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公开(公告)号：CN118738137A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410316931.6
申请日：2024-03-19
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供偏差少，电特性稳定的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源电极及漏电极；覆盖源电极及漏电极且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层；氧化物半导体层包括与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、以及与层间绝缘层相接的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为5nm以下。
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公开(公告)号：CN115537720B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210697086.2
申请日：2022-06-20
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供一种抑制了在掩模图案产生的变形的蒸镀掩模，蒸镀掩模包括具有多个开口部的掩模部、保持所述掩模部的保持框和连接所述掩模部与所述保持框的连接部，所述连接部包含以具有第1膜厚的方式与所述掩模部接触的第1部分和以具有比所述第1膜厚薄的第2膜厚的方式与所述掩模部接触的第2部分。所述第2部分也可以位于比所述第1部分靠所述掩模部的内侧的位置。
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公开(公告)号：CN119789527A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411353486.7
申请日：2024-09-26
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供具有高可靠性的半导体装置。半导体装置包括：第一栅电极；第一栅电极之上的包含具有多晶结构的第一氧化物半导体的氧化物半导体层；与氧化物半导体层电连接的源电极及漏电极；和源电极及漏电极之上的与第一栅电极及氧化物半导体层重叠的第二栅电极，在俯视观察下，第二栅电极与源电极及漏电极分别具有间隙地配置，第二栅电极与第一栅电极电连接。
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公开(公告)号：CN119767810A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411135598.5
申请日：2024-08-19
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明实现可靠性高的放射线检测装置。放射线检测装置具有：氧化物半导体层被用于沟道的晶体管；与所述晶体管连接的光电转换层；与所述光电转换层对置且基于吸收的放射线来放出可见光的波长转换层；和在所述晶体管与所述光电转换层之间与所述氧化物半导体层接触且具有50nm以下的膜厚的氧化物层。所述晶体管也可以包括与所述氧化物半导体层对置的栅电极层及位于所述氧化物半导体层与所述栅电极层之间的栅极绝缘层，所述氧化物半导体层也可以比所述栅电极层更接近所述光电转换层。
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公开(公告)号：CN119767751A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411341883.2
申请日：2024-09-25
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供具有高的可靠性的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；具有多晶结构的氧化物半导体层；栅电极与氧化物半导体层之间的栅极绝缘层；和氧化物半导体层上的源电极及漏电极，氧化物半导体层包含：源极区域，其包含杂质元素，与源电极电连接；漏极区域，其包含杂质元素，与漏电极电连接；源极区域与漏极区域之间的沟道区域；第1区域，其包含沿着从源极区域朝向漏极区域的第1方向延伸的第1缘部，且与沟道区域邻接，第1区域具有比源极区域及漏极区域的各自高的电阻率，在40℃时使用包含磷酸作为主成分的蚀刻液对氧化物半导体层进行蚀刻时的蚀刻速率小于3nm/min。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119562596A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411158980.8
申请日：2024-08-22
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置。提高使用了包含氧化物半导体的晶体管的显示装置的可靠性。显示装置包含沿着第1方向及与第1方向交叉的第2方向呈矩阵状配置的多个像素，多个像素的各自分别具有：晶体管，其具备氧化物半导体层、与氧化物半导体层对置并在第1方向上延伸存在的栅极布线、及氧化物半导体层与栅极布线之间的栅极绝缘层；第1导电层，其设置在晶体管之上的至少1层第1绝缘层之上，并与氧化物半导体层相接；第2绝缘层，其设置在第1导电层之上；第1无机层，其设置在第2绝缘层之上并具有开口部；和第2无机层，其设置在第1无机层之上，并在开口部中与第2绝缘层相接，第1无机层将第1绝缘层被覆的被覆率相对于像素的面积而言为85％以上。
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公开(公告)号：CN115210402B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202180017957.5
申请日：2021-02-19
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: C23C14/04 , H01L21/027
Abstract: 蒸镀掩模单元的制造方法包括：在第一支承基板上配置抗蚀膜的步骤；在抗蚀膜上形成剥离层的步骤；从抗蚀膜的侧面向内侧曝光抗蚀膜的步骤；在剥离层上形成具有多个开口的至少一个蒸镀掩模的步骤；将具有至少一个窗的支承框以至少一个窗与至少一个蒸镀掩模的多个开口重叠的方式配置在剥离层上的步骤；和通过镀敷法形成将至少一个蒸镀掩模与支承框相互固定的连接部的步骤。
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公开(公告)号：CN118738138A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410326788.9
申请日：2024-03-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/465 , H01L21/477
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。课题在于提供形状的偏差少且电气特性稳定的半导体装置。半导体装置包括：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的金属氧化物层；金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的源电极及漏电极；和覆盖源电极及漏电极且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层，氧化物半导体层包括与源电极或漏电极重叠的第一区域和与层间绝缘层相接的第二区域，第一区域的膜厚与第二区域的膜厚之差为5nm以下。
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公开(公告)号：CN118738135A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410260296.4
申请日：2024-03-07
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , G09F9/35
Abstract: 本发明涉及半导体装置和显示装置。改善包含氧化物半导体的半导体装置的电特性。半导体装置包含：第1绝缘层；上述第1绝缘层之上的以铝为主成分的金属氧化物层；上述金属氧化物层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；上述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；上述栅极绝缘层之上的栅电极；和上述栅电极之上的第2绝缘层，上述金属氧化物层和上述氧化物半导体层一起被图案化，上述氧化物半导体层具有与上述栅极绝缘层接触的第1区域和在第1方向上与上述第1区域连续并且与上述栅极绝缘层及上述第2绝缘层接触的第2区域。
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公开(公告)号：CN209357702U
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201920262556.6
申请日：2019-03-01
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型应对因母板内的退火温度的偏差而引起的TFT的阈值电压(Vth)的偏差。一种显示装置的制造方法以及其装置，其包括如下的工序：在基板形成氧化物半导体，将所述氧化物半导体退火，此后对氧化物半导体进行图案化，该显示装置的制造装置的特征在于，在所述退火的升温时，由多个第一销(5201)支承所述基板(400)，多个第一销(5201)配置为具有第一间隔，在所述退火的降温时，由多个第二销(520)支承所述基板(400)，多个第二销(520)配置为具有第二间隔，在俯视观察的情况下，所述第二销位于与所述多个第一销的中点相距所述多个第一销之间距离的10％以内。
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