公开(公告)号：KR1020130085990A

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：KR1020130005859

申请日：2013-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  기쿠치히로유키 ,  구마가이다케시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32825 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0206

Abstract: PURPOSE: A particle reduction method and a deposition method are provided to reduce particles generated from a concaved portion of a susceptor by efficiently removing quartz particles in a low surface of the concaved portion. CONSTITUTION: A vacuum container (1) is installed inside as an insulating material and a susceptor (2) on which a substrate loading portion on the surface is installed allowing rotation. A first gas is supplied to the vacuum container. A plasma is generated from the first gas supplying a high frequency to a plasma generation source installed to the vacuum container. A substrate loating part is exposed to the plasma in a state a substrate loading uit is exposed by rotation the susceptor. [Reference numerals] (100) Control unit; (101) Memory unit; (102) Medium; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas

Abstract translation: 目的：提供一种降低粒子的方法和沉积方法，以通过有效地去除凹部的低表面中的石英颗粒来减少从基座的凹部产生的粒子。 构成：真空容器（1）作为绝缘材料安装在内部，并且其上安装有表面上的基板装载部分允许旋转的基座（2）。 向真空容器供给第一气体。 从提供高频的第一气体产生等离子体到安装在真空容器上的等离子体发生源。 衬底驻留部分在衬底加载的状态下通过转动感受器而暴露于等离子体。 （附图标记）（100）控制单元; （101）存储单元; （102）中等; （AA，BB，CC，DD）N_2气体

公开(公告)号：KR100687948B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020060104509

申请日：2006-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시유타카 ,  가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  이시이가쓰토시 ,  미우라가즈토시 ,  도하라아쓰시 ,  후지타요시유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 피처리체가 수용된 반응실을 소정의 온도로 가열하는 반응실가열공정과, 일산화이질소로 이루어지는 처리가스를, 산질화막의 형성이 가능한 반응온도 이상으로 가열하는 가스가열공정과, 상기 가열된 반응실 내부로 상기 가열된 처리가스를 공급하여 상기 피처리체에 산질화막을 형성하는 성막공정을 구비한다. 상기 반응실가열공정에 있어서, 상기 반응실의 가열온도는, 상기 처리가스의 반응온도보다 낮게 설정되어 있다.

Abstract translation: 气体加热步骤，将包含一氧化二氮的处理气体加热至不低于可形成氧氮化物膜的反应温度的温度; 并且将经加热的处理气体供应到反应室中以在待处理的物体上形成氧氮化物膜。 在反应室加热步骤中，反应室的加热温度设定为低于处理气体的反应温度。