公开(公告)号：CN116997952A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280022305.5

申请日：2022-03-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤港 ,  松嵜隆德 ,  上妻宗广 ,  冈本佑树 ,  幸村雄介

IPC: G09F9/30

Abstract: 提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括第一层及位于第一层上方的第二层。第一层包括驱动电路区域。第二层包括像素阵列。像素阵列包括多个像素区域。驱动电路区域包括控制电路部及多个局部驱动器电路。多个局部驱动器电路中的一个对应于多个像素区域中的任一个。局部驱动器电路具有输出驱动所对应的像素区域中的多个像素的驱动信号的功能。控制电路部具有比较被输入的图像信号的分辨率数据与像素阵列的纵横比数据来决定进行显示的第一区域及不进行显示的第二区域，以将用来停止输出驱动信号的控制信号输出到对应于第二区域的局部驱动器电路的功能。

公开(公告)号：CN115427962A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202180028372.3

申请日：2021-04-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  上妻宗广 ,  青木健 ,  金村卓郎

IPC: G06G7/60 ,  G06G7/19 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  G06F17/10

Abstract: 提供一种布局自由度高且能够进行积和运算的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置中依次形成有第一层、第二层和第三层，第一层包括第一单元、第一电路、第一布线以及与第一布线相邻的第二布线，第二层包括第三布线以及与第三布线相邻的第四布线，第三层包括电极以及传感器。另外，第一电路包括开关。传感器通过电极及第一插头与第三布线电连接，开关的第一端子通过第二插头与第三布线电连接，开关的第二端子通过第一布线与第一单元电连接。电极具有与传感器重叠的区域以及与第一插头重叠的区域。另外，第一布线至第四布线相互平行，第三布线和第四布线的布线间距离为第一布线和第二布线的布线间距离的0.9倍以上且1.1倍以下。

公开(公告)号：CN115362551A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180025916.0

申请日：2021-03-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤港 ,  上妻宗广 ,  冈本佑树

IPC: H01L25/16 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G06N3/063 ,  G06F12/06

Abstract: 提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括多个存储电路、切换电路、第一运算电路以及第二运算电路。多个存储电路分别具有保持权重数据的功能。切换电路具有切换存储电路中的任一个与第一运算电路之间的导通状态的功能。第一运算电路将基于输入数据与在切换电路中选择的权重数据的积和运算处理的第一输出信号输出到所述第二运算电路。包括多个存储电路的层层叠地设置在包括切换电路、第一运算电路及第二运算电路的层上。

公开(公告)号：CN115298824A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180022121.4

申请日：2021-03-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本佑树 ,  大贯达也 ,  上妻宗广 ,  松嵜隆德

IPC: H01L27/088 ,  G06F15/80 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置，包括具有运算电路部及存储电路部的多个运算块。运算电路部与存储电路部电连接。运算电路部与存储电路部具有彼此重叠的区域。运算电路部例如包括Si晶体管，存储电路部例如包括OS晶体管。运算电路部具有进行积和运算的功能。存储电路部具有保持权重数据的功能。第一驱动电路具有向存储电路部写入权重数据的功能。使用第一驱动电路向包括在同一列中的所有存储电路部写入权重数据。

公开(公告)号：CN114902414A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080090207.6

申请日：2020-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大贯达也 ,  上妻宗广 ,  青木健 ,  松嵜隆德 ,  冈本佑树 ,  太田将志 ,  长塚修平 ,  国武宽司 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/786 ,  G06F9/38 ,  G06F15/78 ,  G11C11/405 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8239

Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括加速器。加速器包括第一存储电路、第二存储电路及运算电路。第一存储电路包括第一晶体管。第二存储电路包括第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管都包括在沟道形成区域中含有金属氧化物的半导体层。运算电路包括第三晶体管。第三晶体管包括在沟道形成区域中含有硅的半导体层。第一晶体管及第二晶体管设置在不同的层中。包括第一晶体管的层设置在包括第三晶体管的层上。包括第二晶体管的层设置在包括第一晶体管的层上。第一存储电路具有与第二存储电路不同的数据保持特性。

公开(公告)号：CN114868131A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202080090637.8

申请日：2020-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  上妻宗广 ,  青木健 ,  金村卓郎

