公开(公告)号：CN1378700A

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN00814092.8

申请日：2000-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 秋山浩二 ,  白鳥哲也 ,  黑川英雄 ,  川瀨透

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12 ,  H01J61/067

CPC classification number: H01J63/06 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/939

Abstract: 目的在于提供可以以低动作电压得到大的动作电流,且电子发射特性稳定的电子发射器件、利用该器件的电子源、图象显示装置和可以用少的工序低价制作上述的电子发射器件的制造方法。为了实现该目的,用由用来向空间内发射电子的第1粒子和处于上述第1粒子的附近且限制上述第1粒子的姿势的第2粒子构成的混成粒子构成冷阴极构件。在该构成中,优选的是电子发射效率第1粒子比第2粒子高,第2粒子是具有导电性的粒子。

公开(公告)号：CN1359352A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN00805107.0

申请日：2000-10-27

Applicant: 威廉马歇莱思大学

Inventor： R·E·斯莫利 ,  D·T·科尔伯特 ,  K·A·史密斯 ,  D·A·沃尔特斯 ,  M·J·卡萨万特 ,  C·B·霍夫曼 ,  B·I·雅各布松 ,  R·H·海于格 ,  R·K·塞尼 ,  江琬婷 ,  秦小川

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/08 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明涉及产生内含经排列的毫微管段的宏观材料和物体。本发明需要排列悬浮在流体介质中的单壁碳质毫微管(SWNT)段,然后从悬浮体中沉积出这些排列的管段,形成SWNT的宏观有序集合体。本发明还涉及通过改变毫微管的环境和该过程之前和期间的环境史,来控制毫微管段自集合成有序结构体的自然倾向。称这些材料和物体是“宏观的”,是因为它们足够大到不借助显微镜就能看到,即具有这些物体的尺寸。这些宏观有序的SWNT材料和物体具有显著的SWNT在微观水平上所显示的物理、电学和化学性能,因为这些宏观材料和物体由毫微管组成,而各根毫微管沿相同方向排列且与距其最近的那些根毫微管接触。SWNT的有序集合体还可用作模板,用于生长更多更大的有序集合体。有序集合体还可用作后加工处理的基础,所述后加工处理能从内部改变集合体,从而明显地增强材料的所选性能,如剪切强度、拉伸强度、压缩强度、韧性、导电性和导热性。

公开(公告)号：CN1349239A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN01142775.2

申请日：2001-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 塚本健夫

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 电子发射设备,其中特定电容和驱动电压减小,并且通过控制发射电子的轨道,能够得到更精细的电子束。电子发射部件的电子发射部分,定位在栅极高度与阳极高度之间。当栅极与阴极之间的距离为d;驱动设备的电势差为V1;阳极与基底之间的距离为H;并且阳极与阴极之间的电势差为V2时,那么驱动过程中的电场E1=V1/d构成在E2=V2/H的1到50倍的范围内。

公开(公告)号：CN1320943A

公开(公告)日：2001-11-07

申请号：CN01111250.6

申请日：2001-03-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔原鳳 ,  尹敏在 ,  陈勇完

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10S977/952

Abstract: 用碳纳米管作为电子发射源的场致发射阵列和制造方法。包括形成背板组件,背板组件包括形成在背板上的条形阴极和碳纳米管。前板组件包括在前板上形成条形阳极,和在阳极上淀积荧光体;通过在非导电板中形成对应于阳极且彼此分开预定距离的多个开口,和在非导电板上形成条形栅极,所述栅极与阳极条垂直且具有对应于多个开口的多个发射开口;通过隔板支撑具有栅极的非导电板并按预定的距离使它和背板隔开。背板组件和前板组件,使阴极上的碳纳米管按距栅极的预定距离经过发射开口突出。

公开(公告)号：CN1270920A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：CN00106211.5

申请日：2000-04-21

Applicant: 张震 ,  株式会社日进那诺泰克

Inventor： 张震 ,  郑皙在

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/17 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/888

Abstract: 本发明涉及一种容易通过高密度等离子体形成经纯制的碳毫微管的方法,由该碳毫微管中已除去石墨相或碳颗粒。以1011cm－3或更高的等离子体密度使用等离子体化学气相沉积法在基底上生长碳毫微管层。碳毫微管的形成方法包括:通过等离子体沉积在基底上生长碳毫微管层直至预定的厚度;通过等离子体蚀刻纯制碳毫微管;以及重复碳毫微管的生长和纯制。在等离子体蚀刻时,使用包含卤素的气体作为源气体,例如四氟化碳气体。

