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    드라이 에칭 방법
    241.
    发明授权
    드라이 에칭 방법 有权
    干法蚀刻法

    公开(公告)号：KR101826642B1

    公开(公告)日：2018-02-07

    申请号：KR1020160102185

    申请日：2016-08-11

    Applicant: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈

    Inventor： 션제 ,  오노데츠오 ,  야스나미히사오

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768

    CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01L21/02532

    Abstract: 본발명은, Si층과 SiGe층이번갈아적층된적층막의상기 SiGe층을상기 Si층에대하여선택적으로등방성의에칭을하는드라이에칭방법에있어서, NF가스와 N가스의혼합가스에의해생성되어펄스변조된고주파전력에의해생성된플라즈마를이용함과함께상기적층막이배치된시료가재치된시료대에 0W의고주파바이어스를인가하면서상기 SiGe층을플라즈마에칭하는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种用于选择性各向同性蚀刻的干蚀刻方法相对于该Si层的SiGe层和SiGe层交替层叠的多层膜的Si层是由NF气体和N 2气体脉冲的混合气体产生的 并用利用由施加到0W的高频偏压上设置层叠膜被安装以上的样品的阶段调制的高频功率产生等离子体的特征在于，所提到的SiGe层，以形成等离子体。

    마이크로파 방사 기구, 마이크로파 플라즈마원 및 표면파 플라즈마 처리 장치
    242.
    发明公开
    마이크로파 방사 기구, 마이크로파 플라즈마원 및 표면파 플라즈마 처리 장치 有权
    微波排放机理，微波等离子体源和表面波等离子体处理装置

    公开(公告)号：KR1020140117630A

    公开(公告)日：2014-10-07

    申请号：KR1020147023798

    申请日：2012-12-14

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 이케다다로 ,  미야시타히로유키 ,  오사다유키 ,  후지노유타카 ,  고마츠도모히토

    IPC: H05H1/46 ,  H05H1/24 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4615 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/463 ,  H01J37/3244

    Abstract: 마이크로파 방사 기구(43)는, 마이크로파를 전송하는 전송로(44)와, 마이크로파 전송로(44)를 통해 전송되어 온 마이크로파를 챔버(1) 내에 방사하는 안테나부(45)를 갖고, 안테나부(45)는, 마이크로파를 방사하는 슬롯(131)이 형성된 안테나(81)와, 안테나(81)로부터 방사된 마이크로파를 투과시키고, 그 표면에 표면파가 형성되는 유전체 부재(110b)를 갖고, 또한, 적어도 슬롯(131) 내벽 및 유전체 부재(110b)의 표면 및 내부를 포함하는, 표면 전류 및 변위 전류가 흐르는 폐회로(C)를 갖고, 폐회로(C)의 길이가, 마이크로파의 파장을 λ
    0 으로 한 경우에, nλ
    0 ±δ(n은 양의 정수, δ는 미세 조정 성분(0을 포함한다)이다)가 되도록 한다.

    Abstract translation: 微波发射机构包括：传输微波的传输路径; 以及天线部分，其将通过传输路径传输的微波发射到室中。 天线部分包括具有微波发射的狭缝的天线，从天线发射的微波穿过的电介质构件和表面电流和位移电流的闭合电路。 表面波形成在电介质构件的表面中。 闭路至少具有：槽的内壁; 以及电介质构件的表面和内部。 当微波的波长为λ0时，闭路电路的长度为nλ0±δ，其中n为正整数，δ为包括0的微调组件。

    마이크로파 플라즈마 반응기
    243.
    发明公开
    마이크로파 플라즈마 반응기 有权
    微波等离子体反应器

    公开(公告)号：KR1020140092609A

    公开(公告)日：2014-07-24

    申请号：KR1020130004865

    申请日：2013-01-16

    Applicant: 주식회사 아이브이웍스

    Inventor： 오재응

    IPC: H05H1/24 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32311 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622

    Abstract: Disclosed is a microwave plasma reactor including: a microwave generation unit which generates microwaves; a wave guide pipe which receives and outputs the generated microwaves by being connected to the microwave generation unit; and a reaction unit in which plasma is generated from reaction gas by the outputted microwaves.

