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公开(公告)号：KR100571019B1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：KR1020040003012
申请日：2004-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/075
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/0751
Abstract: 하부기판과 포토레지스트층의 접착력을 향상시키면서, 포토레지스트의 잔류를 최소화할 수 있는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물과 이를 이용한 포토레지스트의 패턴의 형성방법이 개시된다. 이를 위하여 하기 화학식 2로 표시되는 포토레지스트층 접착용 감광성 화합물과 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법이 제공된다(단, 상기 화학식 2에서 R은 광산발생기(photoacid generator)이다). 현상과정에서 노광된 포토레지스트층과 접착제층이 함께 제거되어 불필요한 포토레지스트의 잔류를 용이하게 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100506940B1
公开(公告)日：2005-08-05
申请号：KR1020030054762
申请日：2003-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/312
CPC classification number: H01L23/3192 , H01L21/02118 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/312 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
Abstract: 감광성 폴리이미드막을 사용하여 반도체소자를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은 반도체기판 상부에 감광성 폴리이미드막 및 포토레지스트막을 차례로 형성하는 것을 구비한다. 상기 포토레지스트막은 500Å 또는 그보다 작은 두께로 형성한다. 상기 포토레지스트막 및 상기 감광성 폴리이미드막을 포토 마스크를 사용하여 노광시킨다. 상기 노광 공정 동안 상기 포토 마스크의 바코드 영역 및/또는 마스크 정렬키 영역을 통과하는 반사광들이 발생될지라도, 상기 포토레지스트막의 존재에 기인하여 상기 반사광들에 의해 상기 감광성 폴리이미드막의 소정영역이 노광되는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040028387A
公开(公告)日：2004-04-03
申请号：KR1020020059557
申请日：2002-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/324
Abstract: PURPOSE: A baking apparatus for manufacturing a semiconductor device is provided to be capable of restraining a chamber from being directly exposed to the outside circumstance due to the transfer of a substrate. CONSTITUTION: A baking apparatus for manufacturing a semiconductor device is provided with a plate(110) for loading a substrate(12), a heat supply part(112) for baking the substrate, and a chamber(10) having a gate for the substrate. The baking apparatus further includes an air flow part(20) for continuously flowing air to the gate portion of the chamber. Preferably, the air flow part includes a nozzle part(210) installed at the upper portion of the gate for flowing the air to the gate, an air line(212) connected with the nozzle part, an air filter(214) installed on the air line for filtering contaminants, an air heating part(216) installed on the air line for heating the air.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的烘烤装置，以能够限制室由于基板的转移而直接暴露于外部环境。 构成：用于制造半导体器件的烘烤装置设置有用于加载基板（12）的板（110），用于烘焙基板的供热部（112）和具有用于基板的栅极的室（10） 。 烘烤装置还包括用于将空气连续流动到室的门部的气流部分（20）。 优选地，空气流动部分包括安装在闸门上部的喷嘴部分（210），用于使空气流到门，与喷嘴部分连接的空气管线（212），安装在喷嘴部分上的空气过滤器（214） 用于过滤污染物的空气管线，安装在空气管线上用于加热空气的空气加热部件（216）。
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24.发明公开감광성 반사 방지막 형성용 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 无效用于感光型底漆底漆抗反射涂料的组合物，使用其的图案的制造方法以及使用其的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020110088809A
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020100008495
申请日：2010-01-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/095 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/11 , H01L21/0276
