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公开(公告)号：KR101814603B1
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：KR1020110058639
申请日：2011-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 삼성디스플레이 주식회사
IPC: A61B6/03 , G01T1/161 , H01L31/101
CPC classification number: H01L27/14609 , A61B6/037 , G01T1/2006 , G01T1/2018 , G01T1/208 , H01L27/14618 , H01L27/14663 , H01L2924/0002 , H04N5/3698 , H01L2924/00
Abstract: 에너지해상도가개선된픽셀소자가제공된다. 이를위해본 발명은, 적어도하나의포토다이오드, 및포토다이오드에전압을공급하며, 전압저장유닛및 전압조절유닛을포함하는, 적어도하나의전압공급유닛을포함하고, 프리차지모드에서, 전압저장유닛은포토다이오드의애노드와연결되어제1 애노드전압을저장하고, 센싱모드에서, 전압조절유닛은포토다이오드의애노드의제2 애노드전압을전압저장유닛에저장된제1 애노드전압과동일하게조절하는것을특징으로하는픽셀소자를개시한다.
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公开(公告)号：KR1020170136409A
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020160144663
申请日：2016-11-01
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의컴퓨팅시스템은성능저하를최소로하기위해, 암호화되는 Data와암호화되지않는데이터의이동경로를완전히분리하고, 이를위해, 주소공간상에가상의보안메모리를만들고 CPU가그 가상보안메모리에데이터를쓰면하드웨어가자동으로데이터를암호화하여 DRAM의지정된영역에저장하고, CPU가데이터를읽으면자동으로 DRAM의지정된영역에서읽어서복호화하여 CPU에전달할수 있다. 이로써, 전체시스템성능에는영향을주지않으면서, 일부데이터만암호화로보호할수 있다.
Abstract translation: 为了使性能下降最小化，本发明的计算系统将加密数据的路径与未加密数据的路径完全分开，从而在地址空间上创建安全存储器， 硬件自动加密数据并将其存储在DRAM的指定区域，当CPU读取数据时，它可以自动从DRAM的指定区域读取数据，并将其解密并传送到CPU。 这允许一些数据通过加密来保护而不影响整体系统性能。
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公开(公告)号：KR101761817B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020110019646
申请日：2011-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/08 , G01T1/24 , H01L27/146 , G01N23/04
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 대면적엑스선검출기개시된다. 개시된대면적엑스선검출기는, 인쇄회로기판에배치된복수의칩과, 상기각 칩에대응되게그 위에배치된복수의픽셀전극과, 상기복수의픽셀전극과상기복수의픽셀패드를전기적으로연결하는재분배층을구비한다. 상기재분배층상에서상기칩의핀패드가형성된이면상에형성된복수의제1전극패드와, 상기제1전극패드및 상기제2전극핀패드를전기적으로연결하는와이어를포함한다. . 상기와이어는칩들사이의갭에배치된다.
Abstract translation: 大面积X射线探测器启动。 它公开了一种大面积的X射线检测器，设置在印刷电路板上的芯片，所述多个和所述对应于每个芯片中的多个设置在其上的像素电极，并且所述多个像素电极和电连接所述多个像素垫的 重新分配层。 以及用于电连接的第一多个电极焊盘，所述第一电极焊盘和在销侧形成形成在再分布层上的芯片的销垫的第二电极焊盘的线。 。 导线布置在芯片之间的间隙中。
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公开(公告)号：KR101686582B1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：KR1020090129136
申请日：2009-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 유도결합통신수단을구비한전자소자가개시된다. 개시된유도결합통신수단을구비한전자소자는순차적으로적층된제1실리콘칩및 제2실리콘칩와, 상기제1실리콘칩상의제1인덕터및 상기제2실리콘칩상에서상기제1인덕터와대응되게배치되어상기제1인덕터와유도결합하는제2인덕터와, 상기제2실리콘칩에형성된관통홀;을구비한다. 기관통홀은상기제1인덕터에대응되게형성된다.
