公开(公告)号：KR101189926B1

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：KR1020117008827

申请日：2007-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고노마사유키 ,  니시타다츠오 ,  나카니시도시오

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나에서 처리실내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치를 이용하고, 처리실내에 도입한 질소 함유 가스와 실리콘 함유 가스를 마이크로파에 의해 플라즈마화하고, 이 플라즈마에 의해 피처리 기판의 표면에 질화 규소막을 퇴적시킬 때에, 질소 함유 가스의 종류와 처리 압력의 조합에 의해, 형성되는 질화 규소막의 스트레스를 제어한다.

公开(公告)号：KR1020120069754A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020127011218

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  니시타다츠오 ,  히로타요시히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823857

Abstract: 희생 산화막의 형성과 웨트 에칭에 의한 박리, 및/또는 이산화 규소막의 형성과 웨트 에칭에 의한 박리를 실행하는 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서, 희생 산화막 및/또는 이산화 규소막의 형성을, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서, 산소를 포함하는 처리 가스를 이용하여 생성시킨 O(
1 D
2 ) 래디컬이 지배적인 플라즈마에 의해 실행한다.

公开(公告)号：KR1020100014557A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：KR1020097019928

申请日：2008-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고노마사유키 ,  니시타다츠오 ,  나카니시도시오 ,  히로타요시히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28202

Abstract: A plasma processing apparatus (100) introduces microwaves into a chamber (1) by a flat antenna (31) which has a plurality of holes. A material gas, which contains a nitrogen-containing compound and a silicon-containing compound, is introduced into the chamber (1) by using the plasma processing apparatus, and plasma is generated by the microwaves. Then, a silicon nitride film is deposited by the plasma on a surface of a body to be processed. The trap density of the silicon nitride film is controlled by adjusting the conditions of the plasma CVD process.

Abstract translation: 等离子体处理装置（100）通过具有多个孔的平面天线（31）将微波引入室（1）。 通过使用等离子体处理装置将含有氮化合物和含硅化合物的原料气体引入室（1），由微波产生等离子体。 然后，通过等离子体将氮化硅膜沉积在待加工物体的表面上。 通过调整等离子体CVD工艺的条件来控制氮化硅膜的陷阱密度。

公开(公告)号：KR100883696B1

公开(公告)日：2009-02-13

申请号：KR1020077002279

申请日：2003-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  니시타다츠오 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝
-3 )∼1e+9(개·㎝
-3 )로 되도록 제어된다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 및 질화막의 열화가 효과적으로 억제된다.

公开(公告)号：KR1020070112830A

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：KR1020077022436

申请日：2006-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시타다츠오 ,  나카니시도시오 ,  이시즈카슈유이치 ,  나카야마도모에 ,  후지노유타카

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: Disclosed is a method for forming a gate insulating film comprising an oxidation step wherein a silicon oxide film is formed by having an oxygen-containing plasma act on silicon in the surface of an object to be processed in a process chamber of a plasma processing apparatus. The processing temperature in the oxidation step is more than 600°C and not more than 1000°C, and the oxygen-containing plasma is formed by introducing an oxygen-containing process gas containing at least a rare gas and an oxygen gas into the process chamber while introducing a high-frequency wave or microwave into the process chamber through an antenna.

Abstract translation: 公开了一种形成栅极绝缘膜的方法，其包括氧化步骤，其中通过在等离子体处理设备的处理室中的待处理物体的表面中的含氧等离子体作用于硅上而形成氧化硅膜。 氧化步骤中的处理温度大于600℃且不超过1000℃，并且通过将至少含有稀有气体和氧气的含氧处理气体引入到该方法中而形成含氧等离子体 同时通过天线将高频波或微波引入处理室。

公开(公告)号：KR101244590B1

公开(公告)日：2013-03-25

申请号：KR1020127007206

申请日：2007-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고노마사유키 ,  니시타다츠오 ,  나카니시도시오

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나에서 처리실내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치를 이용하고, 처리실내에 도입한 질소 함유 가스와 실리콘 함유 가스를 마이크로파에 의해 플라즈마화하고, 이 플라즈마에 의해 피처리 기판의 표면에 질화 규소막을 퇴적시킬 때에, 질소 함유 가스의 종류와 처리 압력의 조합에 의해, 형성되는 질화 규소막의 스트레스를 제어한다.

公开(公告)号：KR1020120043128A

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020127007206

申请日：2007-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고노마사유키 ,  니시타다츠오 ,  나카니시도시오

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나에서 처리실내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치를 이용하고, 처리실내에 도입한 질소 함유 가스와 실리콘 함유 가스를 마이크로파에 의해 플라즈마화하고, 이 플라즈마에 의해 피처리 기판의 표면에 질화 규소막을 퇴적시킬 때에, 질소 함유 가스의 종류와 처리 압력의 조합에 의해, 형성되는 질화 규소막의 스트레스를 제어한다.

Abstract translation: 通过从平面天线导入微波至处理腔室通过等离子体具有多个槽的产生等离子体的等离子体处理装置和等离子体由含氮气体和导入到处理室中的微波屏含硅气体和， 时间要处理的衬底的表面上沉积氮化硅膜，并控制由类型和含氮气体的处理压力，形式的组合硅氮化膜的应力。

公开(公告)号：KR1020110056551A

公开(公告)日：2011-05-30

申请号：KR1020117008827

申请日：2007-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고노마사유키 ,  니시타다츠오 ,  나카니시도시오

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나에서 처리실내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치를 이용하고, 처리실내에 도입한 질소 함유 가스와 실리콘 함유 가스를 마이크로파에 의해 플라즈마화하고, 이 플라즈마에 의해 피처리 기판의 표면에 질화 규소막을 퇴적시킬 때에, 질소 함유 가스의 종류와 처리 압력의 조합에 의해, 형성되는 질화 규소막의 스트레스를 제어한다.

公开(公告)号：KR100997868B1

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020077028247

申请日：2006-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마시타준 ,  나카니시도시오 ,  니시타다츠오

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/34

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32633 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 플라즈마 산화 처리 장치(100)에 있어서, 서셉터(2)의 위쪽에는 이중 플레이트(60)가 배비되어 있다. 상측의 플레이트(61) 및 하측의 플레이트(62)는 각각 석영 등의 유전체로 구성되고, 소정 간격 예를 들면 5㎜의 간격으로 서로 이간되어 평행하게 배치되어 있고, 복수의 관통구멍(61a, 62a)을 갖고 있다. 2개의 플레이트를 중첩한 상태에서, 하측의 플레이트(62)의 관통구멍(62a)과 상측의 플레이트(61)의 관통구멍(61a)이 중첩되지 않도록, 위치를 어긋나게 하여 배비되어 있다.

Abstract translation: 在等离子体氧化装置100中，在基座2的上方配置双层板60。 上板61和下板62分别由石英等电介质构成，例如以5mm的间隔以规定的间隔相互平行地排列，多个贯通孔61a，62a ）拥有。 这两个板重叠，使得下板62的通孔62a和上板61的通孔61a在移位时不相互重叠。

公开(公告)号：KR100883697B1

公开(公告)日：2009-02-13

申请号：KR1020077024630

申请日：2003-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  니시타다츠오 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211

Abstract: 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝
-3 )∼1e+9(개·㎝
-3 )로 되도록 제어된다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 및 질화막의 열화가 효과적으로 억제된다.