公开(公告)号：CN118197799A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202310594963.8

申请日：2023-05-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李佶勇 ,  姜秀智 ,  郑文成 ,  朴辰琼 ,  张昌洙 ,  郑善日 ,  黄现俊 ,  金政民

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和与所述介电层交替设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述内电极中的至少一个内电极包括Ni和含Al氧化物，并且基于Ni的Al含量大于等于3at％且小于等于5at％。

公开(公告)号：CN115394556A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211080668.2

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 张昌洙 ,  金仑熙 ,  郑雄图 ,  柳廷勳

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/30 ,  H01G4/224

Abstract: 本公开提供一种电容器及制造该电容器的方法，所述电容器包括：基板，包括彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽；第一电极，设置在第一沟槽中以及基板的一个表面上；第二电极，设置在第二沟槽中以及基板的一个表面上，并与第一电极间隔开；第一焊盘电极和第二焊盘电极，分别布置在第一电极和第二电极上；以及钝化层，设置在第一电极和第二电极以及第一焊盘电极和第二焊盘电极上，并具有分别部分地暴露第一焊盘电极和第二焊盘电极的开口。

公开(公告)号：CN115360175A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210996546.1

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 柳廷勋 ,  申铉浩 ,  文炳喆 ,  张昌洙 ,  朴泰俊 ,  金仑熙 ,  李教烈 ,  林承模

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明提供一种电容器组件。所述电容器组件包括：多孔主体、第一电极层、介电层和第二电极层，所述第一电极层覆盖所述多孔主体的孔的表面，所述介电层覆盖所述第一电极层，所述第二电极层填充所述多孔主体的所述孔并覆盖所述介电层。

公开(公告)号：CN109545778B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201811085958.X

申请日：2018-09-17

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 柳廷勋 ,  申铉浩 ,  文炳喆 ,  张昌洙 ,  朴泰俊 ,  金仑熙 ,  李教烈 ,  林承模

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明提供一种电容器组件。所述电容器组件包括：多孔主体、第一电极层、介电层和第二电极层，所述第一电极层覆盖所述多孔主体的孔的表面，所述介电层覆盖所述第一电极层，所述第二电极层填充所述多孔主体的所述孔并覆盖所述介电层。

公开(公告)号：CN112289586A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010708682.7

申请日：2020-07-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金东镇 ,  崔畅学 ,  具本锡 ,  张昌洙 ,  郑文成 ,  张殷镕 ,  金昞建

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/008

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述陶瓷主体的外表面上并且电连接到所述内电极。所述内电极中的每个包括镍‑钴合金，并且基于100at％的镍，钴的含量为0.01at％至10at％。

公开(公告)号：CN109585163B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201811092754.9

申请日：2018-09-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 申铉浩 ,  柳廷勳 ,  俞东植 ,  朴鲁逸 ,  张昌洙 ,  朴永贵

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/252 ,  H01G4/38

Abstract: 本发明提供了一种电容器及其制造方法。所述电容器包括：包括多个开口的结构，所述多个开口从所述结构的第一表面贯通到与所述第一表面相对的第二表面；电容器层，设置在所述结构的所述第二表面上和所述多个开口中并且包括介电层以及第一电极和第二电极，所述介电层介于所述第一电极与所述第二电极之间；第一连接层，设置在所述结构的所述第一表面上并且连接到所述第一电极；第二连接层，设置在位于所述第二表面上的所述电容器层上并且连接到所述结构的所述第二电极；以及第一端子和第二端子，设置在所述结构的相对的侧表面上并且分别连接到所述第一连接层和所述第二连接层。

公开(公告)号：CN109727771A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810751754.9

申请日：2018-07-10

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 梁正承 ,  韩昇勋 ,  赵成珉 ,  张昌洙

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种电容器组件及制造该电容器组件的方法，所述电容器组件包括：电介质，包括彼此面对的第一主表面和第二主表面以及将所述第一主表面和所述第二主表面连接的至少一个端表面，所述电介质通过将所述至少一个端表面定位在所述电容器组件的下表面上而竖直地设置；及第一电极和第二电极，分别设置在所述电介质的所述第一主表面和所述第二主表面上，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每者的尺寸大于所述电介质的尺寸。

公开(公告)号：CN103872097B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310182197.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 严基宙 ,  宋寅赫 ,  张昌洙 ,  朴在勋 ,  徐东秀

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体设备，该设备包括形成在有源区内的触点，从第一区延伸地形成至第一终止区中并且与所述触点交替地形成的沟槽栅，形成在所述有源区的所述触点和所述沟槽栅之间的第一导电阱，形成在所述第一终止区中和第二终止区的一部分中的第一导电阱延伸部分，以及形成在所述第二终止区内并且与所述阱延伸部分接触的第一导电场限环。

公开(公告)号：CN105322000A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510309950.7

申请日：2015-06-08

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 徐东秀 ,  金智慧 ,  张昌洙 ,  严基宙 ,  宋寅赫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66348

Abstract: 提供了一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括：第一半导体区域，具有第一导电型；多个第二半导体区域，具有第二导电型，并形成在所述第一半导体区域的上部的内部；第三半导体区域，具有第一导电型，并形成在所述第二半导体区域的上部的内部；第一沟槽，形成在所述第一半导体区域的位于所述多个第二半导体区域之间的至少一部分中，所述第一沟槽穿入到所述第一半导体区域的一部分中，所述第一沟槽包括形成在第一沟槽的表面上的绝缘膜以及填充所述第一沟槽的导电材料；栅极，形成在所述第二半导体区域上。所述栅极和所述第一沟槽彼此电连接。

公开(公告)号：CN104659087A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410337329.7

申请日：2014-07-15

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 宋寅赫 ,  朴在勋 ,  徐东秀 ,  张昌洙

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明涉及功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件可以包括：基板，包括第一导电型漂移层；第二导电型半导体基板，设置在所述基板的另一个表面上；第一导电型扩散层，设置在基板中并且杂质浓度高于漂移层的杂质浓度；第二导电型阱层，设置在所述基板的一个表面内；沟槽，从包括阱层的所述基板的一个表面形成，以便在深度方向上穿透扩散层；第一绝缘膜，设置在所述基板的表面上；以及第一电极，设置在沟槽中。扩散层在横向上的杂质掺杂浓度的峰值点位于接触沟槽侧面的区域中。