公开(公告)号：KR100620437B1

公开(公告)日：2006-09-11

申请号：KR1020050004194

申请日：2005-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 왕윤경 ,  김경미 ,  김영호 ,  김재현

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

Abstract: 감광성 수지, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 감광성 수지는, 산에 의해 반응하기 쉬운 불안정성 단위인 블록킹 그룹을 포함하고, 6000 내지 8000의 중량 평균 분자량을 가지며, 블록킹 비율이 5 내지 40%이다. 상기 감광성 수지를 사용함으로서, 반응성 결함이 감소된 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060084094A

公开(公告)日：2006-07-24

申请号：KR1020050004099

申请日：2005-01-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 류진아 ,  김부득 ,  김재호 ,  김영호 ,  김경미 ,  윤상웅

IPC: G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0392

Abstract: 감광성 폴리머, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조 방법에서, 감광성 폴리머는 하기 일반식 (1)의 반복 단위로 이루어지며 1000 내지 100000의 분자량을 갖는다. 노광된 부위 및 노광되지 않은 부위의 포토레지스트막의 현상액에 대한 용해도 차이를 극대화할 수 있으며, 이에 따라, 보다 미세한 패턴을 정확하게 형성함과 동시에, 라인 에지 러프니스를 최소화할 수 있다.
......(1)
(상기 일반식 (1)에 있어서, R은 1 내지 20의 탄소수를 갖는 산 분해성 탄화수소기이다.)

Abstract translation: 在光敏聚合物，光致抗蚀剂组合物以及使用该光致抗蚀剂图案包括它是由重复以下通式（1）的单元的相同的，光敏聚合物的制造方法具有1,000的分子量为100,000。 为了最大限度地提高在光致抗蚀剂膜显影的部分的溶解度的曝光区域和未曝光的差异，并且因此，也以形成更精确的精细图案，并在同一时间，有可能以最小化线边缘粗糙度。

公开(公告)号：KR1020050113788A

公开(公告)日：2005-12-05

申请号：KR1020040038896

申请日：2004-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  윤여영 ,  왕윤경 ,  김재호 ,  김영호 ,  김부득

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  G03F7/091

Abstract: 포토레지스트 패턴의 현상 결함을 방지할 수 있는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 상기 조성물은 패터닝을 위한 목적물 상에 도포되고, 모노페닐술포늄염, 트리페닐술포늄염 또는 이들의 혼합물을 포함하는 광산 발생제 0.1 내지 0.5중량%, 폴리머 수지 2 내지 10중량% 및 여분의 용매를 포함한다. 상술한 조성을 갖는 포토레지스트 조성물은 수직 프로파일을 갖고, 저면에 푸팅 현상이 발생하지 않으며, 상부의 손실이 없는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR102235041B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020140016081

申请日：2014-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주 ,  김경미 ,  김재호 ,  최정식

IPC: H01L21/027

Abstract: 반도체소자의제조하는방법을제공한다. 반사방지막상에감광성및 리플로우특성을갖는중성막을형성하고, 중성막을노광및 현상하여, 반사방지막을부분적으로노출시키는예비중성패턴을형성하고, 예비중성패턴을가열하여중성패턴을형성하며, 중성패턴상에블록코폴리머막을형성한후 블록코폴리머막을가열하여, 노출된반사방지막상에제1 패턴과, 중성패턴상에제1 패턴에공유결합된제2 패턴을포함하는블록코폴리머패턴을형성한다.

公开(公告)号：KR1020120026314A

公开(公告)日：2012-03-19

申请号：KR1020100088467

申请日：2010-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주 ,  김경미 ,  양주형 ,  이보희 ,  김민정 ,  김재호 ,  김영호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/70916

Abstract: PURPOSE: A method of forming a micropattern is provided to improve LWR(Line Width Roughness) by forming a line-and-space pattern using a negative tone developer. CONSTITUTION: A photoresist(130) is spread on a substrate(110). The photoresist is exposed to outside by corresponding to the pattern of a line-and-space The non-exposure unit of the photoresist is removed using a negative tone developer to form the line-and-space pattern. The space of a spin-on-oxide material is formed in the side wall of the line-and-space pattern. The line-and-space pattern is removed by the developer.

Abstract translation: 目的：提供一种形成微图案的方法，通过使用负色调显影剂形成线间距图案来提高LWR（线宽粗糙度）。 构成：将光致抗蚀剂（130）铺展在基底（110）上。 光致抗蚀剂通过对应于线和空间的图案而暴露于外部。使用负色调显影剂除去光致抗蚀剂的非曝光单元以形成线间距图案。 旋转氧化物材料的空间形成在线间距图案的侧壁中。 线和空间图案由开发者移除。

公开(公告)号：KR1020080047860A

公开(公告)日：2008-05-30

申请号：KR1020060117827

申请日：2006-11-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  김재호 ,  김영호 ,  김부득 ,  한석

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/40 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: A pattern forming method and a method for manufacturing a capacitor using the same are provided to maximize the process efficiency by completely removing a third buffer layer pattern only using a developer without performing a plasma ashing process. A conductive layer having a uniform thickness is formed on a mold layer with an opening. A first buffer layer pattern(115) is embedded in the opening formed the conductive layer, and includes linear polymers having an anthracene-methyl methacrylate cyclic unit and an alkoxy vinyl benzene cyclic unit. The first buffer layer pattern is hardened to form a second buffer layer pattern which is cross-linked with the polymers by hardening the first buffer layer pattern and has insolubility for a developer. The conductive layer is removed from the upper portion of the mold layer by using the second buffer layer pattern an etching mask.

