-
公开(公告)号：KR101993041B1
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：KR1020170077688
申请日：2017-06-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
-
公开(公告)号：KR1020130065681A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：KR1020130060975
申请日：2013-05-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32834 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: PURPOSE: An antenna unit and an inductively coupled plasma processing apparatus are provided to perform uniform plasma processing. CONSTITUTION: An antenna (13) is configured to have more winding numbers in the corner than the center of a side as a plurality of antenna wires in the same plane, and make the entire body as a vortex shape. The antenna forms an arrangement region of the antenna wires as a frame shape. The antenna forms a curved unit (68) in each antenna wire to make the frame region surrounded by the outer line or the inner line linearly symmetric to the center line. The curved unit is located between the center of the side and the corner and varies the number of the winding.
Abstract translation: 目的：提供天线单元和电感耦合等离子体处理装置，以执行均匀的等离子体处理。 构成：天线（13）被配置为在同一平面内的多个天线的角部中具有比侧面的中心更多的绕组数，并使整个身体成为涡流形状。 天线形成天线的布置区域作为框架形状。 天线在每个天线线中形成弯曲单元（68），以使得由外线或内线包围的框架区域与中心线线性对称。 弯曲单元位于侧面中心和拐角之间，并改变绕组的数量。
-
公开(公告)号：KR101163352B1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020110053146
申请日：2011-06-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 본 발명은 피처리체에 대해 면내 균일성이 높은 플라즈마 처리를 행하는 것이다.
탑재대(27)와 유전체창 부재(3)를 사이에 두고 대향하도록 안테나(5)를 마련한다. 이 안테나(5)는 각각 길이가 동일하고, 서로 횡으로 평행하게 나열된 직선 형상의 복수의 안테나 부재(51)에 의해 구성되어 있다. 이 안테나(5)의 일단측을 고주파 전원부(6)에 전원측 도전로(61)에 의해 접속함과 아울러, 그 타단측을 접지점에 접지측 도전로(62)에 의해 접속한다. 상기 전원측 도전로(61) 및 접지측 도전로(62)의 적어도 한쪽에, 안테나(5)의 전위 분포를 조정하기 위한 전위 분포 조정용의 콘덴서(7)를 마련하고, 상기 고주파 전원부(6)로부터 각 안테나 부재(51)를 거쳐서 접지점에 이르기까지의 각 고주파 경로의 임피던스가 서로 동일해지도록 설정한다.Abstract translation: 本发明的目的在于对被处理体进行面内均匀性高的等离子体处理。
-
公开(公告)号：KR101131682B1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR1020090101621
申请日：2009-10-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to control plasma density distribution by controlling an electric field distribution of a surface direction of an object and suppress the increase of impedance of the antenna. CONSTITUTION: An antenna is installed outside of a process atmosphere while facing between a mount stand and the process atmosphere. A high frequency power supply(6) supplies high frequency power to the antenna. A power side conductive path(61) connects one side of the antenna with a high frequency power unit. A ground side conductive path(62) connects the other side of the antenna with a ground point. A condenser for controlling potential distribution is prepared on at least one of the power side conductive path and the ground side conductive path and controls the potential distribution of the antenna.
-
公开(公告)号：KR101124754B1
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020090038354
申请日：2009-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: (과제) 대형 기판에 대해서도, 균일한 플라즈마 분포를 얻을 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것.
(해결 수단) 처리실(4)의 위쪽에 유전체벽(2)을 사이에 두고, 처리실(4) 내의 주로 외측 부분에 유도 전계를 형성하는 외측 안테나부(13a)와 주로 내측 부분에 유도 전계를 형성하는 내측 안테나부(13b)와 그 중간 부분에 유도 전계를 형성하는 중간 안테나부(13c)를 갖는 고주파 안테나(13)를 갖고, 외측 안테나부(13a) 및 중간 안테나부(13c)에 각각 유도 결합 플라즈마의 플라즈마 밀도 분포를 제어하는 가변 콘덴서(21a, 21c)를 접속한다. 각 안테나부는, 소용돌이 형상의 다중 안테나를 구성하고, 또한 그 배치 영역에서 균일한 전계가 형성되도록 감는 방법이 설정되고, 각 안테나부의 배치 영역 사이에서 전계의 균일화가 가능하도록 감는 수가 설정된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101110974B1
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：KR1020080115911
申请日：2008-11-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 장치 비용 및 전력 비용을 높이지 않고, 플라즈마 처리 도중에 플라즈마 상태의 제어를 행할 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
처리실(4) 상방에 유전체벽(2)을 통해서 고주파 전력이 공급됨으로써 처리실(4) 내에 유도 전계를 형성하는 고주파 안테나(13)를 배치하고, 유도 전계에 의해 상기 처리실 내에 형성되는 유도 결합 플라즈마의 발광 상태를 플라즈마 발광 상태 검출부(40)에 의해 검출하며, 이 플라즈마 발광 상태 검출부(40)의 검출 정보에 기초해서, 제어 수단(50)이 고주파 안테나를 포함하는 안테나 회로의 특성을 조절하는 조절 수단(21)을 제어하고, 이것에 의해 플라즈마 상태를 제어한다.-
公开(公告)号：KR1020110074726A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：KR1020110053146
申请日：2011-06-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32174
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to adjust distribution of plasma concentration. CONSTITUTION: An antenna includes a plurality of antenna members which are laterally arranged to each other. A high frequency power supply unit(6) supplies high frequency power to an antenna. A power conductive path(61) is formed to connect one end of the antenna to the high frequency power supply unit. A dielectric window member(32) is prepared between a loading plate and the antenna so as to divide the processing atmosphere.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以调节血浆浓度的分布。 构成：天线包括彼此横向布置的多个天线构件。 高频电源单元（6）向天线提供高频电源。 形成电力导电路径（61）以将天线的一端连接到高频电源单元。 在加载板和天线之间制备电介质窗构件（32），以分隔处理气氛。
-
公开(公告)号：KR1020110003446A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：KR1020100121412
申请日：2010-12-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32935
Abstract: PURPOSE: An inductively coupled plasma processing device is provided to remove an additional high frequency power source part and a power supply part by controlling an adjusting part, which controls the property of an antenna circuit based on plasma detection information. CONSTITUTION: A processing chamber(4) processes plasma by storing a substrate. A high frequency antenna(13) forms an induction magnetic field inside the processing chamber. A plasma emission detection part(40) detects the radiation of inductively coupled plasma formed by the induction magnetic field. An adjusting part(21) controls the property of an antenna circuit which includes the high frequency antenna. A control part(50) controls the state of plasma based on the plasma emission information of the plasma emission detection part.
