公开(公告)号：KR20210035217A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020217004552A

申请日：2019-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하치시로 이이즈카

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

Abstract: 적재대는, 성막 대상이 된 피처리체가 배치된다. 가스 공급부는, 적재대와 대향하도록 배치되어, 소정의 온도로 제어되는 히터가 마련되고, 캐리어 가스를 공급한다. 기화부는, 적재대와 가스 공급부 사이에 배치되고, 가스 공급부로부터의 열에 의해 가열되어, 액체로 공급되는 성막 재료를 기화한다.

公开(公告)号：KR102233248B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020180034891A

申请日：2018-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카즈 후루사와

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/67017

Abstract: 웨이퍼가 선반 형상으로 보유 유지된 기판 보유 지지구를 반응 용기 내에 반입하고, 기판을 진공 분위기에서 열처리할 때에, 기판에의 파티클의 부착을 억제하는 것이다.
복수의 웨이퍼를 기판 보유 지지구인 웨이퍼 보트에 선반 형상으로 보유 지지하여 반응관(반응 용기) 내에 반입하고, 진공 분위기에서 열처리를 행할 때에, 반응 용기 내에서 웨이퍼 보트의 높이 방향으로 신장되도록 설치되며, 웨이퍼 보트를 따라서 복수의 가스 토출 구멍이 형성된 가스 노즐로부터 가스를 토출한다. 가스 토출 구멍으로부터는 가스와 함께 파티클이 토출되지만, 반응 용기의 내벽이며, 가스 노즐과 웨이퍼 보트를 통해 대향하는 영역에 띠 형상으로 신장되는 돌기부를 형성하고, 파티클을 돌기부에 충돌시켜 상하 방향 또는 횡방향으로 되튀게 한다. 이에 의해, 파티클의 웨이퍼측으로의 되튐이 억제되므로, 웨이퍼에의 파티클의 부착을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR20210033417A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020200114272A

申请日：2020-09-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노부히로 다카하시 ,  가즈히토 미야타 ,  야스오 아사다

IPC: H01L21/3213 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L21/30604 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32138 ,  H01L21/67069 ,  H01J2237/335

Abstract: [과제] 실리콘 저마늄층의 사이드 에칭을 적절히 행한다.
[해결 수단] 실리콘층과 실리콘 저마늄층이 교대로 적층된 기판의 실리콘 저마늄층을 사이드 에칭하는 방법으로서, 상기 실리콘 저마늄층의 노출 단면에의 부착물에 대해서 플라즈마화된 수소를 포함하는 가스를 공급함으로써, 상기 부착물의 표면을 개질하는 공정과, 상기 실리콘 저마늄층에 대해서 불소 함유 가스를 공급하는 것에 의해 상기 실리콘 저마늄층을 사이드 에칭하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR102232635B1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020150098539A

申请日：2015-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마사히로 후쿠다 ,  다로 야마모토

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/30

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/30 ,  G03F7/0025 ,  G03F7/3021

Abstract: 노광 후의 기판에 현상 처리를 행함에 있어서, 기판의 면 내에서의 레지스트 패턴의 선 폭의 균일성을 개선함과 함께, 장치의 대형화를 억제한다. 현상 장치(1)는 서로 이격되어 가로 방향으로 배열되는 제1 및 제2 컵 모듈(11A, 11B)과, 제1 현상액 노즐(3)을 구비한다. 제1 현상액 노즐(3)은, 토출구(31)로부터 현상액을 토출해서 웨이퍼(W)의 표면에 액 고임부(30)를 형성하고, 웨이퍼(W)의 표면보다도 작은 접촉부(32)의 이동과 웨이퍼(W)의 회전에 의해, 당해 액 고임부(30)를 웨이퍼(W)에서 넓혀나가도록 구성되어 있다. 현상액은 유동하여, 교반된 상태에서 퍼져나가므로, 현상액의 농도 균일성이 양호해져, 패턴의 선 폭의 균일성이 개선된다. 또한 2개의 컵 모듈(11A, 11B)의 사이의 대기 위치에서 제1 현상액 노즐(3)을 대기시키도록 하고 있기 때문에, 장치의 대형화가 억제된다.

公开(公告)号：KR20210032420A

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020217003893A

申请日：2019-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 알록 란잔 ,  페터 벤트젝 ,  미츠노리 오하타

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32146 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334

Abstract: 플라즈마 공정 시스템은, 진공 챔버; 제1 결합 전극; 진공 챔버에 배치된 기판 홀더; 제2 결합 전극; 및 제어기를 포함한다. 기판 홀더는 기판을 지지하도록 구성된다. 제1 결합 전극은, 진공 챔버에서 플라즈마를 발생시키기 위한 전력을 제공하도록 구성된다. 제1 결합 전극은, 소스 전력 펄스를 플라즈마에 결합하도록 추가로 구성된다. 제2 결합 전극은, 바이어스 전력 펄스를 기판에 결합하도록 구성된다. 제어기는, 소스 전력 펄스와 바이어스 전력 펄스 사이의 제1 오프셋 지속시간을 제어하도록 구성된다.

