公开(公告)号：CN1355558A

公开(公告)日：2002-06-26

申请号：CN01136425.4

申请日：2001-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亮亨 ,  姜孝千 ,  金德容

IPC: H01L21/66 ,  G01N23/225

CPC classification number: H01J37/268 ,  G01R31/307 ,  H01J2237/2817

Abstract: 本发明提供了用于检测半导体器件中的缺陷的方法和装置。所述半导体器件包含多个导电焊盘,例如可以形成在用于绝缘导电焊盘和导电焊盘之间的导线的绝缘层之间。在一些导电焊盘中、例如在导电焊盘的表面上积聚电子和/或空穴。积聚电子和/或空穴之后,基于从上述这些导电焊盘发射的次级电子,检测与一个导电焊盘相联系的差别。基于检测的差别确定缺陷的存在。

公开(公告)号：CN1193419C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01136425.4

申请日：2001-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亮亨 ,  姜孝千 ,  金德容

IPC: H01L21/66 ,  G01N23/225

CPC classification number: H01J37/268 ,  G01R31/307 ,  H01J2237/2817

Abstract: 本发明提供了用于检测半导体器件中的缺陷的方法和装置。所述半导体器件包含多个导电焊盘，例如可以形成在用于绝缘导电焊盘和导电焊盘之间的导线的绝缘层之间。在一些导电焊盘中、例如在导电焊盘的表面上积聚电子和/或空穴。积聚电子和/或空穴之后，基于从上述这些导电焊盘发射的次级电子，检测与一个导电焊盘相联系的差别。基于检测的差别确定缺陷的存在。

公开(公告)号：CN105590822A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510768953.7

申请日：2015-11-12

Applicant: FEI公司

Inventor： M.H.P.莫尔斯 ,  A.维斯彻尔

IPC: H01J37/26

CPC classification number: H01J37/265 ,  H01J37/02 ,  H01J2237/0216 ,  H01J2237/16 ,  H01J37/268 ,  H01J2237/28

Abstract: 本发明涉及具有气压修正的带电粒子显微镜。一种使用带电粒子显微镜的方法，包括以下步骤：在样品保持器上提供样品；引导来自源的带电粒子的射束通过照明器从而照射样品；使用检测器来检测响应于所述照射而从样品发出的辐射通量，特别地包括以下步骤：为显微镜提供气压传感器；从所述气压传感器为自动控制器提供压强测量信号；调用所述控制器以使用所述信号作为到控制程序的输入，以基于所述信号来补偿所述射束和所述样品保持器的相对位置误差。

公开(公告)号：WO2003030206A1

公开(公告)日：2003-04-10

申请号：PCT/US2002/031517

申请日：2002-10-01

Applicant: KLA-TENCOR TECHNOLOGIES CORPORATION

Inventor： NASSER-GHODSI, Mehran ,  REICHERT, Jeffrey

IPC: H01J37/28

CPC classification number: H01J37/268 ,  G01N23/2252 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/2817

Abstract: The present invention includes a system for localization of defects in test samples. A sample is scanned using a particle beam. Some particles interact with conductive elements and may cause the emission of x-rays. Other particles can pass through the sample entirely and generate a current that can be measured. A higher current generated indicates less conductive material at the scan target that may mean a void, dishing, or erosion is present. Localization of a defect can be confirmed using an x-ray emission detector.

Abstract translation: 本发明包括用于定位测试样品中的缺陷的系统。 使用粒子束扫描样品。 一些颗粒与导电元素相互作用，并可能导致x射线的发射。 其他颗粒可以完全通过样品，并产生可以测量的电流。 产生的较高的电流表示在扫描目标处的导电材料较少，这可能意味着存在空隙，凹陷或侵蚀。 可以使用x射线发射检测器确认缺陷的定位。

公开(公告)号：WO2011121875A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/JP2011/000706

申请日：2011-02-09

Applicant: 株式会社 日立ハイテクノロジーズ ,  横須賀 俊之 ,  山崎 実 ,  数見 秀之 ,  田子 一農

Inventor： 横須賀　俊之 ,  山崎　実 ,  数見　秀之 ,  田子　一農

IPC: H01J37/22 ,  H01J37/147 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/026 ,  H01J37/266 ,  H01J37/268 ,  H01J2237/0048 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/2594

Abstract: 本発明は、試料（１００９）の予備照射領域（１１０１）に電子ビーム（１００３）を予備照射した後に、前記試料の観察領域（１１０２）に前記電子ビームを照射して観察を行う走査電子顕微鏡において、前記予備照射領域を複数の領域（１１０３）に分割し、（ａ）前記各分割領域に含まれるパターンの密集度、（ｂ）各前記分割領域に含まれるパターンを形成する材料の種類、に基づき、前記各分割領域に対する電子ビームの予備照射条件を決定することを特徴とする。この際、予備照射領域内の各分割領域における帯電の差異を抑制するような予備照射条件が算出される。これにより、（ａ）予備照射領域内のパターンの密集度が位置によって異なる場合、（ｂ）予備照射領域内に異なる複数の材質が含まれている場合、にも試料の帯電の不均一さを抑制することが可能となった。

