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公开(公告)号:TW201349294A
公开(公告)日:2013-12-01
申请号:TW102106111
申请日:2013-02-22
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor: 金子和史 , KANEKO, KAZUSHI , 船崎一憲 , FUNAZAKI, KAZUNORI , 加藤秀生 , KATO, HIDEO
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/32 , H01Q13/22 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32311 , C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32302 , H01J37/3405 , H01J37/3444 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01Q21/064 , H01Q21/20 , H05H1/46 , H05H2001/4622 , H05H2001/4682
Abstract: 本發明之電漿處理裝置包含:處理容器,係於其內部以電漿進行處理;以及電漿產生機構,係包含配置於處理容器外以產生高頻的微波產生器,使用微波產生器所產生之高頻而於處理容器內產生電漿。於此,微波產生器包含產生高頻之磁控管;以及,作為輸入機構的分歧電路,係將頻率與磁控管所產生之基本頻率相同且減少相異頻率成分的訊號輸入磁控管。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之等离子处理设备包含:处理容器,系于其内部以等离子进行处理;以及等离子产生机构,系包含配置于处理容器外以产生高频的微波产生器,使用微波产生器所产生之高频而于处理容器内产生等离子。于此,微波产生器包含产生高频之磁控管;以及,作为输入机构的分歧电路,系将频率与磁控管所产生之基本频率相同且减少相异频率成分的信号输入磁控管。
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公开(公告)号:TW201344741A
公开(公告)日:2013-11-01
申请号:TW102101628
申请日:2013-01-16
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor: 池田太郎 , IKEDA, TARO , 宮下大幸 , MIYASHITA, HIROYUKI , 長田勇輝 , OSADA, YUKI , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA , 小松智仁 , KOMATSU, TOMOHITO
CPC classification number: H01J37/32266 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/4615 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
Abstract: [課題]提供可以提升增加輸入電力之時的電漿密度(電子密度)增加率的微波放射機構。[解決手段]微波放射機構(43)具有傳送微波的微波傳送路(44),和對腔室(1)內放射在微波傳送路(44)被傳送之微波的天線部(45),天線部(45)具有形成有放射微波之縫槽(131)的天線(81),和使從天線(81)被放射之微波透過,在其表面形成表面波的介電體構件(110b),並且具有包含縫槽(131)內壁及介電體構件(110b)之表面及內部的流動表面電流及位移電流之閉路(C),閉路(C)之長度係於將微波之波長設為λ0之時,成為nλ0±δ(n為正的整數,δ為微調整成分(包含0))。
Abstract in simplified Chinese: [课题]提供可以提升增加输入电力之时的等离子密度(电子密度)增加率的微波放射机构。[解决手段]微波放射机构(43)具有发送微波的微波发送路(44),和对腔室(1)内放射在微波发送路(44)被发送之微波的天线部(45),天线部(45)具有形成有放射微波之缝槽(131)的天线(81),和使从天线(81)被放射之微波透过,在其表面形成表面波的介电体构件(110b),并且具有包含缝槽(131)内壁及介电体构件(110b)之表面及内部的流动表面电流及位移电流之闭路(C),闭路(C)之长度系于将微波之波长设为λ0之时,成为nλ0±δ(n为正的整数,δ为微调整成分(包含0))。
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公开(公告)号:TW200416295A
公开(公告)日:2004-09-01
申请号:TW092128060
申请日:2003-10-09
Applicant: 東洋製罐股份有限公司 TOYO SEIKAN KAISHA, LTD.
