公开(公告)号：KR1020120080544A

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：KR1020120001771

申请日：2012-01-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠쥰 ,  코시미즈치시오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32724

Abstract: PURPOSE: A focus ring and a substrate processing apparatus including the same are provided to prevent deposition to be attached to an inner side focus ring by arranging a quartz member to a gap of the inner side focus ring and an outer side focus ring. CONSTITUTION: A focus ring surrounds the edge of a substrate arranged within a processing chamber of a substrate processing device. The focus ring comprises an inner side focus ring(25a) and an outer side focus ring(25b). The inner side focus ring is arranged to be contiguous to the substrate and is cooled. The outer side focus ring surrounds the inner side focus ring. The outer side focus ring is not cooled. A block member(25c) is located in a gap between the inner side focus ring and outer side focus ring. An electric heating sheet(34) is placed between the inner side focus ring and a susceptor. The electric heating sheet transfers heat of the inner side focus ring to the susceptor.

Abstract translation: 目的：提供一种聚焦环和包括该聚焦环的基板处理设备，以通过将石英构件布置在内侧聚焦环和外侧聚焦环的间隙上来防止沉积附着到内侧聚焦环。 构成：聚焦环围绕布置在基板处理装置的处理室内的基板的边缘。 聚焦环包括内侧聚焦环（25a）和外侧聚焦环（25b）。 内侧聚焦环被布置成与基底邻接并被冷却。 外侧聚焦环围绕内侧聚焦环。 外侧聚焦环未冷却。 块构件（25c）位于内侧聚焦环和外侧聚焦环之间的间隙中。 电热片（34）设置在内侧聚焦环和基座之间。 电加热片将内侧聚焦环的热量传递到基座。

公开(公告)号：KR101155402B1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020090068521

申请日：2009-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코쿠보타카유키 ,  야마와쿠쥰 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B3/10 ,  B08B13/00 ,  B08B2230/01

Abstract: 종래에 비해 효율적으로 세정 작업을 행할 수 있고, 또한 높은 세정 효과를 얻을 수 있는 반도체 제조 장치의 세정 장치 및 세정 방법을 제공한다. 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)는 순수(純水)로부터 순수 스팀을 생성하는 순수 스팀 생성 용기(2)와, 순수 스팀을 피세정 부위로 공급하는 공급구(5)와, 순수 스팀 생성 용기와 공급구를 접속시키는 공급 라인(4)과, 세정에 사용된 사용 완료 스팀을 피세정 부위로부터 회수하는 회수구(6)와, 사용 완료 스팀을 응축시켜 회수하는 회수 용기(8)와, 회수구(6)와 회수 용기(8)를 접속시키는 회수 라인(7)을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR100996064B1

公开(公告)日：2010-11-22

申请号：KR1020080041757

申请日：2008-05-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠쥰 ,  모리야츠요시 ,  야쿠시지히데아키 ,  아베가즈마사

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 수분을 원인으로 하는 불량을 야기하지 않고, 진공 흡인 시간을 단축할 수 있는 진공 흡인 방법을 제공한다.
챔버(11)를 구비하는 진공 처리 장치(10)에서, 챔버(11) 내의 진공 흡인시, APC 밸브(16)에 의해서 일정한 시간, 예컨대, 수십초 동안에 걸쳐 챔버(11) 내의 압력을 6.7∼13.3×10
2 Pa(5∼10Torr)로 유지하고(압력 유지), 이어서, 챔버(11) 내에 가열 가스를 급속하게 도입하여 챔버(11) 내를 1.3∼2.7×10
4 Pa(100∼200Torr)까지 급속하게 승압시키고(급속 승압), 시간 T1로부터 시간 T2까지의 동안에, 압력 유지와 급속 승압을 복수회 반복한다.

公开(公告)号：KR100995170B1

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：KR1020080027562

申请日：2008-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠쥰 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109

Abstract: 웨이퍼에 행해지는 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치. 웨이퍼는 기판 처리 장치의 챔버에 수용되고, 처리실 내에 발생한 플라즈마를 이용하여 플라즈마 처리가 실시된다. 온도 제어 기구는 플라즈마에 면하는 고리 모양의 포커스 링의 적어도 일부분을 향하여 고온의 가스를 분사한다.

Abstract translation: 并且可以提高在晶片上执行的等离子体处理的均匀性。 晶片容纳在基板处理装置的腔室内，使用在处理腔室内产生的等离子体进行等离子体处理。 温度控制机构朝向面向等离子体的环形聚焦环的至少一部分注入热气体。

公开(公告)号：KR1020100012833A

公开(公告)日：2010-02-08

申请号：KR1020090068521

申请日：2009-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 코쿠보타카유키 ,  야마와쿠쥰 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B3/10 ,  B08B13/00 ,  B08B2230/01

Abstract: PURPOSE: A cleaning device and a cleaning method of a semiconductor manufacturing apparatus are provided to remove effectively a deposit by performing a cleaning process by using pure steam. CONSTITUTION: A deionized water steam production vessel(2) generates the deionized water steam from the deionized water. A supply unit(5) supplies the deionized water steam to a target. A supply line(4) connects the deionized water steam production vessel with the nozzle. A collection unit(6) is installed in the around the nozzle and collects used steam from the target. A collection vessel condense the used steam to collects it. A contact surface with the deionized water steam is formed with resin.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体制造装置的清洁装置和清洁方法，以通过使用纯蒸汽进行清洁处理来有效地去除沉积物。 构成：去离子水蒸汽生产容器（2）从去离子水中产生去离子水蒸气。 供应单元（5）将去离子水蒸汽供应到目标物。 供应线（4）将去离子水蒸汽生产容器与喷嘴连接。 收集单元（6）安装在喷嘴周围，并从目标物收集用过的蒸汽。 收集器冷凝二手蒸汽收集。 与去离子水蒸汽的接触表面用树脂形成。