公开(公告)号：KR1020080009581A

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：KR1020060069352

申请日：2006-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김명선 ,  김영호 ,  이창호 ,  강경림 ,  이정훈 ,  김영훈 ,  박경실 ,  양주형

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144

Abstract: A method for forming a semiconductor device is provided to suppress generation of particles since an etch mask is formed by etching a coating layer using a spin coating. A method for forming a semiconductor device includes the steps of: forming a coating film(120) on a substrate(110); forming a first photoresist film(130) and a second photoresist film(140) on the coating film; forming a coating film pattern, a first photoresist pattern, and a second photoresist pattern by patterning the coating film, the first photoresist film, and the second photoresist film; and etching the exposed substrate. The second photoresist film includes Si. The first step includes the step of forming a spin-on hard mask layer.

Abstract translation: 提供了形成半导体器件的方法，以抑制由于通过使用旋转涂层蚀刻涂层而形成蚀刻掩模来产生微粒。 一种形成半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底（110）上形成涂膜（120）; 在涂膜上形成第一光致抗蚀剂膜（130）和第二光致抗蚀剂膜（140）; 通过图案化所述涂膜，所述第一光致抗蚀剂膜和所述第二光致抗蚀剂膜来形成涂膜图案，第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案; 并蚀刻暴露的衬底。 第二光致抗蚀剂膜包括Si。 第一步包括形成旋涂硬掩模层的步骤。

公开(公告)号：KR1020080038986A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：KR1020060106585

申请日：2006-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박경실 ,  이창호 ,  이홍 ,  김도영 ,  최남욱 ,  이정훈 ,  김영훈 ,  류진아 ,  김명선 ,  양주형 ,  이명숙

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0276 ,  B08B3/12 ,  G03F7/70925 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/6704

Abstract: A method for forming a photoresist pattern is provided to coat a subsequentially formed layer without causing defects by performing a cleaning process for converting the surface of a hard mask layer including an SOG(spin on glass) material into a hydrophilic material. A preliminary hard mask layer including carbon as an SOG material can be formed on a substrate. A hard mask layer including a SOG material is formed on the resultant structure(S100). A cleaning process for surface treatment is performed to make the surface of the hard mask layer have a hydrophilic property(S110). An ARC(anti-reflective coating) is formed on the hard mask layer(S120). A photoresist layer is formed on the ARC(S130). The photoresist layer is patterned to form a photoresist pattern(S140).

Abstract translation: 提供形成光致抗蚀剂图案的方法，以通过执行用于将包括SOG（玻璃上旋转）材料的硬掩模层的表面转化为亲水材料的清洁处理而涂覆后续形成的层而不引起缺陷。 可以在基板上形成包括作为SOG材料的碳的初步硬掩模层。 在所得结构上形成包括SOG材料的硬掩模层（S100）。 进行表面处理的清洗工序，使硬掩模层的表面具有亲水性（S110）。 在硬掩模层上形成ARC（抗反射涂层）（S120）。 在ARC上形成光致抗蚀剂层（S130）。 图案化光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案（S140）。

公开(公告)号：KR1020080025818A

公开(公告)日：2008-03-24

申请号：KR1020060090448

申请日：2006-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정훈 ,  이창호 ,  김영훈 ,  박경실 ,  김명선 ,  양주형 ,  이명숙

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3086 ,  G03F7/70433 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144

Abstract: A method for forming a hard mask is provided to obtain a photoresist pattern with finer line width while reducing standing wave formation in photoresist by forming the photoresist pattern on a spin-on carbon layer that has low reflectivity to ArF laser. A method for forming a hard mask comprises the steps of: forming a first layer(21) above a substrate(1), wherein the first layer is a spin-on carbon that is an amorphous carbon layer; forming a photoresist pattern(32) above the first layer; forming a second layer(41) having a reflectivity higher than that of the first layer, wherein the second layer is a spin-on glass layer that is a silicon oxide layer; removing the second layer until the photoresist pattern is exposed; removing the photoresist pattern to form a second pattern; and etching the first layer using the second pattern as an etching mask, to form a first pattern.

