公开(公告)号：KR1020070112830A

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：KR1020077022436

申请日：2006-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시타다츠오 ,  나카니시도시오 ,  이시즈카슈유이치 ,  나카야마도모에 ,  후지노유타카

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: Disclosed is a method for forming a gate insulating film comprising an oxidation step wherein a silicon oxide film is formed by having an oxygen-containing plasma act on silicon in the surface of an object to be processed in a process chamber of a plasma processing apparatus. The processing temperature in the oxidation step is more than 600°C and not more than 1000°C, and the oxygen-containing plasma is formed by introducing an oxygen-containing process gas containing at least a rare gas and an oxygen gas into the process chamber while introducing a high-frequency wave or microwave into the process chamber through an antenna.

Abstract translation: 公开了一种形成栅极绝缘膜的方法，其包括氧化步骤，其中通过在等离子体处理设备的处理室中的待处理物体的表面中的含氧等离子体作用于硅上而形成氧化硅膜。 氧化步骤中的处理温度大于600℃且不超过1000℃，并且通过将至少含有稀有气体和氧气的含氧处理气体引入到该方法中而形成含氧等离子体 同时通过天线将高频波或微波引入处理室。

公开(公告)号：KR100939125B1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：KR1020077010211

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 기판위의 산화막에 플라즈마 질화처리를 하고 난 후 프로세스 챔버(51) 내에서 상기 기판을 어닐 함으로서 절연막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판은 667Pa 또는 그 이하의 저압력에서 어닐된다. 어닐은 5초에서 45초 사이 동안 진행한다. 상부에 복수의 투과구멍이 형성된 평면 안테나를 사용하는 마이크로웨이브 플라즈마에 의해서 상기 플라즈마 질화처리를 실행한다.

公开(公告)号：KR101005953B1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：KR1020097017507

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 기판위의 산화막에 플라즈마 질화 처리를 하고 난 후 프로세스 챔버(51) 내에서 상기 기판을 어닐함으로서 절연막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판은 667Pa 또는 그 이하의 저압력에서 어닐된다. 어닐은 5초에서 45초 사이 동안 진행한다. 상부에 복수의 투과구멍이 형성된 평면 안테나를 사용하는 마이크로웨이브 플라즈마에 의해서 상기 플라즈마 질화 처리를 행한다.

公开(公告)号：KR1020070072909A

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020077010211

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: In a method for forming an insulating film by performing plasma nitriding process to an oxide film on a substrate and then by annealing the substrate in a process chamber (51), the substrate is annealed under a low pressure of 667Pa or lower. The annealing is performed for 5 to 45 seconds. The plasma nitriding process is performed by microwave plasma by using a planar antenna whereupon a multitude of transmitting holes are formed.

Abstract translation: 在通过对基板上的氧化膜进行等离子体氮化处理，然后在处理室（51）中对基板进行退火而形成绝缘膜的方法中，基板在667Pa以下的低压下进行退火。 进行退火5〜45秒。 等离子体氮化处理通过使用平面天线由微波等离子体进行，由此形成多个透射孔。

公开(公告)号：KR100966927B1

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：KR1020077022436

申请日：2006-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시타다츠오 ,  나카니시도시오 ,  이시즈카슈유이치 ,  나카야마도모에 ,  후지노유타카

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: 게이트 절연막의 제조 방법은 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 피처리체 표면의 실리콘에 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘 산화막을 형성하는 산화처리 공정을 포함하고, 산화처리 공정에 있어서의 처리온도는 600℃ 초과 1000℃ 이하이며, 산소함유 플라즈마는 적어도 희가스와 산소 가스를 포함하는 산소함유 처리가스를 상기 처리실 내에 도입함과 동시에, 안테나를 거쳐서 해당 처리실 내에 고주파 또는 마이크로파를 도입하는 것에 의해서 형성되는 산소함유 처리가스의 플라즈마이다.

公开(公告)号：KR1020090097219A

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：KR1020097017507

申请日：2005-11-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  나카야마도모에 ,  고바야시히로시 ,  오사키요시노리 ,  다카하시데츠로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: In a method for forming an insulating film by performing plasma nitriding process to an oxide film on a substrate and then by annealing the substrate in a process chamber (51), the substrate is annealed under a low pressure of 667Pa or lower. The annealing is performed for 5 to 45 seconds. The plasma nitriding process is performed by microwave plasma by using a planar antenna whereupon a multitude of transmitting holes are formed.

Abstract translation: 在通过对基板上的氧化膜进行等离子体氮化处理，然后在处理室（51）中对基板进行退火而形成绝缘膜的方法中，基板在667Pa以下的低压下进行退火。 进行退火5〜45秒。 等离子体氮化处理通过使用平面天线由微波等离子体进行，由此形成多个透射孔。