Inventor: 並木恒久 NAMIKI, TSUNEHISA , 家木敏秀 IEKI, TOSHIHIDE , 倉島秀夫 KURASHIMA, HIDEO , 稻垣肇 INAGAKI, HAJIME , 小林亮 KOBAYASHI, AKIRA , 山田幸司 YAMADA, KOJI
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/40 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32311
Abstract: 本發明之利用電漿CVD法來形成金屬氧化膜之方法,係藉由低輸出區域之輝光放電,進行以有機金屬為主體之反應後,藉由高輸出區域之輝光放電,進行有機金屬與氧化性氣體之反應,藉此,在塑膠基體表面,透過有機性層形成金屬氧化膜。依此方法,可在塑膠等基體之表面,利用電漿CVD法形成密合性及柔軟性、可撓性優異之薄膜。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之利用等离子CVD法来形成金属氧化膜之方法,系借由低输出区域之辉光放电,进行以有机金属为主体之反应后,借由高输出区域之辉光放电,进行有机金属与氧化性气体之反应,借此,在塑胶基体表面,透过有机性层形成金属氧化膜。依此方法,可在塑胶等基体之表面,利用等离子CVD法形成密合性及柔软性、可挠性优异之薄膜。
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公开(公告)号:TW201613421A
公开(公告)日:2016-04-01
申请号:TW104120032
申请日:2015-06-22
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor: 久保田紳治 , KUBOTA, SHINJI , 市川裕介 , ICHIKAWA, YUUSUKE
IPC: H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01J37/32201 , H01J37/32311 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J2237/332 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 本發明之電漿處理裝置具備處理容器、載置台、氣體供給機構、電漿產生機構、及調整部。載置台設置於處理容器之內部,供載置被處理體。氣體供給機構向處理容器之內部供給用於電漿反應之處理氣體。電漿產生機構包含微波振盪器,且使用藉由該微波振盪器而振盪之微波,將被供給至處理容器之內部之處理氣體電漿化。調整部於執行用以對被處理體進行電漿處理之複數個步驟之各者之情形時,於切換複數個步驟之各者之時序,將藉由微波振盪器而振盪之微波之頻率調整為針對每一步驟預先決定之目標頻率。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之等离子处理设备具备处理容器、载置台、气体供给机构、等离子产生机构、及调整部。载置台设置于处理容器之内部,供载置被处理体。气体供给机构向处理容器之内部供给用于等离子反应之处理气体。等离子产生机构包含微波振荡器,且使用借由该微波振荡器而振荡之微波,将被供给至处理容器之内部之处理气体等离子化。调整部于运行用以对被处理体进行等离子处理之复数个步骤之各者之情形时,于切换复数个步骤之各者之时序,将借由微波振荡器而振荡之微波之频率调整为针对每一步骤预先决定之目标频率。
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公开(公告)号:TW201339352A
公开(公告)日:2013-10-01
申请号:TW102103994
申请日:2013-02-01
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor: 塩澤俊彦 , SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 宮原準 , MIYAHARA, JUNYA , 藤野豊 , FUJINO, YUTAKA
CPC classification number: H01L21/02164 , H01J37/32201 , H01J37/32238 , H01J37/32266 , H01J37/32311 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 於處理容器內導入複數微波,使用產生電漿之方式的電漿處理裝置,將複數微波功率合計設為晶圓W之每單位面積1W/cm2以下來產生電漿。例如,電漿氧化處理係使用電漿生成用之稀有氣體與含氧氣體,將處理溫度設為100℃以下,由開始供給微波後30秒間的平均氧化率設為0.03nm/秒以下。藉由複數微波點燃電漿時不進行阻抗匹配,藉由電漿處理晶圓W時進行阻抗匹配為較佳。
Abstract in simplified Chinese: 于处理容器内导入复数微波,使用产生等离子之方式的等离子处理设备,将复数微波功率合计设为晶圆W之每单位面积1W/cm2以下来产生等离子。例如,等离子氧化处理系使用等离子生成用之稀有气体与含氧气体,将处理温度设为100℃以下,由开始供给微波后30秒间的平均氧化率设为0.03nm/秒以下。借由复数微波点燃等离子时不进行阻抗匹配,借由等离子处理晶圆W时进行阻抗匹配为较佳。
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公开(公告)号:TW201331408A
公开(公告)日:2013-08-01
申请号:TW101136552
申请日:2012-10-03
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor: 石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA , 森田治 , MORITA, OSAMU
