公开(公告)号：KR101063083B1

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：KR1020087029276

申请日：2007-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고노마사유키 ,  니시타다츠오 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7843

Abstract: A plasma processing apparatus includes a process chamber configured to be vacuum-exhausted; a worktable configured to place a target substrate thereon inside the process chamber; a microwave generation source configured to generate microwaves; a planar antenna including a plurality of slots and configured to supply microwaves generated by the microwave generation source through the slots into the process chamber; a gas supply mechanism configured to supply a film formation source gas into the process chamber; and an RF power supply configured to apply an RF power to the worktable. The apparatus is preset to turn a nitrogen-containing gas and a silicon-containing gas supplied in the process chamber into plasma by the microwaves, and to deposit a silicon nitride film on a surface of the target substrate by use of the plasma, while applying the RF power to the worktable.

公开(公告)号：KR101057877B1

公开(公告)日：2011-08-19

申请号：KR1020097005392

申请日：2007-09-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고노마사유키 ,  니시타다츠오 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: A plasma cleaning method is performed in a plasma CVD apparatus for depositing a silicon nitride film on a surface of a target substrate, and includes a stage (S1) of supplying a cleaning gas containing NF3 gas into a process container, thereby removing extraneous deposits formed on portions inside the process container; a stage (S2) of supplying a gas containing hydrogen gas into the process container and generating plasma thereof, thereby removing residual fluorine inside the process container; and a stage (S3) of supplying a gas containing a rare gas into the process container and generating plasma thereof, thereby removing residual hydrogen inside the process container.

Abstract translation: 在用于在目标基板的表面上沉积氮化硅膜的等离子体CVD设备中执行等离子体清洁方法，并且包括将包含NF 3气体的清洁气体供给到处理容器中的阶段（S1），从而去除形成的外来沉积物 在处理容器内的部分上; 向处理容器内供给含有氢气的气体并生成等离子体从而除去处理容器内的残留氟的阶段（S2） 以及向处理容器内供给含有稀有气体的气体并生成等离子体从而除去处理容器内的残留氢的阶段（S3）。

公开(公告)号：KR100966927B1

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：KR1020077022436

申请日：2006-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시타다츠오 ,  나카니시도시오 ,  이시즈카슈유이치 ,  나카야마도모에 ,  후지노유타카

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 게이트 절연막의 제조 방법은 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 피처리체 표면의 실리콘에 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘 산화막을 형성하는 산화처리 공정을 포함하고, 산화처리 공정에 있어서의 처리온도는 600℃ 초과 1000℃ 이하이며, 산소함유 플라즈마는 적어도 희가스와 산소 가스를 포함하는 산소함유 처리가스를 상기 처리실 내에 도입함과 동시에, 안테나를 거쳐서 해당 처리실 내에 고주파 또는 마이크로파를 도입하는 것에 의해서 형성되는 산소함유 처리가스의 플라즈마이다.

公开(公告)号：KR1020090053823A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020097005392

申请日：2007-09-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고노마사유키 ,  니시타다츠오 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: A plasma cleaning method is performed in a plasma CVD apparatus for depositing a silicon nitride film on a surface of a target substrate, and includes a stage (S1) of supplying a cleaning gas containing NF3 gas into a process container, thereby removing extraneous deposits formed on portions inside the process container; a stage (S2) of supplying a gas containing hydrogen gas into the process container and generating plasma thereof, thereby removing residual fluorine inside the process container; and a stage (S3) of supplying a gas containing a rare gas into the process container and generating plasma thereof, thereby removing residual hydrogen inside the process container.

公开(公告)号：KR100887270B1

公开(公告)日：2009-03-06

申请号：KR1020077002817

申请日：2005-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시타다츠오 ,  이시즈카스우이치 ,  후지노유타카 ,  나카니시도시오 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L27/10873

Abstract: 본 발명에서는, DRAM에서의 게이트 절연막을 형성하는 경우, 게이트 절연막의 베이스로 되는 산화막에 대하여 플라즈마 질화 처리를 행한다. 다수의 관통 구멍이 형성되어 있는 평판 안테나를 이용한 마이크로파 플라즈마에 의해 플라즈마 질화 처리한다. 플라즈마 질화 처리에 의해 형성된 게이트 절연막 속의 질소 농도는 5∼20%원자 농도이다. 그 후, 어닐링 처리를 행하지 않더라도, DRAM에서 붕소의 침투 현상을 효과적으로 방지할 수 있고, 추가로, 디바이스의 구동 능력 저하의 원인이 되는 막 속의 트랩을 억제한다.

Abstract translation: 在本发明中，当形成DRAM中的栅极绝缘膜时，构成栅极绝缘膜的基底的氧化膜被等离子体氮化。 通过使用具有大量通孔的平面天线产生的微波等离子体进行等离子体氮化。 通过等离子体氮化形成的栅极绝缘膜中的氮浓度以原子百分比为5〜20％。 即使不进行随后的退火，也可以有效地防止DRAM中的硼渗透现象，并且能够减少膜中的陷阱，导致器件的驱动能力下降。

公开(公告)号：KR1020090009931A

公开(公告)日：2009-01-23

申请号：KR1020087029306

申请日：2007-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고노마사유키 ,  니시타다츠오 ,  나카니시도시오

IPC: C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: A plasma processing apparatus generates plasma by introducing microwaves into a processing chamber by using a planar antenna having a plurality of slots. By using the plasma processing apparatus, a nitrogen containing gas and a silicon containing gas introduced into the processing chamber are brought into the plasma state, and at the time of depositing by using the plasma a silicon nitride film on the surface of a substrate to be processed, stress to the silicon nitride film to be formed is controlled by the combination of the type and the processing pressure of the nitrogen containing gas.

Abstract translation: 等离子体处理装置通过使用具有多个槽的平面天线将微波引入处理室来产生等离子体。 通过使用等离子体处理装置，将引入到处理室中的含氮气体和含硅气体进入等离子体状态，并且在通过使用等离子体沉积基板表面上的氮化硅膜时为 通过组合含氮气体的类型和处理压力来控制待形成的氮化硅膜的应力。

公开(公告)号：KR100810794B1

公开(公告)日：2008-03-07

申请号：KR1020057009094

申请日：2003-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  니시타다츠오 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211

Abstract: 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝
-3 )∼1e+9(개·㎝
-3 )로 되도록 제어된다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 및 질화막의 열화가 효과적으로 억제된다.

Abstract translation: 根据本发明，如在氮化过程中，在硅衬底表面上，具有所述等离子体产生部和所述硅衬底板之间的开口的隔室被设置在所述硅衬底表面1E + 7（狗＆middot电子密度;㎝

公开(公告)号：KR1020070020571A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：KR1020077002279

申请日：2003-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  니시타다츠오 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝
-3 )∼1e+9(개·㎝
-3 )로 되도록 제어된다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 및 질화막의 열화가 효과적으로 억제된다.

Abstract translation: 根据本发明，如在氮化过程中，在硅衬底表面上，具有所述等离子体产生部和所述硅衬底板之间的开口的隔室被设置在所述硅衬底表面1E + 7（狗＆middot电子密度;㎝