穿隧址會促使電子從形狀不同之各個電子發射器結構發射出。

Abstract in simplified Chinese: 一种发射构件，其包括数个形状不同之电子发射器结构(12)，该电子发射器结构上具有一传导层(22)。该传导层之每一电子发射器结构具有座落在穿隧址(18)处之开口(24)。借由该传导层相对于该电子发射器结构的电压偏压，该穿隧址会促使电子从形状不同之各个电子发射器结构发射出。

公开(公告)号：KR100812873B1

公开(公告)日：2008-03-11

申请号：KR1020037000796

申请日：2001-07-16

Applicant: 파나소닉 주식회사

Inventor： 시라토리데츠야 ,  아키야마고지 ,  구로카와히데오

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/025 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30469

Abstract: An object of the present invention is to provide electron emission devices having improved electron convergence. To this end, an electron emission device of the present invention is such that a cathode electrode, an insulating layer, and a gate electrode are layered on a substrate in an order; an electron emission layer is in a first hole on the substrate penetrating from the gate electrode through the cathode electrode; an upper surface of the electron emission layer is between an upper surface of the substrate and a boundary between the cathode electrode and the insulating layer; at least one of a side surface and a lower surface except for a central area of the electron emission layer contacts the cathode electrode. By such an electron emission device, electrons are emitted mainly from the peripheral area of the electron emission layer. Accordingly, the electron convergence is improved.

公开(公告)号：KR20070078902A

公开(公告)日：2007-08-03

申请号：KR20060009331

申请日：2006-01-31

Applicant: SAMSUNG SDI CO LTD

Inventor： CHOI KUN HONG ,  LEE SANG JIN

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/30 ,  C01B21/0615 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/30453

Abstract: A method for manufacturing an electron emission device is provided to improve electron emission characteristics by removing a protective layer including a nitride layer and performing a uniform activation process. A cathode electrode(6) is formed on a substrate(2). An electron emission unit(12) is formed on the cathode electrode by using a carbon-based material. A protective layer(20) including a nitride layer is formed on the cathode electrode and the electron emission unit. An insulating layer(8) and a gate electrode(10) are sequentially formed on the protective layer. Apertures(9,11) are formed in the gate electrode, the insulating layer, and the protective layer and the electron emission unit is exposed by performing a dry-etch process. An activation process is performed. The nitride layer for forming the protective layer is selected from a TiN layer, a TiCN layer, and a CrN layer.

Abstract translation: 提供一种制造电子发射器件的方法，通过去除包括氮化物层的保护层并执行均匀的激活过程来改善电子发射特性。 阴极电极（6）形成在基板（2）上。 通过使用碳基材料在阴极上形成电子发射单元（12）。 在阴极电极和电子发射单元上形成包括氮化物层的保护层（20）。 绝缘层（8）和栅电极（10）依次形成在保护层上。 通过进行干蚀刻工艺，在栅电极，绝缘层和保护层以及电子发射单元中形成孔径（9,11）。 执行激活过程。 用于形成保护层的氮化物层选自TiN层，TiCN层和CrN层。

公开(公告)号：KR100709173B1

公开(公告)日：2007-04-20

申请号：KR1020050030196

申请日：2005-04-12

Applicant: 캐논 가부시끼가이샤

Inventor： 다케다도시히코 ,  야마모토게이스케 ,  고바야시다마키 ,  모리구치다쿠토

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/316 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J29/28 ,  H01J1/316 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30426 ,  H01J2201/3165

Abstract: 본 발명은 화상표시장치 및 이 화상표시장치의 제조방법의 향상된 기술에 관한 것이다. 본 발명의 화상표시장치는 서로 대향해서 배치된 리어플레이트와 페이스플레이트로 구성되고, 상기 리어플레이트는 복수의 전자방출소자를 구비하고, 이 복수의 전자방출소자의 각각은 한 쌍의 전극 및 이 전극 사이에 배치된 전자방출부를 포함하는 도전성박막을 가지며, 상기 페이스플레이트는 상기 전자방출소자로부터의 전자선의 조사에 의해 화상을 표시하는 형광체 및 이 형광체의 표면에 노출되는 피막을 구비하고, 상기 피막은 금속 또는 금속화합물재료로 이루어진다. 향상된 점은 피막이 상기 형광체의 표면에 노출되는 피막을 구성하는 금속 또는 금속화합물재료와 같은 금속 또는 금속화합물재료로 이루어지고, 상기 피막은 상기 복수의 전자방출소자의 상기 도전성박막의 각각에 0.2nm 내지 4.5nm의 두께로 형성된다. 이에 의해 장기간에 걸쳐 밝음의 균일성을 유지할 수 있는 화상표시장치를 제공할 수 있다.