Abstract translation: 提供一种形成硬掩模的方法，以通过在对ArF激光器具有低反射率的旋涂碳层上形成光致抗蚀剂图案来减少光致抗蚀剂中的驻波形成，从而获得具有更细线宽的光刻胶图案。 形成硬掩模的方法包括以下步骤：在衬底（1）上形成第一层（21），其中第一层是作为无定形碳层的旋涂碳; 在所述第一层上形成光致抗蚀剂图案（32）; 形成具有高于第一层的反射率的第二层（41），其中第二层是作为氧化硅层的旋涂玻璃层; 去除第二层，直到光刻胶图案曝光; 去除光致抗蚀剂图案以形成第二图案; 并且使用第二图案蚀刻第一层作为蚀刻掩模，以形成第一图案。

公开(公告)号：KR1020130017664A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020110080235

申请日：2011-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양주형 ,  강율 ,  이형래 ,  신규식 ,  김재호 ,  이동준

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28123 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838 ,  G03F7/70916 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/76801

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal pattern and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to prevent a photoresist pattern from being damaged in a metal layer etching process by forming a thin film capping layer on the surface of the photoresist pattern formed on the metal layer. CONSTITUTION: A metal layer is formed on a substrate(10). A photoresist pattern(30) is formed on the metal layer. A capping layer(50) is formed by coating the photoresist pattern with overcoating compositions including polymer materials and solvents. The remaining overcoating compositions are removed. The metal layer is etched by using the capping layer and the photoresist pattern as an etch mask.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属图案的方法和半导体器件的制造方法，以在金属层蚀刻工艺中防止光致抗蚀剂图案被损坏，该方法是在形成在该金属层上的光致抗蚀剂图案的表面上形成薄膜覆盖层 金属层。 构成：在基板（10）上形成金属层。 在金属层上形成光刻胶图案（30）。 通过用包含聚合物材料和溶剂的外涂组合物涂覆光致抗蚀剂图案来形成覆盖层（50）。 除去剩余的外涂组合物。 通过使用覆盖层和光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻金属层。

公开(公告)号：KR1020120026314A

公开(公告)日：2012-03-19

申请号：KR1020100088467

申请日：2010-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정주 ,  김경미 ,  양주형 ,  이보희 ,  김민정 ,  김재호 ,  김영호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/70916

Abstract: PURPOSE: A method of forming a micropattern is provided to improve LWR(Line Width Roughness) by forming a line-and-space pattern using a negative tone developer. CONSTITUTION: A photoresist(130) is spread on a substrate(110). The photoresist is exposed to outside by corresponding to the pattern of a line-and-space The non-exposure unit of the photoresist is removed using a negative tone developer to form the line-and-space pattern. The space of a spin-on-oxide material is formed in the side wall of the line-and-space pattern. The line-and-space pattern is removed by the developer.

Abstract translation: 目的：提供一种形成微图案的方法，通过使用负色调显影剂形成线间距图案来提高LWR（线宽粗糙度）。 构成：将光致抗蚀剂（130）铺展在基底（110）上。 光致抗蚀剂通过对应于线和空间的图案而暴露于外部。使用负色调显影剂除去光致抗蚀剂的非曝光单元以形成线间距图案。 旋转氧化物材料的空间形成在线间距图案的侧壁中。 线和空间图案由开发者移除。

公开(公告)号：KR102210467B1

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：KR1020130081629

申请日：2013-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  양주형 ,  김재호 ,  최정식

IPC: H01L21/027

Abstract: 본발명은패턴형성방법을제공한다. 이방법에서는네거티브타입의포토레지스트막에대하여연속적으로두번이상의노광공정을진행하여, 노광공정의한계치수보다작은크기의패턴형성이가능하다.

公开(公告)号：KR1020150007548A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：KR1020130081629

申请日：2013-07-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경미 ,  양주형 ,  김재호 ,  최정식

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  G03F7/20 ,  G03F7/203 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/0274 ,  G03F1/80

Abstract: 본 발명은 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법에서는 네거티브 타입의 포토레지스트막에 대하여 연속적으로 두번 이상의 노광 공정을 진행하여, 노광 공정의 한계 치수보다 작은 크기의 패턴 형성이 가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及通过克服曝光过程的限制来形成可以形成微图案的图案的方法。 根据本发明的形成图案的方法包括以下步骤：在基板上形成待蚀刻的层; 在待蚀刻的层上形成光致抗蚀剂层; 形成彼此间隔开的第一光致抗蚀剂图案; 形成彼此间隔开的第二光致抗蚀剂图案; 并暴露待蚀刻层的上部。