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    荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画方法
    243.
    发明专利
    荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画方法 审中-公开
    一种带电粒子束描绘设备，和带电粒子束写入方法

    公开(公告)号：JP2016213392A

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：JP2015097891

    申请日：2015-05-13

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 野村 春之

    IPC: H01J37/305 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01J37/14 ,  H01J37/063 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/0451 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/0653

    Abstract: 【目的】少なくとも高エミッション条件と低エミッション条件との両条件の間で、成形アパーチャを照明する荷電粒子ビームの色収差の状態の違いを低減する。 【構成】描画装置100は、放出源の高さ位置とエミッション電流値との少なくとも1つによる第n(nは1以上の整数)番目の条件での第nの高さ位置と、第nの高さ位置とは異なる、放出源の高さ位置とエミッション電流値との少なくとも1つによる第n+m番目(mは1以上の整数)の条件での第n+mの高さ位置と、を条件に応じて選択的に調整可能に配置された電流制限アパーチャ部材220と、電流制限アパーチャ部材220の開口部を通過した荷電粒子ビームを屈折させる照明光学系232と、開口部全体を含む領域に屈折させられた荷電粒子ビームの照射を受け、荷電粒子ビームの一部が第2の開口部を通過することによって荷電粒子ビームを成形する第1の成形アパーチャ部材203と、を備えたことを特徴とする。 【選択図】図3

    Abstract translation: 与至少一个高发光的条件和低排放的条件下，这两个条件之间目的是减少在色像差的差值在带电粒子束的状态，以照亮所述成形孔。 [配置]写入装置100中，由（n个1以上整数）的高度位置和所述发射源的发射电流值之间的第n个条件，第一n中的至少一个的n的高度位置 和N + M在n + m个按照至少一个高度位置和所述发射源的发射电流值的条件的不同的高度位置（m是1以上的整数）比高度位置， 包括电流限制孔部件220，其选择性地根据条件可调节的定位，并用于折射通过限流孔构件220的开口，整个开口通过的带电粒子束的照明光学系统232的区域 带电粒子束的照射接收被折射到第一成形孔构件203通过穿过第二开口来塑造带电粒子束的带电粒子束的一部分，还包括一个 和特征。 点域

    露光装置および露光方法
    244.
    发明专利
    露光装置および露光方法 审中-公开
    曝光装置及曝光方法

    公开(公告)号：JP2016207926A

    公开(公告)日：2016-12-08

    申请号：JP2015090454

    申请日：2015-04-27

    Applicant: 株式会社アドバンテスト

    Inventor： 山田 章夫 ,  瀬山 雅裕 ,  那須野 秀樹

    IPC: G03F7/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01J37/3045 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/0435 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/2025 ,  H01J2237/20285 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/31766 ,  H01J2237/31774

    Abstract: 【課題】荷電粒子ビームを用い、ステージの移動誤差を低減させて複雑で微細なパターンを形成する。 【解決手段】荷電粒子ビームを発生するビーム発生部と、試料を搭載し、当該試料をビーム発生部に対して相対的に移動させるステージ部と、ステージ部の位置を検出する検出部と、ステージ部の検出位置に基づいて、ステージ部の駆動量を予測した予測駆動量を生成する予測部と、予測駆動量に基づいて、荷電粒子ビームを試料へと照射する照射制御を行う照射制御部と、を備える露光装置および露光方法を提供する。 【選択図】図15

    Abstract translation: 甲使用带电粒子束的通过减小载物台的移动误差，以形成一个复杂和精细的图案。 和用于产生带电粒子束，用于安装所述样品中，相对于所述束产生单元，用于检测台的位置检测单元，该阶段样本相对地移动台架部分的光束产生 基于各部分的检测位置，预测单元生成的预测驱动量所预测的阶段的驱动量，并基于所预测的驱动量的照射控制单元，进行照明控制用于照射带电粒子束对样品 ，提供一种曝光装置和曝光方法包括：a。 .The 15

    マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びマルチ荷電粒子ビームの不良ビーム遮蔽方法
    245.
    发明专利
    マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びマルチ荷電粒子ビームの不良ビーム遮蔽方法 审中-公开
    用于多个充电颗粒束，多个充电颗粒束绘图装置的空白设备和多个充电颗粒光束的缺陷光束遮挡方法

    公开(公告)号：JP2016054291A

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：JP2015167673

    申请日：2015-08-27

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 山下 浩 ,  吉川 良一 ,  千葉 一浩 ,  松本 裕史

    IPC: G03F7/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01J37/045 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/3175

