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    플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
    2.
    发明公开
    플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子体处理方法和等离子体处理装置

    公开(公告)号：KR1020150131997A

    公开(公告)日：2015-11-25

    申请号：KR1020150067219

    申请日：2015-05-14

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  나카츠보도시유키 ,  기쿠치히로유키

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68764

    Abstract: 소정의플라즈마처리영역내에처리가스를공급하여, 플라즈마발생영역에서상기처리가스를플라즈마화해서기판(W) 상에형성된막에플라즈마처리를실시하는플라즈마처리방법이다. 기판상에형성된막의플라즈마처리에의한면내처리량의분포가취득된다. 이어서, 취득한상기면내처리량의분포에기초하여, 상기플라즈마처리의처리량을증가시키고싶은영역에공급하는상기처리가스의유속이상대적으로높아지거나, 또는상기플라즈마처리의처리량을감소시키고싶은영역에공급하는상기처리가스의유속이상대적으로낮아지도록상기처리가스의유속이조정된다. 그리고, 유속이조정된상기처리가스를상기소정의플라즈마처리영역내에공급하여, 상기기판상에형성된막에상기플라즈마처리가실시된다.

    Abstract translation: 等离子体处理方法技术领域本发明涉及一种等离子体处理方法，其通过将处理气体供给到等离子体处理区域中，将处理气体转化成等离子体产生区域中的等离子体，能够在形成于基板（W）上的膜上进行等离子体处理。 通过在基板上形成的膜的等离子体处理获得面内通过量的分布。 基于平面内吞吐量的分布，控制处理气体的速度，使得供给到等离子体处理的生产量增加的区域的处理气体的速度相对增加，或者等于 供给到等离子体处理的生产量降低的区域的处理气体相对减少。 具有受控速度的处理气体被提供给等离子体处理区域，因此，对形成在基板上的膜进行等离子体处理。

    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
    5.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号：KR1020150052784A

    公开(公告)日：2015-05-14

    申请号：KR1020140151167

    申请日：2014-11-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가토히토시 ,  기쿠치히로유키 ,  요네자와마사토 ,  사토준 ,  미우라시게히로

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/02211 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31138

    Abstract: 천장판을포함하는진공용기와, 상기진공용기내에회전가능하게설치된회전테이블과, 상기회전테이블에대치된기판의표면에흡착되는제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급수단과, 상기제1 처리가스공급수단으로부터상기회전테이블의주위방향으로이격된위치에설치되고, 상기기판의표면에플라즈마처리용가스를공급하는플라즈마처리용가스공급수단과, 상기제1 처리가스와상기플라즈마처리용가스를분리하는분리가스를공급하는분리가스공급수단과, 상기플라즈마처리용가스를플라즈마화하는플라즈마발생수단과, 상기플라즈마발생수단및 상기회전테이블중 적어도한쪽을승강시키는승강기구를갖는기판처리장치.

    Abstract translation: 本发明公开了一种基板处理装置，包括：具有屋顶板的真空容器; 可旋转地安装在真空容器内的旋转台; 第一处理气体供给装置，用于提供吸附在位于旋转台上的基板的表面上的第一处理气体; 等离子体处理气体供给装置，其安装成在旋转台的径向方向与第一处理气体供给装置分离，以将等离子体处理气体提供到基板的表面上; 分离气体供给装置，用于供应分离第一处理气体和等离子体处理气体的分离气体; 等离子体产生装置，用于从等离子体处理气体产生等离子体; 以及用于提升等离子体产生装置和旋转台中的至少一个的提升装置。

    성막 방법 및 성막 장치
    6.
    发明公开
    성막 방법 및 성막 장치 有权
    沉积薄膜和薄膜沉积装置的方法

    公开(公告)号：KR1020140049955A

    公开(公告)日：2014-04-28

    申请号：KR1020130124796

    申请日：2013-10-18

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가토히토시 ,  다나카게이이치 ,  기쿠치히로유키

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0262

    Abstract: Provided is a method for depositing a film which forms a silicon film on a substrate mounted on a rotary table capable of rotating and passing through a first processing area and a second processing area which are separately arranged along a circumferential direction in an approximately cylindrical chamber set at a first temperature capable of breaking Si-H bonds. The method for depositing a film comprises: a molecule layer depositing step for supplying a Si2H6 gas set at a second temperature which is lower than the first temperature when the substrate passes through the first processing area, and forming a SiH3 molecule layer on a surface of the substrate; and a dehydrogentation step for passing the substrate having a SiH3 molecule layer formed on the surface through the second processing area set at the first temperature, breaking Si-H bonds of the SiH3 molecule layer, and leaving a silicon atom layer on the surface. [Reference numerals] (100) Control unit; (101) Medium; (102) Memory unit; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas

    Abstract translation: 提供了一种在安装在旋转台上的基板上沉积形成硅膜的方法，所述基板能够旋转并通过沿着圆周方向分开排列的大致圆筒形室的第一处理区域和第二处理区域 在能够破坏Si-H键的第一温度下。 沉积薄膜的方法包括：分子层沉积步骤，用于在第二温度下提供Si2H6气体，该第二温度低于第一温度，当第二温度低于第一温度时，当基板通过第一处理区域时，以及在第一温度表面上形成SiH 3分子层 基材; 以及脱水步骤，用于使形成在表面上的SiH 3分子层的基板通过设置在第一温度的第二处理区域，使SiH 3分子层的Si-H键断裂，并在表面上留下硅原子层。 （附图标记）（100）控制单元; （101）中等; （102）存储单元; （AA，BB，CC，DD）N_2气体

