公开(公告)号：FR3064383B1

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：FR1752383

申请日：2017-03-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  BEDECARRATS THOMAS

IPC: G06N3/02 ,  H01L21/8232

Abstract: Dispositif intégré de neurone artificiel, comportant une borne d'entrée (BE), une borne de sortie (BS), une borne de référence (BR) destinée à délivrer au moins un signal de référence, un bloc intégrateur (1) configuré pour recevoir et intégrer au moins un signal d'entrée et délivrer un signal intégré, un bloc générateur (2) configuré pour recevoir le signal intégré et, lorsque le signal intégré dépasse un seuil, délivrer le signal de sortie, dans lequel le bloc intégrateur (1) comporte un condensateur principal (C1) couplé entre la borne d'entrée (BE) et la borne de référence (BR), le bloc générateur (2) comporte un transistor MOS principal (TR 1) couplé entre la borne d'entrée (E) et la borne de sortie (S), et dont la grille (g 1) est couplée à la borne de sortie (BS), ledit transistor principal (TR 1) ayant en outre son substrat (sb 1) et sa grille (g 1) mutuellement couplés.

公开(公告)号：FR3080688A1

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：FR1853656

申请日：2018-04-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2

Inventor： SCOZZOLA GIOVANNI ,  POTHIER OLIVIER

IPC: G01V8/00 ,  G01V9/00

Abstract: L'invention concerne un dispositif de détection de mouvements d'une main, comprenant un unique capteur (10) de données représentatives de la distance moyenne entre le capteur et la main.

公开(公告)号：FR3066614B1

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：FR1754320

申请日：2017-05-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： AYI-YOVO FOLLY ELI ,  DURAND CEDRIC ,  GIANESELLO FREDERIC

IPC: G02B6/10

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optique (20) dans une plaque en verre (23) comprenant un guide d'onde (24) dont une extrémité (24A) est dirigée vers un miroir (26), ce procédé comprenant les étapes successives suivantes : former une première tranchée selon le dessin du guide d'onde (24) à former et une deuxième tranchée (28), la première tranchée ayant une extrémité débouchant sur la deuxième tranchée (28) ; traiter à l'acide fluorhydrique ; recouvrir d'une couche réflectrice (26) la paroi (28A) de la deuxième tranchée (28) opposée au débouché de la première tranchée ; remplir la première tranchée d'un matériau ayant un indice différent de celui du verre ; et déposer une couche d'encapsulation (29).

公开(公告)号：FR3038467B1

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：FR1556345

申请日：2015-07-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GOULIER JULIEN

IPC: H02J50/20

Abstract: L'invention concerne une carte sans contact (100) configurée pour être alimentée par une antenne (9) connectée à l'entrée d'un redresseur (13) dont la sortie est couplée à un module de traitement (32) qui peut consommer un premier courant (I3), la carte sans contact comprenant un circuit de régulation de courant (34) également connecté à la sortie du redresseur (13), propre à absorber un deuxième courant (II) tel que la somme des premier et deuxième courants soit un courant constant.

公开(公告)号：FR3011382B1

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：FR1359365

申请日：2013-09-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BARNOLA SEBASTIEN ,  MORAND YVES ,  NIEBOJEWSKI HEIMANU

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un circuit intégré sur un substrat comportant les étapes suivantes : - réalisation d'un empilement de grille à la surface d'une zone active, comportant les sous-étapes suivantes : • dépôt d'une couche d'un premier diélectrique ; • dépôt d'une couche conductrice de grille ; • dépôt d'une couche d'un premier métal ; • dépôt d'une couche d'un deuxième métal ; • dépôt d'une couche d'un deuxième diélectrique ; - gravure partielle de l'empilement de grille pour la formation d'une zone de grille sur zone active ; - réalisation d'espaceurs isolants de part et d'autre de la zone de grille sur zone active ; - réalisation de zones de source et de drain ; - réalisation de zones de siliciuration à la surface des zones de source et de drain ; - gravure, sur la zone de grille sur zone active, de la deuxième couche de diélectrique et de la couche du deuxième métal avec arrêt sur la couche du premier métal, de manière à former une cavité entre les espaceurs isolants ; - réalisation d'un bouchon de protection à la surface de la couche du premier métal de la zone de grille sur zone active, le bouchon de protection venant combler la cavité.

公开(公告)号：FR3069121A1

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：FR1756565

申请日：2017-07-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS INT NV ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： URARD PASCAL ,  CACHO FLORIAN ,  HUARD VINCENT ,  TRIPATHI ALOK KUMAR

IPC: H03K19/007 ,  G11C11/34 ,  H03K19/20

Abstract: L'invention concerne une bascule comprenant : une entrée de données (D) et une entrée (104) d'horloge (CLK) ; des entrée (TI) et sortie (TQ) de chaîne de test ; un circuit de surveillance (106) adapté à générer une alerte (F) si le temps entre l'arrivée d'une donnée et un front de l'horloge est inférieur à un seuil ; et un circuit de transmission d'alerte (204), adapté à, pendant une période de surveillance, appliquer un niveau d'alerte sur la sortie (TQ) de chaîne de test en cas d'alerte générée par le circuit de surveillance, et à appliquer le niveau d'alerte sur la sortie de chaîne de test lorsqu'un niveau d'alerte est reçu à l'entrée (TI) de chaîne de test.

公开(公告)号：FR3057675B1

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：FR1659924

申请日：2016-10-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： AYI-YOVO FOLLY ELI ,  DURAND CEDRIC ,  GIANESELLO FREDERIC

IPC: G02B5/08 ,  G02B6/136

公开(公告)号：FR3053526B1

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：FR1656331

申请日：2016-07-01

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CAMPOS DIDIER ,  BESANCON BENOIT ,  COUDRAIN PERCEVAL ,  COLONNA JEAN-PHILIPPE

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/34 ,  H01L23/52

公开(公告)号：FR3063552A1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：FR1751747

申请日：2017-03-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BLANC JEAN-PIERRE ,  TROCHUT SEVERIN

IPC: G05F3/02

Abstract: L'invention concerne un générateur de tension ou de courant ayant un coefficient de température configurable, comprenant : un premier générateur de tension (Q1) adapté pour générer une première tension (Vbel) ayant un premier coefficient de température négatif ; un deuxième générateur de tension (Q2) adapté pour générer une deuxième tension (Vbe2) ayant un deuxième coefficient de température négatif différent du premier coefficient de température négatif ; et un circuit (R1, RA, RB, 406, 408, 410) adapté pour générer un niveau de sortie (IOUT, VOUT) basé sur la différence entre la première tension (Vbel) proportionnée par un premier facteur d'échelle (a) et la deuxième tension (Vbe2) proportionnée par un deuxième facteur d'échelle (β)

公开(公告)号：FR3059152A1

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：FR1661261

申请日：2016-11-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PRIETO HERRERA RAFAEL AUGUSTO ,  COLONNA JEAN-PHILIPPE ,  COUDRAIN PERCEVAL

IPC: H01L23/34

Abstract: Dispositif de transfert thermique comprenant un empilement qui comprend : au moins une couche conductrice de la chaleur (3), présentant au moins une portion de récupération de chaleur (5), apte à être placée en regard d'une source de chaleur, et une portion d'évacuation de chaleur (6), apte à être placée en regard d'un puits thermique, et au moins une couche d'absorption de la chaleur (4), incluant une matière à changement de phase, dont une face est accolée à au moins une partie d'au moins une face de ladite couche conductrice de la chaleur. Dispositif électronique comprenant un tel dispositif de transfert thermique.