公开(公告)号：KR20210032419A

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020217003853A

申请日：2019-07-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 료우이치로우 나이토우 ,  히데노리 도스 ,  다카히로 야마구치 ,  세이이치 구레

IPC: H01L21/67 ,  B05C11/08 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05C11/08 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/70858 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68764

Abstract: 현상 처리 후의 처리 대상 기판의 중앙 부근에 결함이 많이 생기는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다. 처리 대상 기판(W)에 대해 현상 처리를 행하는 현상 처리 장치(30)이며, 처리 대상 기판(W)을 보유 지지하여 회전시키는 회전 보유 지지부(120)와, 상기 회전 보유 지지부(120)에 보유 지지된처리 대상 기판(W)에, 상기 현상 처리에 관한 미리 정해진 액을 토출하는 토출부(132)와, 상기 회전 보유 지지부(120)에 보유 지지된 처리 대상 기판(W)에 토출된 상기 미리 정해진 액에 대해, X선에 의해 이온화된 이온을 공급하고, 당해 미리 정해진 액을 제전하는 제전부(150)를 갖는다.

公开(公告)号：KR20210032301A

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020207025168A

申请日：2019-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케히로 신도

IPC: F16H25/22 ,  B25J9/02 ,  F16H7/02 ,  F16H25/20 ,  F16H37/14 ,  F16H55/36

CPC classification number: F16H25/2204 ,  B25J9/02 ,  F16H25/20 ,  F16H25/2018 ,  F16H25/22 ,  F16H37/14 ,  F16H55/36 ,  F16H7/02

Abstract: 신축 장치는, 베이스 부재와, 베이스 부재에 마련되고, 구동원으로부터 공급되는 구동력에 의해 회전하는 제 1 볼 나사와, 제 1 볼 나사를 개재하여 베이스 부재에 연결되고, 제 1 볼 나사의 회전에 수반하여, 베이스 부재에 대해 상대적으로 이동하는 제 1 가동 부재와, 제 1 가동 부재에 마련되고, 제 1 가동 부재의 이동에 수반하여, 회전하는 제 2 볼 나사와, 제 1 가동 부재에 마련된 제 3 볼 나사와, 제 2 볼 나사의 회전을 제 3 볼 나사에 전달하는 전달 기구와, 제 3 볼 나사를 개재하여 제 1 가동 부재에 연결되고, 제 3 볼 나사의 회전에 수반하여, 제 1 가동 부재에 대해 상대적으로 이동하는 제 2 가동 부재를 가진다.

公开(公告)号：KR20210031617A

公开(公告)日：2021-03-22

申请号：KR1020200114844A

申请日：2020-09-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나오키 타지마

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67775

Abstract: 처리 유닛을 복수 가지는 기판 처리 장치에 있어서, 각 처리 유닛에 공급되는 청정한 공기의 온도 및 습도의 유닛 간 차를 저감시킨다. 기판을 처리하는 처리 유닛을 복수 가지는 기판 처리 장치로서, 상기 처리 유닛에 공기를 공급하는 복수의 덕트를 가지고, 상기 덕트마다, 당해 덕트와 공기의 공급원을 연결하는 접속관을 가지고, 상기 복수의 덕트는 서로 상이한 수의 상기 처리 유닛이 접속되고, 상기 덕트 내의 공기의 유속 및 상기 접속관을 거쳐 상기 덕트에 공급되는 공기의 유속 중 적어도 어느 일방이 상기 덕트 간에서 동일하다.

公开(公告)号：KR102230509B1

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020140076274A

申请日：2014-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키토시 하라다

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32862 ,  H01J37/32091 ,  B08B9/00

Abstract: (과제) 정전 척 위에 퇴적된, 티탄을 포함하는 반응 생성물을 제거할 수 있는 클리닝 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 적어도 기판을 탑재하는 정전 척을 갖고, 상기 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서의, 상기 정전 척에 부착된 티탄을 포함하는 퇴적물을 제거하는 클리닝 방법으로서, 상기 티탄을 포함하는 퇴적물을, 환원성 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 의해 환원하는 제 1 공정과, 상기 제 1 공정에 있어서 환원된 상기 퇴적물을, 불소계 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 의해 제거하는 제 2 공정과, 상기 제 2 공정에 의해 상기 정전 척 위에 퇴적된 플루오로카본계의 퇴적물을, 산소를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 의해 제거하는 제 3 공정을 포함하는 클리닝 방법.

公开(公告)号：KR102229990B1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020160144497A

申请日：2016-11-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가즈키 모야마 ,  도요히로 가마다 ,  히로유키 이쿠타 ,  유야 미노우라

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01L21/02315 ,  C23C14/083 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/32853 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334

Abstract: 플라즈마 처리를 행하는 처리 용기 내의 플라즈마에 노출되는 각 부재의 피막으로부터 발생하는 파티클을 종래에 비해 저감시킨다. 처리 용기 내의 처리 공간에 플라즈마를 생성하여, 피처리체에 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치를 구성하는 플라즈마 처리 장치용 부재로서, 플라즈마에 노출되는 면에 보호막이 피복되고, 상기 보호막은, 막 두께 방향으로 연신되는 대략 원통 형상의 복수의 주상 부분이 서로 인접해서 간극 없이 집합된 주상 조직으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 처리 장치용 부재가 제공된다.