公开(公告)号：KR1020000026286A

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019980043762

申请日：1998-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김진성 ,  박재구 ,  심경만 ,  이영구

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A method for preventing the occurrence of the particle is provided to eliminate the damage layer and to enhance the quality of the silicon cathode electrode by carrying out the poly etch process and to prevent the occurrence of particle by the silicon cathode electrode by testing the quality of the silicon cathode electrode. CONSTITUTION: A system comprises a plasma etch apparatus(2), a stage(10), a wafer(12), an original silicon cathode plate(14), a test sample(14a), a hole, and a plasma etch chamber(16). A gas distribution plate consists of silicon. The forming of hole(15) is carried out after the lapping treatment of the original silicon cathode plate(14) and then it is cut into the shape of test sample. The wafer is dry etched and the process which has low etch ratio against the plate is carried out before the process which has high etch ratio. Therefore the damage layer made when forming the silicon cathode electrode is eliminated and the occurrence of the particle due to the silicon cathode electrode is prevented.

Abstract translation: 目的：提供一种防止颗粒发生的方法，以通过进行多层蚀刻工艺来消除损伤层并提高硅阴极的质量，并通过测试硅阴极电极来防止硅阴极发生颗粒 硅阴极电极的质量。 构成：系统包括等离子体蚀刻装置（2），载物台（10），晶片（12），原始硅阴极板（14），测试样品（14a），孔和等离子体蚀刻室 16）。 气体分配板由硅组成。 在原始硅阴极板（14）的研磨处理之后进行孔（15）的形成，然后将其切割成测试样品的形状。 干燥蚀刻晶片，并且在具有高蚀刻比的工艺之前进行相对于板的低蚀刻比的工艺。 因此，消除了在形成硅阴极电极时制成的损伤层，并且防止了由于硅阴极引起的颗粒的发生。

公开(公告)号：KR1019990075533A

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019980009779

申请日：1998-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박희정 ,  박재구 ,  김진성 ,  박제응

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은, 상부 표면의 모양을 변경한 반도체소자 제조용 서셉터에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자 제조용 서셉터는 웨이퍼가 장착되는 부분 이외의 가장자리에 위치하며, 소정의 면적을 가지며, 복수개의 조각으로 이루어지는 실리콘 커버와 실리콘 커버가 마주치는 부분 및 상기 실리콘 커버와 웨이퍼가 마주치는 부분을 따라 상부 표면에 소정의 홈이 형성되어 이루어진다.
상기 홈은 입구가 넓고 밑바닥이 좁게 형성되며, 상기 실리콘 커버와 실리콘 커버가 마주치는 부분의 홈과 상기 실리콘 커버와 웨이퍼가 마주치는 부분의 홈이 만나는 부분은 유선형태로 형성된다.
따라서, 박막 증착시 불필요한 박막은 상기 홈 내로 증착되어, 공정시 상기 불필요한 박막이 떨어져 웨이퍼 상에 파티클로 작용되는 것을 방지하고, 웨이퍼로의 열전달을 균일하도록 하여 증착되는 박막의 두께 균일도를 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980031833A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019960051395

申请日：1996-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재구 ,  최백순 ,  강희세 ,  조성범

IPC: H01L21/22

Abstract: 부적합한 재질의 플렉시블 호스 배관과 그 N
2 건 형태를 개선하여 보다 클리닝 효율을 높인 반도체 제조설비용 N
2 클리닝 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 제조설비용 N
2 클리닝 시스템은, 공급되는 N
2 가스의 최초 과다한 압력을 사용에 적절한 압력으로 감소시키는 레귤레이터(22)와, 상기 조절된 N
2 가스내에 포함되어 있는 파티클을 제거하는 1차 가스필터(23)와, N
2 가스 클리너의 전체동작(On/Off 및 유량조절)을 조절하는 매뉴얼밸브(24)와, 1차로 정제된 N
2 가스를 2차로 정제하는 2차 가스필터(26)와, 상기 매뉴얼밸브(24)와 2차 가스필터(26)를 연결하는 타이건 튜브(25)와, 상기 2차 가스필터(26)에 부착되어 2차에 걸쳐 정제된 N
2 가스를 정확한 지역을 분사할 수 있도록 하는 SUS 튜브(27)로 구성된 것이다.
따라서 부적합한 재질의 플렉시블 호스 배관이 제거되고 N
2 건 형태가 개선됨으로써 보다 클리닝 효율이 높아지고, N
2 건이 개발됨으로써 반도체 제조에 있어 최대의 오염원인 입자오염을 제거하여 N
2 건에 의한 클리닝 효율이 극대화되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100121902B1

公开(公告)日：1997-09-01

申请号：KR1019940010115

申请日：1994-05-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이중선 ,  박재구 ,  전재강 ,  최상봉

IPC: B01D46/00

公开(公告)号：KR1019970007648B1

公开(公告)日：1997-05-15

申请号：KR1019940010115

申请日：1994-05-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이중선 ,  박재구 ,  전재강 ,  최상봉

IPC: B01D46/00

CPC classification number: F24F3/161 ,  B08B5/02

Abstract: The apparatus simplifies the structure to make the lower part of the air shower chamber in contact with an underground area of a clean room, and make the gas flow smoothly. It comprises a driver(24) for making the gas flow; a filter(25) filtering the gas; a gas storage chamber(26) storing the filtered gas; an intake nozzle(27), installed at an upper part of the air shower chamber(21), supplying the gas; a discharge hole(28), installed at the lower part of the chamber(21), discharging the gas.

Abstract translation: 该装置简化了使空气淋浴室的下部与洁净室的地下区域接触的结构，并使气体流动平稳。 它包括用于使气体流动的驱动器（24） 过滤器（25），过滤气体; 存储过滤气体的气体储存室（26）; 吸入喷嘴（27），安装在所述空气淋浴室（21）的上部，供给所述气体; 排出孔（28），其安装在所述室（21）的下部，排出气体。