IPC: C23C16/455 , C23C16/511 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32201 , C23C16/45563 , C23C16/511 , H01J37/321 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32495 , H05H2001/463
Abstract: 本發明旨在提供一種電漿處理裝置,在使電漿產生用電磁波透射過並導入腔室內之介電體窗中設置氣體流路時,可確實防止於其氣體流路入口附近異常放電。此微波電漿處理裝置作為用來將處理氣體導入腔室10內之氣體導入機構,包含分別設於穿通介電體窗52之複數介電體窗氣體流路94(1)~94(8)之放電防止構件96(1)~96(8)。各放電防止構件96(n)其入口側部分114自介電體窗52背面朝上方恰突出既定距離H以上之高度h,通過狹縫板54之開口54a插入氣體分支部90之分支氣體流路92(n)中。包圍各放電防止構件96(n)突出部114周圍之氣體分支部90、彈簧線圈116及狹縫板54構成包圍導體118。
Abstract in simplified Chinese: 本发明旨在提供一种等离子处理设备,在使等离子产生用电磁波透射过并导入腔室内之介电体窗中设置气体流路时,可确实防止于其气体流路入口附近异常放电。此微波等离子处理设备作为用来将处理气体导入腔室10内之气体导入机构,包含分别设于穿通介电体窗52之复数介电体窗气体流路94(1)~94(8)之放电防止构件96(1)~96(8)。各放电防止构件96(n)其入口侧部分114自介电体窗52背面朝上方恰突出既定距离H以上之高度h,通过狭缝板54之开口54a插入气体分支部90之分支气体流路92(n)中。包围各放电防止构件96(n)突出部114周围之气体分支部90、弹簧线圈116及狭缝板54构成包围导体118。
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公开(公告)号:TW201306080A
公开(公告)日:2013-02-01
申请号:TW101111097
申请日:2012-03-29
Applicant: 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
Inventor: 藤野豐 , FUJINO, YUTAKA , 植田篤 , UEDA, ATSUSHI , 尾崎成則 , OZAKI, SHIGENORI , 北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI
CPC classification number: H01J37/32201 , C23C16/511 , H01J37/32211 , H01J37/32238 , H01J37/32431 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本發明的課題是在於以簡單的構成來使電漿的分布均一化。其解決手段,電漿處理裝置(1)具備對處理容器(2)內導入微波的微波導入裝置(5)。微波導入裝置(5)包括嵌合於頂部(11)的複數個開口部的複數個微波透過板(73)。複數個微波透過板(73)是在嵌合於頂部(11)的複數個開口部的狀態下,配置於與載置台(21)的載置面(21a)平行的1個假想的平面上。複數個微波透過板(73)是包括微波透過板(73A~73G)。微波透過板(73G,73A)的中心點(PG,PA)間距離與微波透過板(73G,73B)的中心點(PG,PB)間距離是被設定成彼此相等或幾乎相等。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题是在于以简单的构成来使等离子的分布均一化。其解决手段,等离子处理设备(1)具备对处理容器(2)内导入微波的微波导入设备(5)。微波导入设备(5)包括嵌合于顶部(11)的复数个开口部的复数个微波透过板(73)。复数个微波透过板(73)是在嵌合于顶部(11)的复数个开口部的状态下,配置于与载置台(21)的载置面(21a)平行的1个假想的平面上。复数个微波透过板(73)是包括微波透过板(73A~73G)。微波透过板(73G,73A)的中心点(PG,PA)间距离与微波透过板(73G,73B)的中心点(PG,PB)间距离是被设置成彼此相等或几乎相等。
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公开(公告)号:KR101915646B1
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:KR1020137031522
申请日:2012-04-25
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H05B6/6447 , H01J37/32009 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32229 , H01J37/32266 , H01J37/32302 , H01J37/32311 , H01J37/32678 , H05B6/664 , H05B6/74
Abstract: 본발명은부하의마이크로웨이브처리설비(1)에관한것으로서, 하나이상의인가기구(30); 전자기파를가이드하는수단(5)에의하여하나이상의인가기구(30)에연결된, 마이크로웨이브영역의하나이상의고상발생기(4); 대응되는발생기(4)에의하여생성된상기전자기파의주파수(f)를조정하도록설계된하나이상의주파수조정시스템(40); 인가기구(30)에의하여반사된출력(P)을측정하도록설계된, 상기인가기구(30) 또는각각의인가기구(30)를위한측정시스템(31); 그리고각각의주파수조정시스템(40) 및각각의측정시스템(31)에연결되어, 반사출력(P) 및/또는전송출력(P)을조정하도록, 반사출력에따라전자기파의주파수(f)의조정을제어하는자동화제어수단(6)을포함한다.