Abstract translation: 提供了一种扫描电子显微镜，其中通过将电子束（1003）预先给予样品（1009）的预给料区域（1101），然后将电子束照射到观察区域（1102）上进行观察 ），并且其中所述预给料区域被分成多个区域（1103），并且基于（a）密度来确定每个所述分割区域的电子束（1003）的预给料条件 每个划分区域中包含的图案的类型，和（b）形成每个分割区域中的图案的材料的类型。 在这种情况下，计算预给料条件以减轻给药前区域内分开区域之间的通电差异。 即使（a）根据其中的位置，在预给料区域内的图案浓度变化时，也能够减轻样品内的起电不均匀性，以及（b）预给料区域中包含多种不同的材料。

公开(公告)号：WO2011007517A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：PCT/JP2010/004346

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社 日立ハイテクノロジーズ ,  石島達晃 ,  那須修 ,  福田宗行 ,  大橋健良 ,  山梨弘将 ,  宮本卓治 ,  酒井計

Inventor： 石島達晃 ,  那須修 ,  福田宗行 ,  大橋健良 ,  山梨弘将 ,  宮本卓治 ,  酒井計

IPC: H01J37/28 ,  G01N23/225 ,  H01J37/20 ,  H01J37/21 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/28 ,  G01R29/24 ,  H01J37/20 ,  H01J37/266 ,  H01J37/268 ,  H01J2237/2002 ,  H01L22/12

Abstract: 　本発明は、固定帯電と誘起帯電が複合して存在する可能性のある試料に対しても、高速且つ高精度に試料帯電測定、或いは焦点調整を行うことを目的とする。　上記目的を達成するための一態様として、試料室外に設けられた第１の試料電位測定装置によって得られる試料電位情報、或いは予め取得された試料電位情報が、所定の閾値以上、又は当該閾値より大きい場合に、選択的に、試料室内にて第２の試料電位測定装置を用いた試料電位の測定を行うことを特徴とする試料電位測定方法、及びそれを実現する装置を提案する。

Abstract translation: 为了即使在可以混合存在固定电荷和感应电荷的样本上也能高速且高精度地进行试样电荷测量或聚焦，提供了一种试样电位测量方法，其特征在于，使用 当由设置在样本室外部的第一检体电位测定装置得到的样本电位信息或者先前取得的标本电位信息为大于或等于规定阈值以上或阈值以上时的第二标本电位测定装置 并且还提供了一种用于实现该方法的装置。

公开(公告)号：WO2018052575A1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：PCT/US2017/045791

申请日：2017-08-07

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： SENOWITZ, Corey

IPC: H01J37/26 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/22 ,  H01J37/268 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/24592 ,  H01J2237/2813 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: Transmission electron microscopes (TEMs) are being utilized more often in failure analysis labs as processing nodes decrease and alternative device structures, such as three dimensional, multi-gate transistors, e.g., FinFETs (Fin Field Effect Transistors), are utilized in IC designs. However, these types of structures may confuse typical TEM sample (or "lamella") preparation as the resulting lamella may contain multiple potentially faulty structures, making it difficult to identify the actual faulty structure. Passive voltage contrast may be used in a dual beam focused ion beam (FIB) microscope system including a scanning electron microscope (SEM) column by systematically identifying non-faulty structures and milling them from the lamella until the faulty structure is identified.

Abstract translation: 透射电子显微镜（TEM）更常用于故障分析实验室，因为处理节点减少并且可替代的器件结构（例如三维多栅极晶体管，例如FinFET（鳍式场效应晶体管 ）被用于IC设计。 然而，这些类型的结构可能会混淆典型的TEM样品（或“薄片”）制备，因为所产生的薄片可能含有多个可能有缺陷的结构，使得难以识别实际的有缺陷的结构。 被动电压对比可用于包括扫描电子显微镜（SEM）柱的双光束聚焦离子束（FIB）显微镜系统中，通过系统地识别无故障结构并将其从薄片中铣削直至识别出缺陷结构。

公开(公告)号：WO2014115741A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：PCT/JP2014/051171

申请日：2014-01-22

Applicant: 株式会社 日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 水原　譲 ,  伊澤　美紀 ,  山崎　実 ,  田村　仁 ,  数見　秀之

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J37/29

CPC classification number: H01J37/268 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/244 ,  H01J37/265 ,  H01J37/266 ,  H01J37/28 ,  H01J37/3178 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/28 ,  H01J2237/2809