IPC: G06G7/16 ,  G06G7/14 ,  G06G7/60 ,  H01L29/786 ,  G06N3/063

Abstract: 提供一种功耗低且能够进行运算的半导体装置。该半导体装置包括第一至第三电路以及第一及第二单元。第一单元包括第一晶体管，第二单元包括第二晶体管。第一及第二晶体管在亚阈值区域中工作。第一单元与第一电路电连接，第一单元与第二及第三电路电连接，第二单元与第二及第三电路电连接。第一单元将从第一电路流过第一晶体管的电流设为第一电流，第二单元将从第二电路流过第二晶体管的电流设为第二电流。此时，对应于第二电流的电位被输入到第一单元。接着，使第三电流从第三电路所包括的传感器流过来改变第二布线的电位，由此第一单元输出对应于该电位的变化量及第一电流的第四电流。

公开(公告)号：CN113826103A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202080036049.6

申请日：2020-05-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 木村肇 ,  上妻宗广

IPC: G06G7/16 ,  G06G7/184 ,  G06G7/19 ,  G06G7/60 ,  G06N3/063

Abstract: 提供一种能够以低功耗运算的半导体装置。该半导体装置包括第一、第二电路、第一放大电路、第一至第四开关以及电容，第一电路与第一布线电连接，第二电路与第二布线电连接。第一布线通过第一开关与电容的第一端子电连接，第二布线通过第三开关与电容的第一端子电连接。电容的第一端子与第二开关的第一端子电连接，电容的第二端子通过第四开关与第一放大电路电连接。在第一和第二布线的每一个中流过对应于积和运算的结果的电流，该电流分别由第一和第二电路转换为电位。被转换的电位的差分保持于电容中，该差分输入到第一放大电路并作为对应于运算结果的电位输出。

公开(公告)号：CN113631934A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202080024141.0

申请日：2020-03-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田隆之 ,  青木健 ,  上妻宗广 ,  高桥圭 ,  山崎舜平

IPC: G01R19/165 ,  H02J7/00 ,  G01R31/3835

Abstract: 提供一种功耗得到降低的半导体装置。该半导体装置使用三个晶体管切换两个节点的电位来检测电压。第一晶体管的源极和漏极中的一方与第一端子电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一方通过第一节点与比较器的非反转输入电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一方与第二端子电连接，第二晶体管的源极和漏极中的另一方通过第二节点与第三晶体管的源极和漏极中的一方电连接，第三晶体管的源极和漏极中的另一方与第三端子电连接，第一电容器设置在第一节点与第二节点间，比较器的反转输入与第四端子电连接，比较器的输出与第五端子电连接。

公开(公告)号：CN112868127A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201980068261.8

申请日：2019-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 上妻宗广 ,  池田隆之 ,  松嵜隆德 ,  高桥圭 ,  三上真弓 ,  山崎舜平

IPC: H01M10/60 ,  B60L58/24 ,  H01M10/44 ,  H01M10/48 ,  H01M10/613 ,  H01M10/615 ,  H01M10/633 ,  H01M10/637 ,  H02J7/00 ,  H02J7/10

Abstract: 通过二次电池的异常检测系统检测二次电池的异常，例如早期检测降低二次电池的安全性的现象，向使用者发出警告或者停止二次电池的使用，来确保安全性。二次电池的异常检测系统根据温度传感器所取得的温度信息检测二次电池的温度是否为能够进行正常工作的温度范围内。在二次电池的温度高时，通过二次电池的异常检测系统的控制信号驱动冷却装置。二次电池的异常检测系统至少包括存储单元，并且存储单元具有保持模拟信号的功能且包括作为半导体层使用氧化物半导体的晶体管。

公开(公告)号：CN102792678B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201180012776.X

申请日：2011-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  池田隆之 ,  上妻宗广 ,  青木健

IPC: H04N5/374 ,  G01J1/44 ,  H01L27/146

Abstract: 一种半导体装置，其包括光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、以及第三晶体管。第二晶体管和第三晶体管具有保持累积在第一晶体管的栅极中的电荷的功能。在第二晶体管和第三晶体管处于截止的期间中，将施加到第二晶体管的栅极的电压的电压电平设定为比第二晶体管的源极的电压电平和第二晶体管的漏极的电压电平低，并将施加到第三晶体管的栅极的电压的电压电平设定为比第三晶体管的源极的电压电平和第三晶体管的漏极的电压电平低。