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公开(公告)号:KR101902112B1
公开(公告)日:2018-09-27
申请号:KR1020170052696
申请日:2017-04-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32229 , H01J37/32247 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
Abstract: 본발명은처리가스를가스의특성에따른적절한해리상태로해리시킬수 있고, 또한처리가스의도입균일성및 소망한플라즈마균일성을양립시킬수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 플라즈마처리장치는챔버(1)와, 웨이퍼를탑재하는탑재대(11)와, 천정벽(10)을거쳐서챔버(1) 내에마이크로파를도입하는플라즈마원(2)와, 천정벽(10)으로부터제 1 가스를챔버(1) 내에도입하는제 1 가스도입부(21)와, 천정벽(10)으로탑재대(11)의사이로부터제 2 가스를챔버(1) 내에도입하는제 2 가스도입부(22)를구비한다. 제 2 가스도입부(22)는복수의가스토출구멍(116)이형성되고, 천정벽(10)과탑재대(11)의사이의소정의높이위치에위치하도록마련된링 형상부재(110)와, 천정벽(10)과링 형상부재(110)를연결하는각부(111a)를갖고, 링형상부재(110)로의제 2 가스의공급은각부(11a)를거쳐서행해진다.
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公开(公告)号:KR101854069B1
公开(公告)日:2018-05-02
申请号:KR1020167034988
申请日:2015-06-10
Applicant: 엘리먼트 씩스 테크놀로지스 리미티드
Inventor: 브랜든존로버트 , 프리엘이안 , 쿠퍼마이클앤드류 , 스카스브룩지오프리앨런 , 그린벤류린
IPC: H01J37/32 , C23C16/27 , C23C16/511 , C30B25/10 , C30B29/04
CPC classification number: H01J37/32201 , C23C16/274 , C23C16/458 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B25/205 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32247 , H01J37/32284 , H01J37/32293 , H01J37/32302 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323
Abstract: 화학적증착을통해합성다이아몬드물질을제조하기위한극초단파플라즈마반응기로서, 상기극초단파플라즈마반응기는제 1 극초단파공명모드주파수(f)를갖는제 1 극초단파공명모드를뒷받침하기위한공명강(cavity)을한정하는플라즈마챔버; 총극초단파동력(P)을갖는극초단파를발생시키고상기플라즈마챔버내로공급하기위한, 상기플라즈마챔버에연결된복수개의극초단파공급원; 공정기체를상기플라즈마챔버내로공급하고이 기체를상기플라즈마챔버로부터제거하기위한기체유동시스템; 및사용시합성다이아몬드물질이침착되어야하는기재를지지하기위한지지표면을포함하고상기플라즈마챔버내에배치되는기재홀더를 포함하고, 이때 상기복수개의극초단파공급원이상기총 극초단파동력(P)의 30% 이상을상기제 1 극초단파공명모드주파수(f)로상기플라즈마챔버에연결하도록구성되고, 상기복수개의극초단파공급원중적어도일부가고상(solid state) 극초단파공급원인, 극초단파플라즈마반응기.
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