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    HIGHLY ETCH-RESISTANT POLYMER BLOCK FOR USE IN BLOCK COPOLYMERS FOR DIRECTED SELF-ASSEMBLY
    271.
    发明申请
    HIGHLY ETCH-RESISTANT POLYMER BLOCK FOR USE IN BLOCK COPOLYMERS FOR DIRECTED SELF-ASSEMBLY 审中-公开
    用于方向自组装的嵌入式共聚物中的高耐蚀性聚合物嵌段

    公开(公告)号：WO2014165530A1

    公开(公告)日：2014-10-09

    申请号：PCT/US2014/032557

    申请日：2014-04-01

    Applicant: BREWER SCIENCE INC.

    Inventor： XU, Kui ,  HOCKEY, Mary Ann ,  GUERRERO, Douglas

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/0331 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08F212/08 ,  C08F212/32 ,  C08F293/005 ,  C08F2438/03 ,  C08L33/12 ,  C09D125/08 ,  C09D125/14 ,  C09D125/16 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

    Abstract: Compositions for directed self-assembly (DSA) patterning techniques are provided. Methods for directed self-assembly are also provided in which a DSA composition comprising a block copolymer is applied to a substrate and then self-assembled to form the desired pattern. The block copolymer includes at least two blocks of differing etch rates, so that one block (e.g., polymethylmethacrylate) is selectively removed during etching. Because the slower etching block (e.g., polystyrene) is modified with an additive to further slow the etch rate of that block, more of the slow etching block remains behind to fully transfer the pattern to underlying layers.

    Abstract translation: 提供了用于定向自组装（DSA）图案化技术的组合。 还提供了用于定向自组装的方法，其中将包含嵌段共聚物的DSA组合物施加到基材上，然后自组装形成所需图案。 嵌段共聚物包括至少两个不同蚀刻速率的嵌段，使得在蚀刻期间选择性地除去一个嵌段（例如聚甲基丙烯酸甲酯）。 因为较慢的蚀刻块（例如聚苯乙烯）用添加剂进行修饰以进一步减缓该块的蚀刻速率，所以较慢的蚀刻块保留在后面以将图案完全转移到下面的层。

    METHODS FOR PROVIDING SPACED LITHOGRAPHY FEATURES ON A SUBSTRATE BY SELF-ASSEMBLY OF BLOCK COPOLYMERS
    272.
    发明申请
    METHODS FOR PROVIDING SPACED LITHOGRAPHY FEATURES ON A SUBSTRATE BY SELF-ASSEMBLY OF BLOCK COPOLYMERS 审中-公开
    通过块状共聚物自组装提供基板上的间距平面特征的方法

    公开(公告)号：WO2014139795A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：PCT/EP2014/053694

    申请日：2014-02-26

    Applicant: ASML NETHERLANDS B.V.

    Inventor： FINDERS, Jozef ,  WUISTER, Sander ,  VAN DER HEIJDEN, Eddy ,  BOOTS, Henri

    IPC: B81C1/00 ,  G03F7/20

    CPC classification number: H01L21/76816 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133

    Abstract: A method of forming a plurality of regularly spaced lithography features, e.g. contact holes, including: providing a trench on a substrate, the trench having opposing side-walls and a base, with the side-walls having a width therebetween, wherein the trench is formed by photolithography including exposing the substrate using off-axis illumination whereby a modulation is provided to the side-walls of the trench; providing a self-assemblable block copolymer having first and second blocks in the trench; causing the self-assemblable block copolymer to self-assemble into an ordered layer in the trench, the layer having first domains of the first block and second domains of the second block; and selectively removing the first domain to form at least one regularly spaced row of lithography features having the second domain along the trench.