Abstract translation: 目的：提供一种包括电感耦合通信单元的电子设备，通过减少涡流来稳定地发送和接收具有低功率的信号。 构成：依次层叠第一硅芯片和第二硅芯片。 第一电感器（112）布置在第一硅芯片上。 第二电感器（122）布置在第二硅芯片上以对应于第一电感器并且与第一电感器感应耦合。 穿孔（130）形成在第二硅芯片上，并包括与第一电感相对应的电感耦合通信单元。 穿透孔形成在第二电感器中。 绝缘体填充穿透孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101678671B1
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020100029982
申请日：2010-04-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/115
CPC classification number: G01T1/242 , H01L31/085
Abstract: 이중포토컨덕터를구비한엑스선검출기가개시된다. 개시된이중포토컨덕터를구비한엑스선검출기는, 엑스선이입사되는제1 포토컨덕터층과, 제1 포토컨덕터층을통과한엑스선이입사되는제2 포토컨덕터층을포함한다. 제1 포토컨덕터층과제2 포토컨덕트층은탠덤구조로이루어져있다. 제1 포토컨덕터층은저 에너지대역의엑스선을흡수하는실리콘으로이루어지며, 제2 포토컨덕터층은실리콘보다높은에너지대역의엑스선을흡수하는물질로형성된다.
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公开(公告)号：KR101634250B1
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020100058624
申请日：2010-06-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/115
CPC classification number: G01T1/24 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14676 , H01L27/14687 , H01L31/085 , H01L2224/16225 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 대면적엑스선검출기및 제조방법이개시된다. 개시된대면적엑스선검출기는, 인쇄회로기판상에타일링되며, 상기인쇄회로기판과전기적으로연결된복수의주문형반도체와, 상기인쇄회로기판상에서상기복수의주문형반도체를덮는평탄화막과, 상기평탄화막상에서상기각 주문형반도체에대응되게형성된복수의픽셀전극과, 상기평탄화막상에서상기복수의픽셀전극들을덮는포토컨덕터층을구비한다. 상기픽셀전극과상기주문형반도체의콘택은상기평탄화막에형성된비아홀을채운콘택플러그로연결된다.
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公开(公告)号：KR1020160043867A
公开(公告)日：2016-04-22
申请号：KR1020140138615
申请日：2014-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: A61B6/4233 , A61B6/0407 , A61B6/502 , G01T1/17 , G01T7/00
Abstract: 개시된엑스선검출기의제조방법은, 다수의전하검출부가배열된기판상에개구가마련된마스크를올려놓는단계와, 엑스선을받아전하를발생시키는광전변환물질을포함하는패이스트를개구에채우는단계와, 마스크를기판으로부터이격시켜패이스트에의하여광도전층을형성하는단계를포함한다. 개구내의패이스트의두께는개구의가장자리들중 적어도하나에인접한영역이다른영역에비하여두껍다.
Abstract translation: 一种制造X射线检测器以形成均匀的光电导层的方法包括：将具有开口的掩模放置在基板上布置电荷引导部分的步骤; 用包含接收X射线并产生电荷的光电转换材料的糊料填充开口的步骤; 以及从基板分离掩模和通过该糊形成光电导层的步骤。 在开口处的糊料的厚度中，与开口的边缘中的至少一个相邻的一个区域比其他区域厚。
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公开(公告)号：KR101571139B1
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：KR1020090053494
申请日：2009-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본발명은비정질반도체 TFT의전기적특성을산출하는방법및 장치에관한것으로, 본발명에따른전기적특성산출방법은비정질반도체 TFT에빛을조사하여 C-V의광 응답특성을측정하여입력받고, 빛을조사하지않은경우와빛을조사한경우의전기용량각각을연산하여 C-V의함수로모델링한후, 측정된광 응답특성과모델링된함수를조합하여상태밀도를산출함으로써, 비정질반도체 TFT의전기적특성을제공한다.
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公开(公告)号：KR101543328B1
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：KR1020080114754
申请日：2008-11-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/12
Abstract: 웨이퍼본딩법으로제조된발광소자및 웨이퍼본딩법을이용한발광소자의제조방법이개시된다. 개시된웨이퍼본딩법은반도체층에본딩기판을본딩할때, 반도체층과본딩기판사이에금속으로이루어진응력이완층을삽입한다. 응력이완층을사용할경우, 금속의연성으로인하여본딩기판과성장기판사이의응력이상쇄되기때문에기판의휨이나뒤틀림을완화또는방지할수 있다.
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