公开(公告)号：CN108172488A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711434481.7

申请日：2017-12-26

Applicant: 深圳先进技术研究院

Inventor： 洪序达 ,  梁栋 ,  石伟

IPC: H01J29/04 ,  H01J35/06 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J35/065 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2209/0223 ,  H01J2235/062

Abstract: 本发明涉及场发射技术领域，提供一种碳纳米场发射阴极及其制造方法和应用，所述碳纳米场发射阴极，包括基板、水平涂覆于所述基板上的石墨烯层以及位于所述石墨烯层上的碳纳米管阵列，所述碳纳米管阵列中各碳纳米管的根部与所述石墨烯层共价连接。本发明中，各碳纳米管的根部与石墨烯层共价连接，界面电阻极低，使得该碳纳米结构具有优异的导电性，从而明显降低阴极的开启电场，在场发射过程中产生的热量小，使得阴极可以在更高的电流下稳定发射，大大提高了阴极的工作电流；而且，这种三维共价结构具有优异的热导性，提高了阴极的发射稳定性。

公开(公告)号：CN105448624B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201410327704.X

申请日：2014-07-10

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 杜秉初 ,  柳鹏 ,  周段亮 ,  张春海 ,  范守善

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J3/021 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2203/0268 ,  H01J2203/0272 ,  H01J2203/028 ,  H01J2203/0284 ,  H01J2203/0288 ,  Y10S977/742

Abstract: 一种场发射阴极的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一微通道板，该微通道板具有多个开孔；提供一碳纳米管浆料，将所述碳纳米管浆料填充于所述微通道板的多个开孔内，部分碳纳米管浆料粘附于所述微通道板的开孔内壁；加热填充碳纳米管浆料的微通道板，使得所述碳纳米管浆料中的有机载体挥发，得到一场发射阴极。

公开(公告)号：CN104795295B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201410024419.0

申请日：2014-01-20

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  李德杰 ,  张春海 ,  周段亮 ,  杜秉初 ,  范守善

IPC: H01J17/06 ,  H01J17/49

CPC classification number: H01J1/308 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/30461 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0449 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0478 ,  H01J2329/0484 ,  Y10S977/939

Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，其包括：依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射源还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层。

公开(公告)号：CN103903938B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201210587689.3

申请日：2012-12-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  范守善

IPC: H01J29/04

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H05B41/14

Abstract: 一种场发射阴极装置，其包括：一绝缘基底；一阴极电极设置于所述绝缘基底的表面；一第一绝缘隔离层设置于所述阴极电极的表面或绝缘基底的表面，该第一绝缘隔离层定义一第一开口；一电子发射层设置于所述阴极电极通过第一开口暴露的表面，且与该阴极电极电连接；一第一栅极设置于所述第一绝缘隔离层表面；一第二绝缘隔离层设置于所述第一栅极表面，且所述第二绝缘隔离层定义一第二开口，以使阴极电极的至少部分表面通过该第二开口暴露；一第二栅网设置于所述第二绝缘隔离层表面，且所述第二栅网从第二绝缘隔离层的表面延伸至电子发射层上方，以将第二开口覆盖。本发明还涉及所述场发射阴极装置的驱动方法。

公开(公告)号：CN105403538A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410434471.3

申请日：2014-08-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 武文贇 ,  岳菁颖 ,  林晓阳 ,  赵清宇 ,  姜开利 ,  范守善

IPC: G01N21/49

CPC classification number: G01N21/65 ,  G01J3/44 ,  G01N21/21 ,  G01N21/6458 ,  G01N2021/4792 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种原位测量碳纳米管手性的方法，包括以下步骤：S1提供待测碳纳米管；S2提供一棱镜，所述棱镜具有一棱镜第一表面与一棱镜第二表面，两个表面之间夹角小于90°，所述碳纳米管设置于棱镜第二表面；S3一束具有连续光谱的白色入射光由棱镜第一表面入射后射向所述碳纳米管，所述碳纳米管在该入射光的照射下发生共振瑞利散射；S4利用光学显微镜观测该碳纳米管，所述光学显微镜所配备的物镜为油镜或水镜中的一种，观测时该碳纳米管与所述物镜通过一耦合液耦合。S5获取所述待测碳纳米管的共振瑞利散射光谱，根据该共振瑞利散射光谱信息获得待测碳纳米管的手性指数。本发明还涉及一种利用该方法观测碳纳米管手性的装置。