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公开(公告)号：KR1020050091818A
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：KR1020040016473
申请日：2004-03-11
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/06 , H01L33/325
Abstract: 모노리식 백색발광소자에 관해 개시한다. 발광소자는 활성층에 서브밴드를 형성하는 실리콘 또는 희토류금속이 도핑되어 있다. 활성층은 하나 또는 둘이며, 둘인 경우에는 그 사이에 크래딩레이어가 개재된다. 이러한 발광구조에 의해 백색광의 반도체 발광이 가능해지고 따라서 형광체의 도움이 필수적이지 않다. 이러한 모노리식 백색발광소자는 제작이 용이하고 저렴하다. 또한 그 응용분야가 기존의 형광체 도움에 의한 백색광 발광소자에 비해 넓다.
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公开(公告)号：KR1020080022459A
公开(公告)日：2008-03-11
申请号：KR1020060085897
申请日：2006-09-06
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/0079
Abstract: A method for manufacturing a nitride-based semiconductor light emitting device is provided to easily separate and remove a substrate from a semiconductor device through chemical lift-off. A sacrificial layer(12) having good wet etching property is formed on a substrate(10), and then a passivation layer(14) is formed on the sacrificial layer to protect the sacrificial layer under a reaction gas atmosphere. Plural masking dots of a metal nitride are formed on the passivation layer. A nitride-based semiconductor layer(30) is formed on the passivation layer through laterally epitaxially growing using the masking dots as masks. A semiconductor device(50) comprising an n-type semiconductor layer(42), an active layer(44), and a p-type semiconductor layer(46) is formed on the nitride-based semiconductor layer. The sacrificial layer is wet-etched to separate or remove the substrate from the semiconductor device.
Abstract translation: 提供一种用于制造氮化物基半导体发光器件的方法，用于通过化学剥离容易地从半导体器件分离和去除衬底。 在衬底（10）上形成具有良好湿法蚀刻性能的牺牲层（12），然后在牺牲层上形成钝化层（14），以在反应气体气氛下保护牺牲层。 在钝化层上形成金属氮化物的多个掩蔽点。 通过使用掩模点作为掩模通过横向外延生长在钝化层上形成氮化物基半导体层（30）。 在氮化物基半导体层上形成包括n型半导体层（42），有源层（44）和p型半导体层（46）的半导体器件（50）。 将牺牲层湿式蚀刻以从半导体器件分离或去除衬底。
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公开(公告)号：KR100744933B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020030070984
申请日：2003-10-13
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/007 , C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L29/2003
Abstract: 본 발명은 Si 기판 상에 형성된 질화물 반도체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되며 보이드(void)를 함유한 중간층; 상기 중간층 상에 형성된 평탄화층; 및 상기 평탄화층 상에 형성된 질화물 반도체층;을 포함하는 질화물 반도체 및 그 제조 방법을 제공한다. 따라서, 내부의 결정 결함, 전위 또는 크랙의 발생을 크게 감소시킨 질화물 반도체를 저비용으로 대량 생산이 가능하다.
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公开(公告)号：KR100682872B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020040103113
申请日：2004-12-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 본 발명은 기판 표면에 형성된 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 반도체 발광 소자를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상에 금속층을 형성시키고, 상기 금속층을 양극 산화하여 홀이 형성된 금속 산화층으로 형성시키고 그 자체로 요철 구조 패턴으로 사용하거나, 상기 금속 산화층의 홀에 대응되도록 상기 금속 산화층 하부의 기판 또는 물질층 내에 홀을 형성시켜 요철 구조 패턴으로 사용하여 그 상부에 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층을 순차적을 형성시킴으로써 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100568297B1
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：KR1020040021801
申请日：2004-03-30
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/22 , Y10S257/918
Abstract: 본 발명은 플립 칩 본딩 구조에서 빛이 방출되는 기판의 상하면에 각각 광경도를 바꿀 수 있는 패턴을 형성하여 계면에서의 전반사 특성을 감소시킴으로서 발광 효율을 개선한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 광원이 임계각내로 입사되도록 상하부면에 반구 형상의 요철이 형성되며, 질화갈륨계 반도체 물질을 성장시키기 위한 기판; 상기 기판의 일면상에 형성되는 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상의 일부 영역이 노출되도록 상기 n형 질화물 반도체층의 상부에 형성되는 활성층; 상기 활성층의 상부에 형성되는 p형 질화물 반도체층; 상기 p형 질화물 반도체층의 상부에 형성되는 p측 전극; 및, 상기 n형 질화물 반도체층의 노출된 일부 영역 상에 형성되는 n측 전극을 포함하여 형성한다.
