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    light source
    271.
    发明专利
    light source 审中-公开
    光源

    公开(公告)号：JP2006278319A

    公开(公告)日：2006-10-12

    申请号：JP2006048160

    申请日：2006-02-24

    Applicant: Ngk Insulators Ltd ,  日本碍子株式会社

    Inventor： OWADA IWAO ,  SHIMOKAWA NATSUKI ,  KAMECHI TETSUJI ,  GOTO NAOKI ,  YOMO ISAO

    IPC: H01J63/06 ,  H01J61/30

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J1/32 ,  H01J63/06 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/00

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve high luminance light emission by improving used ratio of phosphor light emission based on electron emission from an electron emitter in a light source using the electron emitter. SOLUTION: A light source 10A has a transparent substrate 40, a fixed substrate 82 disposed in facing relation to the transparent substrate 40, a plurality of electron emitters 12 disposed on a main surface side of the fixed substrate 82. An optical reflection film 120 is formed on a part on a main surface of the fixed substrate 82 on which the electron emitters 12 are not formed. Anode electrodes 124 by transparent electrodes 122 are formed over a whole surface of a back surface of the transparent substrate 40. Phosphor 126 is formed in a position facing the electron emitters 12 among the anode electrodes 124. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：通过使用电子发射器，通过改善基于来自电子发射体的电子发射的磷光体发光的使用比来实现高亮度发光。 解决方案：光源10A具有透明基板40，与透明基板40相对设置的固定基板82，设置在固定基板82的主表面侧上的多个电子发射器12.光反射 膜120形成在固定基板82的未形成电子发射体12的主表面的一部分上。 阳极电极124由透明电极122形成在透明基板40的背面的整个表面上。荧光体126形成在阳极电极124中面向电子发射体12的位置。（C）2007 ，JPO＆INPIT

    Dielectric composition and dielectric film element
    272.
    发明专利
    Dielectric composition and dielectric film element 有权
    电介质组合物和电介质膜元件

    公开(公告)号：JP2006089366A

    公开(公告)日：2006-04-06

    申请号：JP2005208366

    申请日：2005-07-19

    Applicant: Ngk Insulators Ltd ,  日本碍子株式会社

    Inventor： YAMAGUCHI HIROFUMI ,  SATO KEI ,  KASHIWAYA TOSHIKATSU

    IPC: C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01J1/312

    CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  C04B35/493 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3298 ,  H01J2201/306 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/00

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric composition capable of improving the deterioration of the amount of emitted electrons with time elapsing of an electron emitting element. SOLUTION: The dielectric composition is composed of a PMN-PZ-PT ternary solid solution composition represented by Pb x Bi p (Mg y/3 Nb 2/3 ) a Ti b-z M z Zr c O 3 as a major component and contains Ni equivalent to NiO content of 0.05-2.0 wt.%. In the formula, x is 0.95≤x≤1.05, p is 0.02≤p≤0.1, and y is 0.8≤y≤1.0; (a, b, c) are decimals within a range surrounded by 5 points, i.e. (0.550, 0.425, 0.025), (0.550, 0.150, 0.300), (0.100, 0.150, 0.750), (0.100, 0.525, 0.375), and (0.375, 0.425, 0.200); z is 0.02≤z≤0.10; and M is at least one kind selected from Nb, Ta, Mo, and W. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够随着电子发射元件随时间流逝而改善发射电子量的劣化的电介质组合物。 解决方案：电介质组合物由以下组成：PMN-PZ-PT三元固溶体组合物，其由Pb（SB）yS / / SB>铌 2/3 ）一钛 BZ 中号ž锆 C O 3 为主要成分，Ni含量相当于0.05〜2.0重量％。 在该式中，x为0.95≤x≤1.05，p为0.02≤p≤0.1，y为0.8≤y≤1.0。 （0.550,0.425,0.025），（0.550,0.150,0.300），（0.100,0.150,0.7050），（0.100,0.525,0.375），（0.100,0.525,0.7075）， 和（0.375,0.425,0.200）; z为0.02≤z≤0.10; 并且M是选自Nb，Ta，Mo和W中的至少一种。权利要求：（C）2006，JPO＆NCIPI