Abstract: PURPOSE: A composition for forming a photosensitive type anti-reflective coating, a pattern forming method using the same, and a semiconductor device manufacturing method using the same are provided to form superior trench patterns based on little amount of exposed light. CONSTITUTION: A composition for forming a photosensitive type anti-reflective coating includes a photoacid generator containing onium salt and a photo-resist agent reacting with i-line light. The onium salt includes sulfonate. The sulfonate includes a sulfonate cation part represented by chemical formula 1 and a sulfonate anion part represented by chemical formula 2. In the chemical formula 1, the A, the B, and the C includes C1 to C20 alkyl group, C2 to C20 alkoxy group, C4 to C20 aryl group, C3 to C20 cyclo alkyl group, or C5 to C20 alkoxycyclo alkyl group. In the chemical formula 2, the n is 1 to 3. The X includes C4 to C10 cyclic group, alkyl group, cycloalkyl group, and other groups.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成感光型抗反射涂层的组合物，使用该组合物的图案形成方法和使用该组合物的半导体器件制造方法，以基于少量的曝光而形成优异的沟槽图案。 构成：用于形成感光型抗反射涂层的组合物包括含有鎓盐的光酸产生剂和与i线光反应的光致抗蚀剂。 鎓盐包括磺酸盐。 磺酸盐包括由化学式1表示的磺酸盐阳离子部分和由化学式2表示的磺酸根阴离子部分。在化学式1中，A，B和C包括C1〜C20烷基，C2〜C20烷氧基 C4〜C20芳基，C3〜C20环烷基或C5〜C20烷氧基环烷基。 在化学式2中，n为1〜3。X包括C 4〜C 10的环状基，烷基，环烷基等。
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公开(公告)号：KR1020080111312A
公开(公告)日：2008-12-23
申请号：KR1020070059548
申请日：2007-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/11 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274
Abstract: A photoresist pattern method for forming passivation layer and a fine pattern forming method using this are provided to limit exposure areas and unexposed areas in a photoresist film which covers a substrate by using exposure processes of 2 time. A photoresist pattern method for forming passivation layer comprises the following processes. A photoresist film(70) is formed on a substrate(51). Exposure areas(71,72) and unexposed area(70R) are limited to the photoresist film by using an exposure process. A reactant layer(80) is formed on the photoresist film having exposure areas. By using a chemical attachment process, the reactant layer is reacted and the protective film is formed on exposure areas. Photoresist patterns are formed by removing unexposed areas and the reactant layer which is remained after the reaction by using a photolithography process. A protective film remains on the photoresist patterns.
Abstract translation: 提供一种用于形成钝化层的光致抗蚀剂图案方法和使用这种方法的精细图案形成方法，以通过使用2次的曝光处理来限制覆盖基板的光致抗蚀剂膜中的曝光区域和未曝光区域。 用于形成钝化层的光致抗蚀剂图案方法包括以下处理。 在基板（51）上形成光致抗蚀剂膜（70）。 曝光区域（71,72）和未曝光区域（70R）通过曝光处理限于光致抗蚀剂膜。 在具有曝光区域的光致抗蚀剂膜上形成反应物层（80）。 通过使用化学附着工艺，使反应层发生反应，并在曝光区域形成保护膜。 通过使用光刻工艺去除未曝光的区域和反应后残留的反应物层形成光致抗蚀剂图案。 保护膜保留在光致抗蚀剂图案上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080047860A
公开(公告)日：2008-05-30
申请号：KR1020060117827
申请日：2006-11-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/40 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/91
Abstract: A pattern forming method and a method for manufacturing a capacitor using the same are provided to maximize the process efficiency by completely removing a third buffer layer pattern only using a developer without performing a plasma ashing process. A conductive layer having a uniform thickness is formed on a mold layer with an opening. A first buffer layer pattern(115) is embedded in the opening formed the conductive layer, and includes linear polymers having an anthracene-methyl methacrylate cyclic unit and an alkoxy vinyl benzene cyclic unit. The first buffer layer pattern is hardened to form a second buffer layer pattern which is cross-linked with the polymers by hardening the first buffer layer pattern and has insolubility for a developer. The conductive layer is removed from the upper portion of the mold layer by using the second buffer layer pattern an etching mask.