    성막 방법 및 성막 장치
    8.
    发明授权
    성막 방법 및 성막 장치 有权
    沉积薄膜和薄膜沉积装置的方法

    公开(公告)号：KR101606617B1

    公开(公告)日：2016-03-25

    申请号：KR1020130124796

    申请日：2013-10-18

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가토히토시 ,  다나카게이이치 ,  기쿠치히로유키

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0262

    Abstract: Si―H 결합을절단가능한제1 온도로설정된대략원통형의챔버내에, 서로이격된제1 처리영역과제2 처리영역이둘레방향을따라배치되고, 상기제1 처리영역과상기제2 처리영역을회전통과가능한회전테이블상에적재된기판상에실리콘막을형성하는성막방법이며, 상기기판이상기제1 처리영역을통과할때, 상기제1 온도보다도낮은제2 온도로설정된 SiH가스를공급하고, 상기기판의표면상에 SiH의분자층을형성하는분자층퇴적스텝과, 표면상에상기 SiH의분자층이형성된상기기판에제1 온도로유지된상기제2 처리영역을통과시키고, 상기 SiH의분자층의 Si―H 결합을절단하고, 표면상에실리콘원자층만을남기는수소이탈스텝을포함한다.

    기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
    9.
    发明公开
    기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 审中-实审
    基板加工方法和基板加工装置

    公开(公告)号：KR1020160027928A

    公开(公告)日：2016-03-10

    申请号：KR1020150121844

    申请日：2015-08-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 미우라시게히로 ,  가토히토시 ,  사토준 ,  기쿠치히로유키

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

    CPC classification number: H01L21/31116 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

    Abstract: 기판처리방법이며, 상기회전테이블의회전방향을따라서상기에칭가스가공급되는처리영역과, 상기에칭가스가공급되지않고퍼지가스가공급되는퍼지영역으로구획된처리실내에설치된회전테이블상에기판을적재한다. 에칭가스를상기처리영역에공급한다. 퍼지가스를상기퍼지영역에공급한다. 회전테이블을회전시키고, 상기회전테이블을 1회전시킨때 상기기판이상기처리영역과상기퍼지영역을 1회씩통과하도록한다. 상기기판이상기처리영역을통과한때 상기기판의표면에형성된막을에칭한다. 상기회전테이블의회전속도를변화시킴으로써, 상기막을에칭하는에칭레이트또는에칭후의상기막의표면조도를제어한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理方法。 将基板放置在安装在处理室中的转台上。 处理室包括供给蚀刻气体的处理区域和供给吹扫气体而不是蚀刻气体的吹扫区域。 处理区域和吹扫区域沿着转台的旋转方向布置并且彼此分开。 蚀刻气体被供给到处理区域。 净化气体被供应到净化区域。 转盘旋转以使基板分别一次通过处理区域和吹扫区域一次。 当基板通过处理区域时，在基板的表面上形成的膜被蚀刻。 通过改变转盘的旋转速度来控制蚀刻后的蚀刻蚀刻速率或蚀刻后的膜的表面粗糙度。

    성막 방법
    10.
    发明公开
    성막 방법 无效
    电影制作方法

    公开(公告)号：KR1020140005817A

    公开(公告)日：2014-01-15

    申请号：KR1020130078706

    申请日：2013-07-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가토히토시 ,  구마가이다케시 ,  다무라다츠야 ,  기쿠치히로유키

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4554 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

    Abstract: According to the present invention, a film forming method includes adsorbing a silicon-containing gas to a substrate having a recess part by supplying the silicon-containing and forming a silicon oxide layer on the substrate by oxidizing the silicon-containing gas with an oxidation gas. Because a gas phase temperature in the upper part of the substrate to which the silicon-containing gas is supplied can be low by using an inert gas which is supplied from a separation region separating an oxidation gas supply part from a silicon-containing gas supply part even if the substrate is heated in a temperature which is higher than a temperature of decomposing the silicon-containing gas, the silicon-containing gas can be absorbed onto the substrate without decomposition in a gas phase. [Reference numerals] (100) Control part; (101) Memory part; (102) Medium; (AA,BB,CC,DD) N_2 gas

    Abstract translation: 根据本发明，一种成膜方法包括：通过供给含硅并将含硅气体氧化成含氧气体的氧化气体，将含硅气体吸附在具有凹部的基板上，并在基板上形成氧化硅层 。 由于通过使用从分离氧化气体供给部分的分离区域与含硅气体供给部分供给的惰性气体，在供给含硅气体的基板的上部的气相温度低， 即使在高于分解含硅气体的温度的温度下加热基板，也可以将含硅气体吸收到基板上而不会在气相中分解。 （附图标记）（100）控制部; （101）记忆部分; （102）中等; （AA，BB，CC，DD）N_2气体

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