Abstract: 　本発明の目的は、荷電粒子線の照射によって誘起される試料の電位を測定することで、荷電粒子線を用いた試料表面の電位測定、或いは試料帯電によって変化する装置条件の変動の補償値を検出する方法、及び装置の提供にある。　上記目的を達成するために、荷電粒子線（１）を試料（２３）に向けて照射している状態において、試料（２３）から放出された荷電粒子線（２（ａ、ｂ））を荷電粒子偏向器（３３）によって偏向し、そのときに得られる信号を用いて、試料電位に関する情報を検出する方法、及び装置を提供する。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于检测通过样品充电而改变的装置条件的变化的补偿值的检测方法和装置，或者使用带电粒子束测量样品的表面的电位，通过测量 通过发射带电粒子束诱导的样品电位。 提供了一种方法和装置，以实现上述目的，由此，当向样品（23）发射带电粒子束（1）时，从样品（23）释放的带电粒子束（2a，2b）被偏转 通过带电粒子偏转器（33），并且使用此时获得的信号来检测关于样品的电位的信息。

公开(公告)号：WO2010076136A1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：PCT/EP2009/066698

申请日：2009-12-09

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  IBM UNITED KINGDOM LIMITED ,  MASTERS, Mark, Eliot ,  BELL, Paul, Davis ,  PATRICK, David, Stuart

Inventor： MASTERS, Mark, Eliot ,  BELL, Paul, Davis ,  PATRICK, David, Stuart

IPC: G01N23/22 ,  G01R31/28 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/268 ,  G01R31/307 ,  H01J37/265 ,  H01J2237/043 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/24592

Abstract: A method for nanoprobing a device structure (82) of an integrated circuit includes scanning a primary charged particle beam (25) across a first region of the device structure with at least one probe (24a, 26a, 28a, 30a) proximate to the first region and a second region (91) of the device structure is masked from the primary charged particle beam. The method further includes collecting secondary electrons (35) emitted from the first region of the device structure and the at least one probe to form a secondary electron image (94). The secondary electron image includes the first region and the at least one probe as imaged portions and the second region as a non-imaged portion. Alternatively, the second region may be scanned by the charged particle beam at a faster scan rate than the first region so that the second region is also an imaged portion of the secondary electron image.

Abstract translation: 一种用于纳米结构集成电路的器件结构（82）的方法包括：跨过器件结构的第一区域扫描初级带电粒子束（25），其中至少一个探针（24a，26a，28a，30a）接近第一 区域，并且器件结构的第二区域（91）被从初级带电粒子束掩蔽。 该方法还包括收集从器件结构的第一区域发射的二次电子（35）和至少一个探针以形成二次电子图像（94）。 二次电子图像包括作为成像部分的第一区域和至少一个探针，以及作为非成像部分的第二区域。 或者，第二区域可以以比第一区域更快的扫描速率被带电粒子束扫描，使得第二区域也是二次电子图像的成像部分。

公开(公告)号：WO1997001862A1

公开(公告)日：1997-01-16

申请号：PCT/JP1995001273

申请日：1995-06-26

Applicant: HITACHI, LTD. ,  YAJIMA, Yusuke ,  TAKAHASHI, Yoshio ,  SUZUKI, Hiroshi ,  KURODA, Katsuhiro

Inventor： HITACHI, LTD.

IPC: H01J37/256

CPC classification number: H01J37/228 ,  H01J37/268 ,  H01J2237/2445 ,  H01J2237/2455

Abstract: An electron microscope and electron microscopy for observing the magnetization of samples with high resolution. The microscope comprises an electron beam projecting means including a scanning coil (3) and objectives lens (4) to irradiate a desired part of a sample (51) with an electron beam (2) emitted from an electron source (1); and a detector means including a quarter wave plate (8), polarizer (9), and photodetector (11) to detect circular-polarized light from the irradiated part of the sample. Since the intensity of the circular-polarized light generated from the sample irradiated with the electron beam varies depending upon the direction of magnetization of the irradiated part and detecting direction of the light, the distribution of magnetization can be measured when the scanned images are observed by using the intensity of the circular-polarized light as luminance signals while scanning the irradiated part on the surface of the sample (51).

Abstract translation: 用电子显微镜和电子显微镜观察高分辨率样品的磁化强度。 显微镜包括电子束投射装置，其包括用从电子源（1）发射的电子束（2）照射样品（51）的期望部分的扫描线圈（3）和物镜（4）。 以及包括四分之一波片（8），偏振器（9）和光电检测器（11）的检测器装置，用于检测来自被照射部分的样品的圆偏振光。 由于由电子束照射的样品产生的圆偏振光的强度根据照射部分的磁化方向和光的检测方向而变化，所以可以通过观察扫描图像时测量磁化分布 使用圆偏振光的强度作为亮度信号，同时扫描样品（51）的表面上的照射部分。