Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Quarzglaskörpers beinhaltend die Verfahrensschritte i.) Bereitstellen eines Siliziumdioxidgranulats,wobei das Bereitstellen zumindest die Schritte beinhaltet: I. Bereitstellen von Siliziumdioxidpulver; und II. Verarbeiten des Siliziumdioxidpulvers zu einem Siliziumdioxidgranulat, wobei das Siliziumdioxidgranulat einen größeren Partikeldurchmesser aufweist als das Siliziumdioxidpulver, wobei das Verarbeiten folgende Schritte beinhaltet: 1) Verarbeiten des Siliziumdioxidpulvers zu einem Siliziumdioxidgranulat I, wobei das Siliziumdioxidgranulat I einen ersten Kohlenstoffgehalt w C(1) aufweist, 2) Behandeln des Siliziumdioxidgranulats I mit einem Reaktanden unter Erhalt eines Siliziumdioxidgranulat II mit einem weiteren Kohlenstoffgehalt w C(2) , wobei der weitere Kohlenstoffgehalt w C(2) kleiner ist als der erste Kohlenstoffgehalt w C(1) ; ii.) Bildeneiner Glasschmelze aus dem Siliziumdioxidgranulatund iii.) Bilden eines Quarzglaskörpers aus zumindest einem Teil der Glasschmelze. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Quarzglaskörper, der durch dieses Verfahren erhältlich ist. Weiterhin betrifft die Erfindung einen Lichtleiter, ein Leuchtmittel und einen Formkörper, die jeweils durch Weiterverarbeiten des Quarzglaskörpers erhältlich sind. Außerdem betrifft die Erfindung ein Siliziumdioxidgranulat II erhältlich als Zwischenprodukt des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Abstract:
A doped silica-titania ("DST") glass article that includes a glass article having a glass composition comprising a silica-titania base glass containing titania at 7 to 14 wt.% and a balance of silica, and a dopant selected from the group consisting of (a) F at 0.7 to 1.5 wt.%, (b) B 2 O 3 at 1.5 to 5 wt.%, (c) OH at 1000 to 3000 ppm, and (d) B 2 O 3 at 0.5 to 2.5wt.% and OH at 100 to 1400 ppm. The glass article has an expansivity slope of less than about 1.3 ppb/K 2 at 20°C. For DST glass articles doped with F or B 2 O 3 , the OH level can be held to less than 10 ppm, or less than 100 ppm, respectively. In many aspects, the DST glass articles are substantially free of titania in crystalline form.
Abstract translation:掺杂二氧化硅 - 二氧化钛(“DST”)玻璃制品,其包括玻璃制品,所述玻璃制品具有包含二氧化钛 - 二氧化钛基玻璃的玻璃组合物,所述二氧化钛 - 二氧化钛基玻璃含有7重量%至14重量%的二氧化钛, 二氧化硅和掺杂剂,所述掺杂剂选自(a)0.7至1.5重量%的F,(b)1.5至5重量%的B 2 O 3, %,(c)1000-3000ppm的OH,和(d)0.5-2.5wt%的B 2 O 3和100-1400ppm的OH。 玻璃制品在20℃下的膨胀率斜率小于约1.3ppb / K 2。 对于掺杂有F或B 2 O 3的DST玻璃制品,OH水平可分别保持在小于10ppm或小于100ppm。 在许多方面,DST玻璃制品基本不含结晶形式的二氧化钛。 p>
Abstract:
A doped silica-titania glass article is provided that includes a glass article having a glass composition comprising (i) a silica-titania base glass, (ii) a fluorine dopant, and (iii) a second dopant. The fluorine dopant has a concentration of fluorine of up to 5 wt. % and the second dopant comprises one or more oxides selected from the group consisting of Al, Nb, Ta, B, Na, K, Mg, Ca and Li oxides at a total oxide concentration from 50 ppm to 6 wt.%. Further, the glass article has an expansivity slope of less than 0.5 ppb/K 2 at 20 ⃘ C. The second dopant can be optional. The composition of the glass article may also contain an OH concentration of less than 100 ppm.
Abstract:
The present invention provides a TiO 2 -containing silica glass from which a transparent extremely low thermal expansion glass having excellent transparency and having a temperature region in which the coefficient of thermal expansion is substantially zero can be obtained. The present invention relates to a TiO 2 -containing silica glass for optical member for EUV lithography, having a TiO 2 concentration of from 3 to 14 % by mass; an internal transmittance per 1-mm thickness in a wavelength region of from 400 to 700 nm, T 400-700 , of 97 % or more; and an internal transmittance per 1-mm thickness in a wavelength region of from 400 to 3,000 nm, T 400-3000 , of 70 % or more.