    Abstract translation: 公开了一种微波等离子体反应器，包括：产生微波的微波产生单元; 波导管，其通过连接到所述微波产生单元接收并输出所产生的微波; 以及其中由输出的微波从反应气体产生等离子体的反应单元。

    상압 플라즈마 장치 및 이를 위한 도파관
    244.
    发明公开
    상압 플라즈마 장치 및 이를 위한 도파관 有权
    大气等离子体设备和波导相同

    公开(公告)号：KR1020110088021A

    公开(公告)日：2011-08-03

    申请号：KR1020100007725

    申请日：2010-01-28

    Applicant: (주)트리플코어스코리아

    Inventor： 김익년 ,  장홍기 ,  지영연

    IPC: H05H1/24 ,  C23C16/50

    CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/32201 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622

    Abstract: PURPOSE: An atmospheric pressure plasma apparatus and a waveguide therefor are provided to achieve an effect which stably maintains generated plasma and a convergence effect which is applied through a waveguide having a height difference of more than 2. CONSTITUTION: An oscillator supplies electro-magnetic waves to a first high height part(210). A first tapered part(220) is connected with the end part of the first high height part. A second high height part(230) is connected with the end part of the first tapered part. A second tapered part(240) is connected with the end part of the second high height part. A low height part(250) is connected with the end part of the second tapered part.

    Abstract translation: 目的：提供一种大气压等离子体装置及其波导，以实现稳定地维持产生的等离子体的效果和通过高度差大于2的波导应用的会聚效应。构成：振荡器提供电磁波 到第一高高度部分（210）。 第一锥形部分（220）与第一高高度部分的端部连接。 第二高高度部分（230）与第一锥形部分的端部连接。 第二锥形部分（240）与第二高高度部分的端部连接。 低高度部分（250）与第二锥形部分的端部连接。

    빔 플럭스 및 수송효율이 향상된 중성입자빔 생성장치 및 생성 방법
    245.
    发明公开
    빔 플럭스 및 수송효율이 향상된 중성입자빔 생성장치 및 생성 방법 有权
    中性粒子束生成装置和具有增加的中性粒子通量和运输的方法

    公开(公告)号：KR1020100133056A

    公开(公告)日：2010-12-21

    申请号：KR1020090051750

    申请日：2009-06-11

    Applicant: 한국기초과학지원연구원

    Inventor： 유석재 ,  김성봉 ,  김대철

    IPC: H05H3/00 ,  H05H3/06

    CPC classification number: H05H3/06 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32669 ,  H01J37/32678 ,  H01J2237/332 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607

    Abstract: PURPOSE: A beam flux, a neutral particle beam generation device thereof, and a method thereof are provided to obtain a high flux neutral particle beam by generating high density plasma. CONSTITUTION: A plasma chamber(100) offers a plasma discharge space which generates plasma. A neutralizing reflecting plate(110) converts plasma ion to a neutral particle. A limiter(300) restricts the plasma ion and electrons except for the neutral particles in the plasma discharge space. A magnetic structure forms a racetrack structure magnetic field inside the plasma discharge space. A magnet cover(220) improve the intensity of the magnetic field by covering the magnetic structure. A microwave irradiation device(120) irradiates a microwave to the plasma discharge space. A processing chamber(400) comprises a substrate mounting table in order to execute a deposition process.

