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公开(公告)号：KR101018135B1
公开(公告)日：2011-02-25
申请号：KR1020080076155
申请日：2008-08-04
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: G01S13/06
CPC classification number: G02B26/101
Abstract: 본 발명은 반사미러가 회전 및 틸팅되는 구조를 가져 이동물체의 수평방향뿐만 아니라 수직방향까지 스캔하여 주변의 장애물과의 거리를 검출함으로써 공간적인 데이터의 확보를 통해 자율주행이 가능한 자율주행체의 공간 스캔 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100867499B1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：KR1020070019864
申请日：2007-02-27
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은, 기판과; 상기 기판 상에 순차 형성된 n형 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층과; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되고, 위로 돌출된 다수의 양자점을 갖는 자발형성 양자점층을 포함하는, 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물 반도체, 발광 소자, LED, 광추출 효율-
公开(公告)号：KR100843455B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020060080337
申请日：2006-08-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명은 광추출효율을 향상시킨 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는, 제1 도전형 질화물 반도체층; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 제2 도전형 질화물 반도체층; 및 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 도전형 질화물 반도체층 상면에 대해 경사진 결정면을 갖는 복수의 육각 피라미드 질화물 결정체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
피라미드, 질화물 결정체, 전반사, 발광, 요철, 광추출Abstract translation: 本发明涉及一种具有改善的光提取效率的氮化物半导体发光器件及其制造方法，并且根据本发明的氮化物半导体发光器件包括：第一导电型氮化物半导体层; 形成在第一导电型氮化物半导体层上的有源层; 在有源层上形成的第二导电型氮化物半导体层; 并且多个六角锥氮化物晶体形成在第二导电型氮化物半导体层上并且具有相对于第二导电型氮化物半导体层的上表面倾斜的晶面。
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公开(公告)号：KR100843409B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020060121047
申请日：2006-12-01
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체 단결정 및 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것이며, 본 발명의 일 실시 형태는, 단결정 성장용 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 희생층을 성장시키는 단계와, 상기 희생층 상에 서로 다른 굴절률을 갖는 2종의 단결정막을 교대로 적층하여 DBR 구조를 형성하는 단계와, 상기 DBR 구조 상에 반도체 단결정층을 형성하는 단계 및 레이저를 조사하여 상기 희생층을 제거함으로써 상기 DBR 구조로부터 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하는 반도체 단결정 제조방법을 제공한다. 본 발명의 다른 실시 형태는, 단결정 성장용 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 주위영역보다 낮은 에너지 밴드갭을 갖는 희생층을 성장시키는 단계와, 상기 희생층 상에 서로 다른 굴절률을 갖는 2종의 단결정막을 교대로 적층하여 DBR 구조를 형성하는 단계와, 상기 DBR 구조 상에 순차적으로 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계 및 레이저를 조사하여 상기 희생층을 제거함으로써 상기 DBR 구조로부터 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
단결정, 발광소자, DBR, LLO(Laser lift-off), 기판 재사용, 질화물, LEDAbstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体单晶的方法，以及半导体发光装置，本发明的形式的一个实施方案中，包括以下步骤：提供用于单晶生长衬底，在所述衬底上生长牺牲层的步骤，在所述牺牲层， 彼此交替地层叠由照射工序和激光用于形成在台阶上和DBR结构形成DBR结构的半导体单晶层，去除所述牺牲层具有在从DBR结构不同折射率2种单晶膜 并将衬底与衬底分离。 本发明中，2的另一个方面，其包括以下步骤：提供用于单晶生长的衬底，生长具有比所述基板上的周边区域低的能带隙和所述牺牲层上形成具有不同折射率的牺牲层的步骤 通过在DBR结构上依次交替层叠第一导电类型半导体层，有源层和第二导电类型半导体层的单晶膜以形成发光结构来形成DBR结构; 并通过照射激光去除牺牲层来将衬底与DBR结构分开。
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公开(公告)号：KR100826422B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060115248
申请日：2006-11-21
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device is provided to improve recombination efficiency by preventing an overflowing effect of a hole due to an increase of a hole injection length between an active layer and an n type nitride semiconductor layer. A nitride semiconductor device comprises a p type nitride semiconductor layer(27), an n type nitride semiconductor layer(22), an active layer(25) formed between the p type and n type nitride semiconductor layers, and a hole shift prevention layer(24) positioned between the active layer and the n type nitride semiconductor layer. The active layer is formed by laminating a quantum barrier layer and a quantum well layer in a super-lattice structure. The hole shift prevention layer is formed with a nitride semiconductor having an energy band gap larger than the energy band gaps of the quantum barrier layer and the n type nitride semiconductor layer adjacent to the active layer.
Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件，以通过防止由于有源层和n型氮化物半导体层之间的空穴注入长度的增加而导致的空穴溢出效应来提高复合效率。 氮化物半导体器件包括p型氮化物半导体层（27），n型氮化物半导体层（22），形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层之间的有源层（25） ）位于有源层和n型氮化物半导体层之间。 有源层通过层叠超级晶格结构中的量子势垒层和量子阱层而形成。 空穴阻挡层由氮化物半导体形成，该氮化物半导体的能带隙大于与活性层相邻的量子势垒层和n型氮化物半导体层的能带隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100809234B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060078988
申请日：2006-08-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: 본 발명은, 제1 도전형 질화물 반도체로 이루어진 기저층 상면에 복수의 윈도우를 갖는 마스크를 형성하는 단계와, 상기 복수의 윈도우에 노출된 상기 기저층 영역 각각에 상기 기저층 상면에 대해 경사진 결정면을 갖는 육각 피라미드 구조의 제1 도전형 질화물 반도체 결정을 선택적으로 성장시키는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체 결정 표면에 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 마스크는 적어도 2개의 영역을 구분되며, 상기 적어도 2개의 영역에 위치한 윈도우는 각각 서로 다른 크기를 갖도록 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
질화물 결정(nitride crystal), 피라미드(pyramid), 발광다이오드(light emitting diode)-
公开(公告)号：KR1020080018299A
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：KR1020060080192
申请日：2006-08-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/10
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to enhance the light extraction efficiency by employing a multi-layered reflective layer of high reflectivity in a p-side electrode structure. An optical transmission substrate(31) is prepared for nitride semiconductor growth, and a n-type nitride semiconductor layer(32) is formed on the optical transmission substrate. An active layer(33) is formed on the n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. An ohmic contact layer(35) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. A multi-layered reflective layer(36) is formed by alternatively depositing a first layer and a second layer on the ohmic contact layer, the first layer and the second layer having different refraction index. The multi-layered reflective layer has plural opened region for exposing the ohmic contact layer, and a bonding metal(37) is connected to the reflective layer via the opened region.
Abstract translation: 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过在p侧电极结构中采用高反射率的多层反射层来提高光提取效率。 准备用于氮化物半导体生长的光传输基板（31），并且在光传输基板上形成n型氮化物半导体层（32）。 在n型氮化物半导体层上形成有源层（33），在有源层上形成p型氮化物半导体层。 欧姆接触层（35）形成在p型氮化物半导体层上。 通过在欧姆接触层上交替沉积第一层和第二层来形成多层反射层（36），第一层和第二层具有不同的折射率。 多层反射层具有用于使欧姆接触层露出的多个开放区域，并且接合金属（37）经由开放区域与反射层连接。
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公开(公告)号：KR100755610B1
公开(公告)日：2007-09-06
申请号：KR1020060088250
申请日：2006-09-12
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device having a pyramid structure and its fabricating method are provided to obtain easily a p-type nitride semiconductor layer having sufficient hall concentration in a light emitting portion of hexagonal pyramid structure. A p-type nitride semiconductor base layer(102) is formed on a substrate(101). A mask layer(103) having an opening is formed on the p-type nitride semiconductor. A light emitting portion(150) of a hexagonal pyramid structure is grown through the opening of the mask layer. The light emitting portion has a p-type nitride semiconductor crystal of hexagonal pyramid, an active layer(105) and an n-type nitride semiconductor layer.
Abstract translation: 提供具有棱锥体结构的氮化物半导体发光器件及其制造方法，以容易地获得在六角锥体结构的发光部分中具有足够的霍尔浓度的p型氮化物半导体层。 在基板（101）上形成p型氮化物半导体基底层（102）。 在p型氮化物半导体上形成具有开口的掩模层（103）。 通过掩模层的开口生长六角锥形结构的发光部分（150）。 发光部分具有六角锥的p型氮化物半导体晶体，有源层（105）和n型氮化物半导体层。
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公开(公告)号：KR1020100015210A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020080076154
申请日：2008-08-04
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: G01S13/06
Abstract: PURPOSE: A space scanner of self-control moving object is provided to obtain special date by scanning vertically and horizontally. CONSTITUTION: A rotation driving part(100) generates torque. A driving transmission part receives the torque of the rotation driving part. A frame(300) contains the driving transmission part inside. The frame converts torque from the driving transmission part to vertical transmission force. A reflective mirror is hinge-coupled with the rotation driving part. The reflective mirror(M) revolves at the prescribed direction.
Abstract translation: 目的：提供自动移动物体的空间扫描仪，通过垂直扫描和水平扫描获得特殊日期。 构成：旋转驱动部（100）产生转矩。 驱动传递部接收旋转驱动部的扭矩。 框架（300）内部包含驱动传动部件。 框架将来自驱动传递部分的扭矩转换成垂直传递力。 反光镜与旋转驱动部铰接。 反射镜（M）在规定的方向旋转。
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公开(公告)号：KR1020090129797A
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：KR1020080055892
申请日：2008-06-13
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: PURPOSE: A distance measuring device is provided to secure the appropriate amount of detected reflection light and to improve the accuracy of the distance detection. CONSTITUTION: A distance measuring device comprises a light source(11), a collimation lens(12), an optical sensor, a mirror(14) and a light accepting lens(13). The light source creates the reference beam for distance measurement. The collimation lens changes the reference beam emitted from the light source to the collimated light. The optical sensor is neighbor-arranged in the light source. The mirror changes a route to make a reference light passing through the collimation lens toward a measurement target. The light accepting lens is arranged between the light source and the mirror. The light accepting lens focuses the reflection light, reflected from the mirror, on the optical sensor.
Abstract translation: 目的：提供距离测量装置，以确保适当量的检测到的反射光，并提高距离检测的准确性。 构成：测距装置包括光源（11），准直透镜（12），光学传感器，反射镜（14）和受光透镜（13）。 光源创建用于距离测量的参考光束。 准直透镜将从光源发射的参考光束改变为准直光。 光传感器相邻布置在光源中。 镜子改变路线以使参考光通过准直透镜朝测量目标。 光接收透镜布置在光源和反射镜之间。 光接收透镜将从反射镜反射的反射光聚焦在光学传感器上。
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