Abstract translation: 提供了使用其形成电容器的图案形成方法和方法，以通过仅使用显影剂完全去除第三缓冲层图案而不进行等离子体灰化处理来最大化处理效率。 在具有开口的模具层上形成具有均匀厚度的导电层。 第一缓冲层图案（115）嵌入形成导电​​层的开口中，并且包括具有蒽 - 甲基丙烯酸甲酯环状单元和烷氧基乙烯基苯环单元的直链聚合物。 第一缓冲层图案被硬化以形成第二缓冲层图案，其通过硬化第一缓冲层图案并对显影剂具有不溶性而与聚合物交联。 通过使用第二缓冲层图案的蚀刻掩模，从模制层的上部去除导电层。

公开(公告)号：KR1020080006210A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：KR1020060065060

申请日：2006-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  김재호 ,  김영호

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0048

Abstract: A photoresist composition and a patterning method are provided to keep high-resolution characteristics of a photoresist pattern and to form a finer pattern exactly at the same time. A photoresist composition includes 87.5-97.5wt% of a mixed solvent, a photosensitive resin, and a photoacid generator. The mixed solvent is obtained by mixing a propylene glycol monomethyl ether solvent with an ester solvent having higher polarity than the propylene glycol monomethyl ether. A method for forming a photoresist pattern includes the steps of: (S102) coating a semiconductor substrate with the photoresist composition to form a photoresist layer; (S104) performing selective exposure of the photoresist layer using a light source; (S106) developing the exposed photoresist layer to form a photoresist pattern; and (S110) to reduce a width of the photoresist pattern, subjecting a photoresist pattern-formed object to a reflow process.

Abstract translation: 提供光致抗蚀剂组合物和图案化方法以保持光刻胶图案的高分辨率特性并且精确地同时形成更精细的图案。 光致抗蚀剂组合物包含87.5-97.5重量％的混合溶剂，光敏树脂和光酸产生剂。 混合溶剂通过将丙二醇单甲醚溶剂与丙二醇单甲醚的极性高的酯溶剂混合而获得。 形成光致抗蚀剂图案的方法包括以下步骤：（S102）用光致抗蚀剂组合物涂覆半导体衬底以形成光致抗蚀剂层; （S104）使用光源进行光致抗蚀剂层的选择性曝光; （S106）显影曝光的光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案; 和（S110），以减小光致抗蚀剂图案的宽度，对光致抗蚀剂图案形成的物体进行回流处理。

公开(公告)号：KR100564694B1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：KR1020040003307

申请日：2004-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  윤여영 ,  김재호 ,  김영호 ,  이시용

IPC: C07F7/12

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C07F7/12 ,  G03F7/0751

Abstract: 포토레지스트의 접착력을 강화시킬 수 있는 접착제 화합물과 이를 이용한 포토레지스트층과 기판 사이의 접착력 향상방법, 그리고 포토레지스트 패턴의 형성방법이 개시된다. 이를 위하여 하기 화학식 2로 표시되는 (디클로로테트라메틸)디실라잔((dichlorotetramethyl)disilazane) 화합물이 제공된다. 또한, 기판 상에 하기 화학식 2로 표시되는 접착제 화합물을 포함하는 접착제층과 포토레지스트층을 차례로 형성한 후, 상기 포토레지스트층이 형성된 기판을 베이킹하여 접착력을 강화하는 방법 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법을 제공한다. 포토레지스트층와 하부막과의 접착력을 향상시킬 수 있고, 높은 종횡비를 가지는 포토레지스트 패턴의 형성 과정에서 발생되는 패턴의 쓰러짐을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050070493A

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：KR1020030100087

申请日：2003-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심우석 ,  김재환 ,  오석환 ,  조경용 ,  김경미

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼의 포토리소그래피 공정에 있어서, 세정 및 건조 과정에서 포토레지스트 패턴이 쓰러지는 기술적 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 상기 반도체 웨이퍼를 지지하고, 온도 조절이 가능한 가열 플레이트; 및 상기 반도체 웨이퍼를 밀봉하여, 상기 반도체 웨이퍼 주위를 진공 또는 감압 상태로 유지시키는 밀봉 케이스를 포함하여 구성되는데, 상기 구성을 통해 반도체 웨이퍼를 회전시키지 않고도 세정 과정 후 반도체 웨이퍼 상에 잔존하는 탈이온수(DIW) 또는 계면활성제를 효과적으로 제거할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050045519A

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：KR1020030079609

申请日：2003-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재호 ,  김경미 ,  이시용 ,  윤여영

IPC: H01L21/027

Abstract: 포토레지스트 분사 장치는 포토레지스트가 저장된 용기에 연결된 포토레지스트 분사 노즐을 포함한다. 포토레지스트 분사 노즐은 웨이퍼 상으로 포토레지스트를 토출하는 노즐 팁을 갖는다. 노즐 팁으로 공기를 분사하여 포토레지스트가 노즐 팁에서 응고하는 현상을 방지하는 공기 분사 유닛을 포함한다. 공기 분사 유닛은 공기 공급원 및 공기 공급원에 연결되고 분사 노즐의 외주면에 설치된 공기 분사 노즐을 포함한다. 공기 분사 노즐에는 공기의 분사 방향을 노즐 팁으로 안내하는 가이드 부재가 설치될 수 있다. 공기 분사 유닛으로부터 노즐 팁으로 공기가 분사됨으로써, 노즐 팁에서 포토레지스트가 응고되는 현상이 방지된다. 따라서, 응고된 포토레지스트가 노즐 팁을 부분적으로 막거나, 또는 분사되는 포토레지스트와 함께 웨이퍼 상으로 제공되어 결함을 유발하는 현상도 방지된다.