LED, 기판, 요철 패턴, 굴절율, 전반사,-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050038207A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：KR1020030073442
申请日：2003-10-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/16
Abstract: 본 발명은 발광 소자(light emitting device)에 관한 것이다. 한개 이상의 곡면형 돌출부를 포함하는 기판을 지닌 발광 소자를 제공함으로써, 반도체 결정층의 성장 및 발광 소자의 완성된 형태에서도 균일한 결함 밀도 제어 및 스트레스 분포의 제어가 용이한 기판 및 이를 채용한 발광 소자를 제공할 수 있다. 또한, 발광층에서 발생한 빛의 발광 소자 외부로의 추출 효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080043648A
公开(公告)日：2008-05-19
申请号：KR1020060112449
申请日：2006-11-14
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/44
Abstract: A method for manufacturing a vertical light emitting element is provided to form reliably and easily a passivation layer by performing a passivation deposition process in a forwardly inclined state of a sidewall of a light emitting layer. A light emitting layer(120) including an n type semiconductor layer(122), an active layer(123), and a p type semiconductor layer(124) is formed on a substrate. A first trench is formed on the light emitting layer. A passivation layer(130) is formed on the light emitting layer. A p type electrode(140) is formed on the p type semiconductor layer of the light emitting layer. A metal supporting layer(150) is formed on the passivation layer and the p type electrode. The substrate is removed. The remaining part of the light emitting layer is removed by etching the exposed surface of the light emitting layer. A p type electrode(160) is formed on the n type semiconductor layer. The light emitting layer is divided into light emitting device units by cutting the metal supporting layer.
Abstract translation: 提供一种用于制造垂直发光元件的方法，以通过在发光层的侧壁的向前倾斜状态下进行钝化沉积工艺来可靠且容易地形成钝化层。 在基板上形成包括n型半导体层（122），有源层（123）和p型半导体层（124）的发光层（120）。 在发光层上形成第一沟槽。 在发光层上形成钝化层（130）。 在发光层的p型半导体层上形成p型电极（140）。 在钝化层和p型电极上形成金属支撑层（150）。 去除衬底。 通过蚀刻发光层的暴露表面来去除发光层的剩余部分。 p型电极（160）形成在n型半导体层上。 通过切割金属支撑层将发光层分成发光器件单元。
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公开(公告)号：KR100714639B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020030073442
申请日：2003-10-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/16
Abstract: 본 발명은 발광 소자(light emitting device)에 관한 것이다. 한개 이상의 곡면형 돌출부를 포함하는 기판을 지닌 발광 소자를 제공함으로써, 반도체 결정층의 성장 및 발광 소자의 완성된 형태에서도 균일한 결함 밀도 제어 및 스트레스 분포의 제어가 용이한 기판 및 이를 채용한 발광 소자를 제공할 수 있다. 또한, 발광층에서 발생한 빛의 발광 소자 외부로의 추출 효율을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070008026A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020050062926
申请日：2005-07-12
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0075
Abstract: An LED is provided to increase inner light emitting efficiency by enlarging the slope angle of an active layer, and to increase light reflection efficiency of a reflection electrode formed on a p-GaN layer by making the p-GaN layer have a smaller slope angle than that of the active layer. An n-GaN layer(20) having a plurality of protrusions(22) is formed on a substrate(10), having an uneven surface caused by the protrusions so that the lateral surface(22a) of the protrusion is tilted with respect to the upper surface of the substrate by a first slope angle alpha(35 degrees
Abstract translation: 提供LED以通过扩大有源层的倾斜角度来提高内部发光效率，并且通过使p-GaN层具有比p-GaN层更小的倾斜角来提高形成在p-GaN层上的反射电极的光反射效率 活动层的。 具有多个突起（22）的n-GaN层（20）形成在基板（10）上，具有由突起引起的不平坦表面，使得突起的侧表面（22a）相对于 衬底的上表面以第一倾斜角α（35度<=α<= 90度）。 沿着n-GaN层的轮廓在n-GaN层上形成有源层（30），在突起的侧面上具有倾斜面（30a），使得倾斜面相对于上部 表面的第二倾斜角β（35度<=β<=α）。 沿着有源层的轮廓在有源层上形成p-GaN层（40），在有源层的斜面上具有倾斜表面（40a），使得斜面相对于斜面倾斜 的活性表面具有第三倾斜角γ（20度<=γ<=β）。 p-GaN层的斜面与活性层的倾斜面和突起的侧面不平行。 在由反射率高的金属制成的p-GaN层上形成p电极（50）。 n电极（60）形成在对应于p电极的n-GaN层的预定区域上。
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公开(公告)号：KR100624449B1
公开(公告)日：2006-09-18
申请号：KR1020040103112
申请日：2004-12-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/22
Abstract: 본 발명은 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 발광소자에 있어서, 요철 구조로 형성된 제 1반도체층; 상기 제 1반도체층의 요철 구조의 패턴 사이에 형성된 중간층; 상기 제 1반도체층 및 상기 중간층 상에 순차적으로 형성된 제 2반도체층, 활성층 및 제 3반도체층;을 포함하는 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다.
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