Abstract translation: 目的：提供一种电感耦合等离子体处理装置，通过控制基于等离子体检测信息来控制天线电路的性质的调节部分来去除附加的高频电源部分和电源部分。 构成：处理室（4）通过存储基板来处理等离子体。 高频天线（13）在处理室内形成感应磁场。 等离子体发射检测部分（40）检测由感应磁场形成的电感耦合等离子体的辐射。 调整部（21）控制包含高频天线的天线电路的特性。 控制部（50）基于等离子体发射检测部的等离子体发射信息来控制等离子体的状态。
-
公开(公告)号：KR1020080087738A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：KR1020080027966
申请日：2008-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32495 , H01J37/32559 , H05H1/46 , H05H2001/4652 , H05H2001/4682
Abstract: A plasma processing apparatus, a plasma processing method and a recording medium are provided to implement a plasma processing by performing a proper impedance adjustment irrespective of a high frequency bias. A plasma processing apparatus includes a high frequency power(39), an impedance adjusting unit(5), a voltage measuring unit(57), a bandpass filter(56), and a control unit(6). The high frequency power applies a high frequency for a bias lower than a high frequency for plasma to an electrode. An end of the impedance adjusting unit is coupled to an anode electrode, and the other end of the impedance adjusting unit is coupled to a processing chamber. The impedance adjusting unit controls an impedance value from a cathode electrode to a ground housing of a matching circuit via plasma, the anode electrode and the processing chamber. The voltage measuring unit measures a voltage of the impedance adjusting unit. The bandpass filter is installed between the impedance adjusting unit and the voltage measuring unit. The bandpass filter has an attenuation band of f1-f2 and f1+f2, wherein the f1 is defined by a high frequency for the plasma and the f2 is defined by a high frequency for the bias. The control unit changes the impedance value of the impedance adjusting unit and receives a voltage value measured by the voltage measuring unit. The control unit calculates a current value received to the anode electrode, and sets the impedance value of the impedance adjusting unit.
Abstract translation: 提供等离子体处理装置，等离子体处理方法和记录介质，以通过执行适当的阻抗调整来实现等离子体处理，而与高频偏置无关。 等离子体处理装置包括高频功率（39），阻抗调节单元（5），电压测量单元（57），带通滤波器（56）和控制单元（6）。 高频功率将等离子体的高频高于高频的高频施加到电极。 阻抗调节单元的端部耦合到阳极电极，并且阻抗调节单元的另一端耦合到处理室。 阻抗调整单元通过等离子体，阳极电极和处理室来控制从电极到匹配电路的接地壳体的阻抗值。 电压测量单元测量阻抗调节单元的电压。 带通滤波器安装在阻抗调节单元和电压测量单元之间。 带通滤波器具有f1-f2和f1 + f2的衰减频带，其中f1由等离子体的高频率定义，f2由偏置的高频率定义。 控制单元改变阻抗调节单元的阻抗值并接收由电压测量单元测量的电压值。 控制单元计算接收到阳极电极的电流值，并设定阻抗调节单元的阻抗值。
-
公开(公告)号：KR1020080038037A
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：KR1020070107831
申请日：2007-10-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32568 , C23C16/509
Abstract: A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a recording medium are provided to reliably generate stable plasma by flowing a high frequency current to a ground portion of a high frequency source through a low-resistance member and a process container. Conductive moving contact members(5a,5b) are arranged on an upper electrode(3) through conductive elevation bars(51a,51b) outside a process container(2). The upper electrode is arranged on a plasma process position outside the process container through conductive support members(61-63). Fixed contact members are arranged to be contacted with the moving contact members, such that a high frequency current return path is formed. The high frequency current flows from a lower electrode(4) to a high frequency source(44) sequentially through an upper electrode, the elevation bars, the moving contact members, the fixed contact members, the support members, and the process container.
Abstract translation: 提供等离子体处理装置，等离子体处理方法和记录介质，以通过低电阻部件和处理容器将高频电流流向高频源的接地部分来可靠地产生稳定的等离子体。 导电活动接触构件（5a，5b）通过处理容器（2）外部的导电标杆（51a，51b）布置在上电极（3）上。 上电极通过导电支撑构件（61-63）布置在处理容器外部的等离子体处理位置。 固定接触构件被布置成与可动接触构件接触，使得形成高频电流返回路径。 高频电流依次通过上电极，升降杆，移动接触构件，固定接触构件，支撑构件和处理容器从下电极（4）流到高频源（44）。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.037 seconds)