    Abstract: 【課題】マルチビームのうちブランキング制御不能なビームON固定の不良ビームを形成しないブランキング装置を提供する。 【解決手段】ブランキングプレートは、制御電極24と、制御電極24に、マルチビームのうちの対応ビームをビームONとビームOFFの状態に切り替えるためのブランキング制御用の異なる2つの電位を選択的に印加する制御回路41と、制御電極24と組みとなって対応ビームのブランキング偏向を行う、グランド接続された対向電極26と、制御電極24の電位がグランド電位に固定された場合に、グランド接続された対向電極26の電位をグランド電位から変更する制御回路43と、を備える。 【選択図】図24

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种消隐装置，其不会形成不能在多个光束中进行消隐控制的任何光束固定的有缺陷的光束。解决方案：消隐板具有控制电极24，用于选择性地控制的控制电路 向控制电极24施加两个用于在束接通状态和光束关闭状态之间的多个光束中切换相应光束的消隐控制电位;对电极26，其连接到地并与控制电极配对 电极24对相应的光束进行消隐偏转;以及控制电路43，用于当控制电极24的电位固定在地电位上时，将接地对置电极26的电位从接地电位改变。 图24

    畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機における結像偏向の補償
    246.
    发明专利
    畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機における結像偏向の補償 审中-公开
    使用调音台的颗粒光束绘图机成像偏移补偿

    公开(公告)号：JP2016029715A

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：JP2015134559

    申请日：2015-07-03

    Applicant: アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー

    Inventor： エルマー プラッツグマー

    IPC: G03F7/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01J37/3177 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3175 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/3175 ,  H01J2237/31764

    Abstract: 【課題】荷電粒子マルチビーム処理装置におけるターゲット上に所望のパターンを露光することで、異なるタイプの参照描画ツールを適合させるために、ターゲット上の画像領域における少なくとも1つの方向に沿った限界寸法の所望の値から、パターン画定装置からターゲット上への結像の偏向を補償するために使用される露光パターンを計算する技術を提供する。 【解決手段】所望のパターンは、ターゲット上の画像領域上にラスターグラフィックスといった、参照ツールにとって適切なグラフィカル表示として与えられる。グラフィカル表示の要素から、前記要素の公称位置を中心とする画素群へのマッピングを記述する畳み込みカーネルが使用される。公称露光パターンは、畳み込みカーネルによるグラフィカル表示の畳み込みによって算出され、前記公称露光パターンは、処理装置によって露光される時、ターゲット上に公称線量分布を作成するのに適切である。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种技术，用于根据图像区域中的至少一个方向上的有限尺寸的期望值，计算用于从图案分界装置补偿图像形成到目标上的偏转的曝光图案 在目标上使得不同类型的参考绘图工具通过在带电粒子多光束处理装置中将期望的图案曝光到目标上而适合。解决方案：给出期望的图案作为适合于诸如光栅图形的参考工具的图形显示 在目标上的图像区域上。 基于图形显示的元素，使用卷积核，其描述以具有设置为中心的元素的标称位置的像素组的映射。 通过基于卷积核的图形显示的卷积计算标称曝光图案，并且标称曝光图案适合于在由处理装置执行曝光时在目标上创建标称剂量分布。选择图：无

    標的装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
    248.
    发明专利
    標的装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 审中-公开
    目标装置，光刻装置及其制造方法

    公开(公告)号：JP2015213115A

    公开(公告)日：2015-11-26

    申请号：JP2014095021

    申请日：2014-05-02

    Applicant: キヤノン株式会社

    Inventor： 雨宮 光陽

    IPC: H01L21/68 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01J37/3174 ,  H01J37/045 ,  H01J37/1474 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3045 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/063 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/30444

    Abstract: 【課題】荷電粒子線の特性を計測する精度の点で有利な標的装置を提供する。 【解決手段】標的装置100は、入射した荷電粒子を散乱させるものであり、基部5と、基部5での荷電粒子の飛程より小さい荷電粒子の飛程を有し、基部5上に設けられた基準マーク6と、基部5での飛程より小さい荷電粒子の飛程を有し、基準マーク6とは離れて基部5上に設けられた遮蔽部13とを含む。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种有利于测量带电粒子束特性的精度的目标装置。解决方案：用于散射入射带电粒子的目标装置100包括：基部5; 基准部5上具有比基部5的带电粒子的范围小的带电粒子的范围的基准标记6; 以及屏蔽部13，其具有小于基部5的范围的带电粒子的范围，通过与基准标记6分离设置在基部5上。

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