Abstract:
The invention starts from a known component of quartz glass for use in semiconductor manufacture, which component at least in a near-surface region shows a co-doping of a first dopant and of a second oxidic dopant, said second dopant containing one or more rare-earth metals in a concentration of 0.1-3% by wt. each (based on the total mass of SiO 2 and dopant). Starting from this, to provide a quartz glass component for use in semiconductor manufacture in an environment with etching action, which component is distinguished by both high purity and high resistance to dry etching and avoids known drawbacks caused by co-doping with aluminum oxide, it is suggested according to the invention that the first dopant should be nitrogen and that the mean content of metastable hydroxyl groups of the quartz glass is less than 30 wtppm.
Abstract:
Ein ideales Quarzglas für einen Wafer-Halter zum Einsatz in ätzend wirkender Umgebung zeichnet sich sowohl durch hohe Reinheit als auch durch eine hohe Trockenätzbeständigkeit aus. Um ein Quarzglas anzugeben, das diese Anforde rungen weitgehend erfüllt, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass das Quarz glas mindestens in einem oberflächennahen Bereich mit Stickstoff dotiert ist, einen mittleren Gehalt an metastabilen Hydroxylgruppen von weniger als 30 Gew.-ppm aufweist, und dass seine fiktive Temperatur unterhalb von 1250 °C und seine Vis kosität bei einer Temperatur von 1200°C mindestens 1013 dPas betragen. Ein wirtschaftliches Verfahren zur Herstellung eines derartigen Quarzglases umfasst folgende Verfahrensschritte: Erschmelzen eines SiO2-Rohstoffs zu einem Quarz- glas-Rohling, wobei der SiO2-Rohstoff oder der Quarzglas-Rohling einer Entwäs serungsmaßnahme unterzogen werden, ein Erhitzen des SiO2-Rohstoffs oder des Quarzglas-Rohlings auf eine Nitridierungstemperatur im Bereich zwischen 1050°C und 1850 °C unter einer Ammoniak enthaltenden Atmosphäre, eine Temperatur behandlung, mittels der das Quarzglas des Quarzglas-Rohlings auf eine fiktive Temperatur von 1250 °C oder weniger eingestellt wird, und eine Oberflächenbe handlung des Quarzglas-Rohlings unter Bildung des Quarzglas-Halters.
Abstract:
A conventional method for producing a quartz glass component for a UV radiation source includes melting SiO 2 containing grains. The aim of the invention is to provide an improved and inexpensive method which allows for the production of a quartz glass component that is characterized by high radiation resistance. For this purpose, synthetically produced quartz crystals are smelted to give an initial product that consists of quartz glass, and contains hydroxyl groups in a number greater than the number of SiH groups. In order to remove the SiH groups, the initial product is subjected to a tempering step at a temperature of at least 850 °C, thereby obtaining the quartz glass component. The inventive quartz glass component is characterized in that the quartz glass is smelted from synthetically produced quartz crystals and has an SiH group content of less than 5 x 10 17 molecules/cm 3 . The invention also relates to a method for testing the aptitude of a quartz glass component for the use thereof with a UV radiation source.
Abstract:
A synthetic quartz glass for an optical member which is free from compaction and rarefaction is obtained. A synthetic quartz glass for an optical member to be used for an optical device employing a light having a wavelength of at most 400 nm and at least 170 nm as a light source, which contains substantially no oxygen excess defects, dissolved oxygen molecules nor reduction type defects, which has a chlorine concentration of at most 50 ppm and a OH group concentration of at most 100 ppm, and which contains oxygen deficient defects within a concentration range of at most 5x10(14) defects/cm(3) and at least 1x10(13) defects/cm(3). The fluorine concentration is preferably at most 100 ppm. A process for producing the synthetic quartz glass is also claimed.
Abstract translation:得到不含压实和稀释的用于光学构件的合成石英玻璃。 用于光学构件的合成石英玻璃,其用于使用波长最多为400nm且至少170nm的光作为光源的光学元件,其基本上不含氧过剩缺陷,溶解的氧分子或还原型 缺陷,其氯浓度最多为50ppm,OH基浓度为至多100ppm,并且在至少5×10(14)个缺陷/ cm 3(3)的浓度范围内含有缺氧缺陷,并且至少1×10 (13)缺陷/ cm(3)。 氟浓度优选为100ppm以下。 保护合成石英玻璃的方法。