    Abstract translation: 目的：提供一种束通量，中性粒子束产生装置及其方法，以通过产生高密度等离子体获得高通量中性粒子束。 构成：等离子体室（100）提供产生等离子体的等离子体放电空间。 中和反射板（110）将等离子体离子转换成中性粒子。 限制器（300）限制等离子体离子和电子，除了等离子体放电空间中的中性粒子。 磁性结构在等离子体放电空间内形成跑道结构磁场。 磁体盖（220）通过覆盖磁结构来改善磁场的强度。 微波照射装置（120）向等离子体放电空间照射微波。 处理室（400）包括用于执行沉积工艺的衬底安装台。

    마이크로웨이브를 이용한 기판 표면처리 및 박막형성장치
    246.
    发明公开
    마이크로웨이브를 이용한 기판 표면처리 및 박막형성장치 失效
    使用微波形成薄膜和处理基板表面的设备

    公开(公告)号：KR1020050115954A

    公开(公告)日：2005-12-08

    申请号：KR1020040040697

    申请日：2004-06-04

    Applicant: 박상원 ,  정윤식 ,  박장식

    Inventor： 박상원 ,  박장식 ,  정윤식 ,  안원술 ,  김성국 ,  이용길 ,  김태우 ,  정원상

    IPC: H01L21/363

    CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32201

    Abstract: 본 발명은 마그네트론의 안테너 주위와 기판 주위에 유도코일을 형성함으로써, 낮은 압력상태에서도 기판의 표면처리가 이루어질 수 있도록 하고, 타켓트 입자가 기판 주위의 플라즈마에 의해 이온화되어 기판에 입사되게 하되, 상기 표면처리과정과 박막성막과정이 연속하여 이루어질 수 있도록 한다.
    진공 챔버 내부에 진공상태를 유지하여 기판을 밀폐된 상태에서 마이크로웨이브에 노출시켜 표면처리하고, 성막공정을 수행하는 장치에 있어서, 마이크로웨이브를 방사하는 마그네트론과 마그네트론 안테너 주위에, RF 전원을 인가하여 기판의 표면처리를 할 수 있도록 유도코일을 형성하는 수단; 마이너스 바이어스가 인가된 기판 홀더에 기판을 형성하고, 상기 기판 주위에는 유도코일을 형성하는 수단; 타켓트가 부착된 백킹플레이트 하단에 자기회로를 형성하여 상기 타켓트에 인가된 전원에 의해 발생되는 플라즈마 상태를 형성하는 수단; 진공 배기를 하는 로터리펌프와 터보 펌프를 구성하고, 진공 챔버 내에 알곤가스, 산소가스 및 X가스를 공급하는 알곤가스봄베, 산소가스봄베 및 X가스봄베를 구성하는 수단;으로 이루어지는 마이크로웨이브를 이용한 기판 표면처리 및 박막형성장치에 관한 것이다.

    プラズマ調整用の支援装置、プラズマ調整方法及び記憶媒体
    248.
    发明专利
    プラズマ調整用の支援装置、プラズマ調整方法及び記憶媒体 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017228459A

    公开(公告)日：2017-12-28

    申请号：JP2016124686

    申请日：2016-06-23

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 野上 隆文 ,  五十嵐 誠

    IPC: H05H1/00 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32926 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68714 ,  H01J2237/332

    Abstract: 【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置に対して調整部によりプラズマの調整を行うにあたり、プラズマの調整作業を容易に行うことができる技術を提供すること。 【解決手段】調整部であるスタブをある位置に設定してプラズマ処理を行い、同軸導波管4の中心軸から予め設定された距離だけ離れ、周方向に沿って位置するウエハW上の複数の位置において膜厚を測定する。次いで膜厚の測定結果と各スタブSの調整位置とを入力部に入力し、スタブS毎にスタブSの各調整位置同士の間の膜厚の増減量を規定した推定用のデータを記憶部から読み出し、読み出したデータと入力部に入力した入力事項とに基づいて、スタブSの調整位置毎の膜厚を推定し、複数のスタブの調整位置の組合せと、各組合せに対応する周方向の複数の膜厚の推定値と、に基づいて、スタブSの調整位置の適切な組合せを選択する。 【選択図】図6

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