    Abstract translation: 一种形成多个规则间隔的光刻特征的方法，例如。 接触孔，包括：在衬底上提供沟槽，所述沟槽具有相对的侧壁和底座，其中所述侧壁之间具有宽度，其中所述沟槽通过光刻形成，包括使用离轴照明曝光所述衬底，由此 向沟槽的侧壁提供调制; 提供在沟槽中具有第一和第二嵌段的自组装嵌段共聚物; 使自组装嵌段共聚物自组装成沟槽中的有序层，该层具有第一嵌段的第一区域和第二嵌段的第二区域; 以及选择性地移除所述第一区域以形成沿着所述沟槽具有所述第二结构域的至少一个规则间隔的光刻特征行。

    실리콘 옥사이드의 나노 패턴 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체
    273.
    发明申请
    실리콘 옥사이드의 나노 패턴 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체 审中-公开
    用于形成硅氧烷纳米材料的方法，用于形成金属纳米材料的方法和使用其的信息存储的磁记录介质

    公开(公告)号：WO2014038869A1

    公开(公告)日：2014-03-13

    申请号：PCT/KR2013/008027

    申请日：2013-09-05

    Applicant: 주식회사 엘지화학 ,  한양대학교 산학협력단

    Inventor： 한양규 ,  이제권 ,  이현진 ,  김노마 ,  윤성수 ,  신은지 ,  정연식

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G11B5/855 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F220/18 ,  C08F220/56 ,  C08F2438/03 ,  G03F7/0002 ,  G11B5/746 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/851 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

    Abstract: 본 발명은 나노 닷 또는 나노 홀 형태의 나노 패턴을 용이하게 형성할 수 있고, 이를 이용해 형성된 금속 나노 패턴 등을 차세대 정보저장용 자기 기록 매체 등에 적절히 적용 가능하게 하는 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법과, 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체에 관한 것이다. 상기 실리콘 옥사이드 나노 패턴의 형성 방법은 기재 상의 실리콘 옥사이드 상에, 소정의 하드세그먼트와, (메타)아크릴레이트계 반복단위를 포함한 소프트세그먼트를 포함하는 블록공중합체의 박막을 형성하는 단계; 박막을 배향시키는 단계; 블록공중합체의 박막에서 소프트세그먼트를 선택적으로 제거하는 단계; 및 소프트세그먼트가 제거된 블록공중합체 박막을 마스크로, 실리콘 옥사이드를 반응성 이온 식각하여 실리콘 옥사이드의 나노 닷 또는 나노 홀 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及形成氧化硅纳米图案的方法，用于形成金属纳米图案的方法和使用该方法的信息存储用磁记录介质，其可以容易地形成纳米点或纳米孔型纳米图案，并且能够使金属纳米图案 或类似物形成的，用于下一代磁记录介质等中用于信息存储的纳米图案。 形成氧化硅纳米图案的方法包括：在基板上的氧化硅上形成包含预定硬链段和具有（甲基）丙烯酸酯基重复单元的软链段的嵌段共聚物的薄膜的步骤; 对准薄膜的步骤; 从嵌段共聚物的薄膜中选择性地除去软链段的步骤; 并且通过使用去除了软链段的嵌段共聚物的薄膜作为掩模，通过对氧化硅进行反应离子蚀刻来形成氧化硅的纳米点或纳米孔图案的步骤。

    基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
    274.
    发明申请
    基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム 审中-公开
    基板处理方法，计算机存储介质和基板处理系统

    公开(公告)号：WO2014038420A1

    公开(公告)日：2014-03-13

    申请号：PCT/JP2013/072704

    申请日：2013-08-26

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社

    Inventor： 村松　誠 ,  北野　高広 ,  冨田　忠利 ,  田内　啓士

    IPC: H01L21/027 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/312

    CPC classification number: H01L21/0337 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/67178

    Abstract: 　本発明は、第１のポリマーと第２のポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、第１のポリマーと第２のポリマーに対して中間の親和性を有する中性層を基板上に形成し、中性層上にレジストパターンが形成された基板に対して、レジストパターンから露出した中性層の露出面を表面処理し、その後にレジストパターンが除去された基板に対して、ブロック共重合体を中性層上に塗布し、中性層上のブロック共重合体を第１のポリマーと第２のポリマーに相分離させる。