    Display substrate
    273.
    发明专利
    Display substrate 审中-公开
    显示基板

    公开(公告)号：JP2006065172A

    公开(公告)日：2006-03-09

    申请号：JP2004249864

    申请日：2004-08-30

    Applicant: Hitachi Ltd ,  株式会社日立製作所

    Inventor： TAMURA TAKUO ,  KIKUCHI HIROSHI ,  SANO YASUSHI ,  SAGAWA MASAKAZU ,  MIKAMI YOSHIAKI

    IPC: G09F9/00 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

    CPC classification number: H01J9/50 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/3125 ,  H01L27/1214 ,  Y02W30/828

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for preventing pixels which are not displayed from appearing in a linear form. SOLUTION: The method for correcting a display substrate of an electric field emission type display device includes an electronic source having a structure laminated with an electrode 11 on a signal line side, an insulation layer (electron acceleration layer) 12, and an electrode 13 of a scanning line side in this order. Relating to the electronic source in which the electrode 13 on the scanning line side and the electrode 11 on the signal line side are shorted by a defect 16 in this case, the conduction of the electrode 13 on the scanning line side and the electrode 11 on the signal line side is cut off. More specifically, the electrode 13 on the scanning line side around (80) the defect portion 16 is excised by a laser beam. The intrinsically normal display element is normally actuated to suppress the occurrence of the linear pixel defect by isolating the display element having the defect. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于防止未显示的像素以线性形式出现的方法。 解决方案：电场发射型显示装置的显示基板的校正方法包括：电子源，其具有层叠有信号线侧的电极11，绝缘层（电子加速层）12和 扫描线侧的电极13。 在这种情况下，与扫描线侧的电极13和信号线侧的电极11的缺陷16相比，电子源的扫描线侧的电极13和电极11的导通 信号线侧被切断。 更具体地，在扫描线侧（80）处的缺陷部16的电极13被激光束切除。 本质正常的显示元件通常被致动以通过隔离具有缺陷的显示元件来抑制线性像素缺陷的发生。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

    電場放射型電子源
    279.
    发明专利
    電場放射型電子源 失效
    电场放射型电子源

    公开(公告)号：TW436836B

    公开(公告)日：2001-05-28

    申请号：TW088116433

    申请日：1999-09-23

    Applicant: 松下電工股份有限公司

    Inventor： 菰田卓哉 ,  櫟原勉 ,  相澤浩一 ,  越田信義

    IPC: H01J ,  H01L

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/3125 ,  Y10S977/939

    Abstract: 本發明係關於利用半導體材料，藉由電場放射以放射電子源之不需要加熱之電場放射型電子源及其製造方法，特別是關於可以應用於平面型光源、平面顯示器元件、固體真空裝置等之電場放射型電子源及其製造方法者。其目的在於提供:可以安定、高效率地放射電子之低成本之電場放射型電子源及其製造方法。其解決手段為:在n型矽基板l、101之主表面側形成強電場漂移部6、106，在強電場漂移部6、106上形成由金屬膜形成之表面電極7、107。又，在n型矽基板l、101之裏面形成歐姆電極2、102。在此電場放射型電子源ll、 l10中，在真空中配置表面電極7、107，藉由使表面電極7、107對於歐姆電極2、102當成正極地，施加直流電壓，由n型矽基板l、l0l被植入之電子漂移於強電場漂移部6、106，通過表面電極7、107被射出。強電場漂移部106係由:與導電性基板之n型矽基板101之厚度方向正交之剖面被網目狀地形成，上述電子漂移之漂移部161，及比被充滿於網目之中之漂移部161熱傳導性良好之散熱部162所形成。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于利用半导体材料，借由电场放射以放射电子源之不需要加热之电场放射型电子源及其制造方法，特别是关于可以应用于平面型光源、平面显示器组件、固体真空设备等之电场放射型电子源及其制造方法者。其目的在于提供:可以安定、高效率地放射电子之低成本之电场放射型电子源及其制造方法。其解决手段为:在n型硅基板l、101之主表面侧形成强电场漂移部6、106，在强电场漂移部6、106上形成由金属膜形成之表面电极7、107。又，在n型硅基板l、101之里面形成欧姆电极2、102。在此电场放射型电子源ll、 l10中，在真空中配置表面电极7、107，借由使表面电极7、107对于欧姆电极2、102当成正极地，施加直流电压，由n型硅基板l、l0l被植入之电子漂移于强电场漂移部6、106，通过表面电极7、107被射出。强电场漂移部106系由:与导电性基板之n型硅基板101之厚度方向正交之剖面被网目状地形成，上述电子漂移之漂移部161，及比被充满于网目之中之漂移部161热传导性良好之散热部162所形成。

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