Abstract translation: 提供了使用其形成电容器的图案形成方法和方法，以通过仅使用显影剂完全去除第三缓冲层图案而不进行等离子体灰化处理来最大化处理效率。 在具有开口的模具层上形成具有均匀厚度的导电层。 第一缓冲层图案（115）嵌入形成导电层的开口中，并且包括具有蒽 - 甲基丙烯酸甲酯环状单元和烷氧基乙烯基苯环单元的直链聚合物。 第一缓冲层图案被硬化以形成第二缓冲层图案，其通过硬化第一缓冲层图案并对显影剂具有不溶性而与聚合物交联。 通过使用第二缓冲层图案的蚀刻掩模，从模制层的上部去除导电层。
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公开(公告)号：KR100829615B1
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060099014
申请日：2006-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
Abstract: 균일한 프로파일을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 광산 발생제, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 및 패턴 형성방법에 관한 것이다. 상기 포토레지스트 조성물은 수지 4 내지 10중량%, 술포늄염 양이온부 및 하기 구조식 2로 표기되는 친수성 사이트인 카르복실기가 도입된 술포늄염 음이온부를 포함하는 광산 발생제 0.1 내지 0.5중량% 및 여분의 용매를 포함한다. 상술한 조성을 갖는 포토레지스트 조성물 이용하면 균일한 프로파일을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080032903A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：KR1020060099014
申请日：2006-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , G03F7/039
Abstract: A hydrophilic photoacid generator is provided to be uniformly distributed in a photoresist film. A photoacid generator includes a sulfonium salt cation part represented by the following formula 1, and a sulfonium salt anion part having a carboxyl group as a hydrophilic site, which is represented by the following formula 2. In the formula 1, A, B, and C each independently comprise a cyclo group and a cycloalkyl group. In the formula 2, n is 1-3, and X comprises a C4-10 cyclo group, an adamantyl group, and a cycloheptane group comprising oxygen.
Abstract translation: 提供亲水性光致酸产生剂以均匀分布在光致抗蚀剂膜中。 光酸产生剂包括由下式1表示的锍盐阳离子部分和具有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子部分，其由下式2表示。在式1中，A，B和 C各自独立地包含环基和环烷基。 在式2中，n为1-3，X包括C 4-10环基，金刚烷基和含氧的环庚烷基。
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公开(公告)号：KR1020080009970A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020060069827
申请日：2006-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A photoresist developer is provided to reduce a process time, improve a production efficiency, and thus enhance productivity of a semiconductor production process. A photoresist developer includes 0.50-2.38wt% of a hydrogen-bonding compound, 0.01-5.00wt% of a surfactant, and the balance of an aqueous alkaline solution. The hydrogen-bonding compound comprises 4-(3-aminopropyl)morpholine represented by the following formula. A method for forming a photoresist pattern includes the steps of: selectively exposing a photoresist layer formed on a semiconductor substrate to a light; and developing the exposed photoresist layer using the photoresist developer.
Abstract translation: 提供光致抗蚀剂显影剂以减少处理时间，提高生产效率，从而提高半导体生产过程的生产率。 光致抗蚀剂显影剂包括0.50-2.38重量％的氢键合化合物，0.01-5.00重量％的表面活性剂，余量为碱性水溶液。 氢键化合物包含由下式表示的4-（3-氨基丙基）吗啉。 形成光致抗蚀剂图案的方法包括以下步骤：将形成在半导体衬底上的光致抗蚀剂层选择性地暴露于光; 以及使用光致抗蚀剂显影剂显影曝光的光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：KR1020070037789A
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020050092799
申请日：2005-10-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/3021 , B05B1/005 , B05B1/02 , B05C11/10 , H01L21/6715
Abstract: 감광막 현상 장치에 있어서, 용해도 차이가 있는 부위를 갖는 감광막이 형성된 기판을 지지하고, 회전시키기 위한 척과 상기 감광막을 용해도 차이를 이용하여 현상하는 현상액을 상기 척에 배치된 기판으로 공급하는 현상액 공급부와 상기 현상액 공급부와 연결되어 상기 기판과 실질적으로 동일한 크기로 이루어져 상기 기판 전면과 마주하여 배치되고, 상기 기판 전면과 마주하는 전체 표면 부위에는 다수개의 분사공들이 형성되어 상기 감광막으로 상기 현상액을 공급하기 위한 현상액 공급 노즐을 포함한다. 따라서, 상기 현상을 통하여 형성되는 패턴의 선폭에 대한 균일도를 용이하게 확보할 수 있는 효과가 있다.
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