    Abstract translation: 本发明是使用包含第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物来处理基材的方法，其中：在基材上形成相对于第一聚合物和第二聚合物具有中等亲和力的中性层; 相对于基板，在中性层上形成抗蚀剂层，从抗蚀剂层露出的中性层的露出面被表面处理; 此后，相对于基板，抗蚀剂图案已被去除，嵌段共聚物涂覆在中性层上; 并且中性层上的嵌段共聚物被相分离成第一聚合物和第二聚合物。

    PROCESSABLE SELF-ORGANIZING NANOPARTICLES
    275.
    发明申请
    PROCESSABLE SELF-ORGANIZING NANOPARTICLES 审中-公开
    可处理的自组装纳米粒子

    公开(公告)号：WO2013158183A3

    公开(公告)日：2013-12-12

    申请号：PCT/US2013023421

    申请日：2013-01-28

    Applicant: UNIV CARNEGIE MELLON ,  MATYJASZEWSKI KRZYSZTOF ,  BOCKSTALLER MICHAEL

    Inventor： MATYJASZEWSKI KRZYSZTOF ,  BOCKSTALLER MICHAEL

    IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

    CPC classification number: C08J3/02 ,  B81B2207/056 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  C08G83/003 ,  C08J3/005 ,  C08J2325/06 ,  C08J2333/12 ,  C08L25/06 ,  C08L33/12 ,  C08L101/005 ,  C08L2205/025

    Abstract: A method of forming a composition includes adding together a plurality of particle brush systems wherein each of the particle brush systems includes a particle and a polymer brush including a plurality of polymer chains attached to the particle. The plurality of polymer chains of the polymer brush exhibit two chain conformations as the degree of polymerization of the polymer chains increases so that the polymer brush includes a concentrated polymer brush region with stretched polymer chains and a semi-dilute polymer brush region with relaxed chains that is radially outside of the concentrated polymer brush region. The degree of polymerization of the polymer brush is no less than 10% less than a critical degree of polymerization and no more than 20% greater than the critical degree of polymerization. The critical degree of polymerization is defined as the degree of polymerization required to achieve a transition from the concentrated polymer brush region to the semi-dilute polymer brush region.

    Abstract translation: 形成组合物的方法包括将多个颗粒刷系统相加在一起，其中每个颗粒刷系统包括颗粒和聚合物刷，其包括附着到颗粒上的多个聚合物链。 当聚合物链的聚合度增加时，聚合物刷的多个聚合物链表现出两个链构象，使得聚合物刷包括具有拉伸聚合物链的浓缩聚合物刷区域和具有松弛链的半稀释聚合物刷区域 位于浓缩聚合物刷区域的径向外侧。 聚合物刷的聚合度不低于临界聚合度的10％且不低于临界聚合度的20％以上。 临界聚合度定义为实现从浓缩聚合物刷区域到半稀释聚合物刷涂区域的转变所需的聚合度。

    パターン形成方法
    279.
    发明申请
    パターン形成方法 审中-公开
    模式形成过程

    公开(公告)号：WO2011036816A1

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：PCT/JP2009/066828

    申请日：2009-09-28

    Applicant: 株式会社 東芝 ,  服部 繁樹 ,  北川 良太 ,  浅川 鋼児

    Inventor： 服部　繁樹 ,  北川　良太 ,  浅川　鋼児

    IPC: B05D7/24 ,  B05D5/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: G03F7/165 ,  B05D1/185 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/306

    Abstract: 　基板上に単分子膜を形成し、前記単分子膜をエネルギー線で選択的に露光し、露光部を選択的に改質して露光部および未露光部のパターンを形成し、前記単分子膜上に第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマー層を形成し、前記ブロックコポリマー層をミクロ相分離させ、前記単分子膜の露光部および未露光部のパターンに基づいてブロックコポリマー層の第１および第２のブロック鎖のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。

    Abstract translation: 特征在于在基板上形成单分子膜的图案形成方法，选择性地将单分子膜暴露于光化辐射以选择性地改变曝光部分，从而形成由曝光部分和未曝光部分构成的图案，形成包含第一和/ 在所得单分子膜上的第二嵌段链，然后根据由曝光和未曝光部分构成的图案，使嵌段共聚物层进行微相分离以形成由嵌段共聚物层的第一和第二嵌段链构成的图案 单分子膜。

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