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公开(公告)号：CN115621323A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210811994.X
申请日：2022-07-11
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备：绝缘基板、配置于上述绝缘基板上的栅极、覆盖上述栅极的第一绝缘层、在上述栅极的正上方且配置于上述第一绝缘层上的氧化物半导体、与上述氧化物半导体相接的源极、以及与上述氧化物半导体相接的漏极，上述源极及上述漏极各自具备：与上述氧化物半导体相接的氧化物导电层、层叠于上述氧化物导电层上的第一金属层、由与上述第一金属层不同的材料形成且层叠于上述第一金属层上的第二金属层、以及由与上述第一金属层同一材料形成且层叠于上述第二金属层上的第三金属层。
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公开(公告)号：CN107039533B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201710022300.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 本实施方式提供一种半导体装置，具备：绝缘基板；位于所述绝缘基板的上方的硅制的第一半导体层；位于比所述第一半导体层靠上方的位置的金属氧化物制的第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的硅氮化物制的第一绝缘膜；以及位于所述第一绝缘膜与所述第二半导体层之间、且与所述第一绝缘膜相比氢的扩散性更低的阻挡层。
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公开(公告)号：CN111587453A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880086103.0
申请日：2018-12-04
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02
Abstract: 本发明的课题为，在使用了聚酰亚胺基板的显示装置中，抑制由基板带电引起的TFT的特性变动。本发明的概要为一种显示装置，在由树脂形成的基板(100)的一面，存在由氧化物半导体(107)形成的第一TFT与由第一多晶硅(102)形成的第二TFT，其特征在于，所述第一TFT与所述第二TFT形成于俯视观察时不同的部位，所述第二TFT与所述第一TFT相比，形成为在剖视观察时更靠近所述基板(100)，所述氧化物半导体(107)具有沟道长度与沟道宽度，在所述氧化物半导体(107)与所述基板(100)之间存在第二多晶硅(50)，该第二多晶硅(50)由与所述第一多晶硅(102)相同的材料形成，并形成在与形成有所述第一多晶硅(100)的层相同的层之上。
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公开(公告)号：CN107039533A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710022300.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786
Abstract: 本实施方式提供一种半导体装置，具备：绝缘基板；位于所述绝缘基板的上方的硅制的第一半导体层；位于比所述第一半导体层靠上方的位置的金属氧化物制的第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的硅氮化物制的第一绝缘膜；以及位于所述第一绝缘膜与所述第二半导体层之间、且与所述第一绝缘膜相比氢的扩散性更低的阻挡层。
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公开(公告)号：CN119789528A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411356359.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置及显示装置的制造方法。提供高精细的显示装置。显示装置具有:包含多晶结构的氧化物半导体层；设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；在栅极绝缘层之上与氧化物半导体层对置的栅电极；与栅电极相接地设置的第1氮化硅层；与第1氮化硅层相接地设置且与氧化物半导体层电连接的源极布线；与源极布线及第1氮化硅层相接地设置的第2氮化硅层；与氧化物半导体层电连接的第1透明导电层；和与第1透明导电层及第2氮化硅层相接地设置的第3氮化硅层，栅电极的沟道长度为2.0μm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119789527A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411353486.7
申请日：2024-09-26
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供具有高可靠性的半导体装置。半导体装置包括：第一栅电极；第一栅电极之上的包含具有多晶结构的第一氧化物半导体的氧化物半导体层；与氧化物半导体层电连接的源电极及漏电极；和源电极及漏电极之上的与第一栅电极及氧化物半导体层重叠的第二栅电极，在俯视观察下，第二栅电极与源电极及漏电极分别具有间隙地配置，第二栅电极与第一栅电极电连接。
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公开(公告)号：CN119767751A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411341883.2
申请日：2024-09-25
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供具有高的可靠性的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；具有多晶结构的氧化物半导体层；栅电极与氧化物半导体层之间的栅极绝缘层；和氧化物半导体层上的源电极及漏电极，氧化物半导体层包含：源极区域，其包含杂质元素，与源电极电连接；漏极区域，其包含杂质元素，与漏电极电连接；源极区域与漏极区域之间的沟道区域；第1区域，其包含沿着从源极区域朝向漏极区域的第1方向延伸的第1缘部，且与沟道区域邻接，第1区域具有比源极区域及漏极区域的各自高的电阻率，在40℃时使用包含磷酸作为主成分的蚀刻液对氧化物半导体层进行蚀刻时的蚀刻速率小于3nm/min。
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公开(公告)号：CN119562596A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411158980.8
申请日：2024-08-22
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置。提高使用了包含氧化物半导体的晶体管的显示装置的可靠性。显示装置包含沿着第1方向及与第1方向交叉的第2方向呈矩阵状配置的多个像素，多个像素的各自分别具有：晶体管，其具备氧化物半导体层、与氧化物半导体层对置并在第1方向上延伸存在的栅极布线、及氧化物半导体层与栅极布线之间的栅极绝缘层；第1导电层，其设置在晶体管之上的至少1层第1绝缘层之上，并与氧化物半导体层相接；第2绝缘层，其设置在第1导电层之上；第1无机层，其设置在第2绝缘层之上并具有开口部；和第2无机层，其设置在第1无机层之上，并在开口部中与第2绝缘层相接，第1无机层将第1绝缘层被覆的被覆率相对于像素的面积而言为85％以上。
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公开(公告)号：CN117810268A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311207996.9
申请日：2023-09-19
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供含有防止氢向沟道区域的侵入的氢陷阱区域的半导体装置。半导体装置包含氧化物绝缘层、氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅电极、和保护绝缘层。半导体装置被划分为与栅电极重叠的第1区域、不与栅电极重叠但与氧化物半导体层重叠的第2区域、和不与栅电极及氧化物半导体层重叠的第3区域。第1区域中的栅极绝缘层的厚度为200nm以上。第2区域及第3区域中的栅极绝缘层的厚度为150nm以下。第2区域中的氧化物半导体层所包含的杂质的量多于第1区域中的氧化物半导体层所包含的杂质的量。第3区域中的氧化物绝缘层所包含的杂质的量多于第1区域中的氧化物绝缘层所包含的杂质的量。
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公开(公告)号：CN116745691A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202180090171.6
申请日：2021-11-17
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1334
Abstract: 实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的显示装置。根据实施方式，显示装置具备：第1基板，其具备：第1透明基板、具备氧化物半导体的开关元件、覆盖所述开关元件的有机绝缘膜、具有贯通至所述有机绝缘膜的上表面的第1开口的透明电极、具有在所述第1开口中贯通至所述上表面的第2开口的无机绝缘膜、和与所述开关元件电连接的像素电极；和第2基板，其具备第2透明基板，并与所述第1基板相对。
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