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公开(公告)号：KR1019990085105A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980017255
申请日：1998-05-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정에 사용되는 금속막의 씨엠피(CMP : Chemical Mechanical Polishing)용 슬러리 및 이를 이용한 씨엠피방법에 관한 것이다.
본 발명의 금속막 씨엠피용 슬러리는 산화제 H
5 IO
6 , 연마입자, 산 및 탈이온수를 포함하여 이루어지며, 보다 상세하게는 상기 슬러리는 2 내지 10 중량 ％의 H
5 IO
6, 2 내지 10 중량 ％의 연마입자, 0.01 내지 1.0 중량％의 산 및 잔량으로서 탈이온수를 포함하여 이루어진다.
상기 산화제 H
5 IO
6 의 농도는 0.01 내지 1 mole 이며, 상기 슬러리는 특정 연마입자로 한정하지 않으며, 일반적으로 잘알려진 알루미나, 실리카 또는 세륨옥사이드(CeO
2 )를 사용할 수 있다. 상기 산은 0.01 내지 0.5 중량％의 질산(HNO
3 ), 0.01 내지 0.5 중량％의 황산(H
2 SO
4 ) 또는 0.02 내지 1.0 중량％의 황산(H
2 SO
4 )과 질산(HNO
3 )의 혼합물을 사용할 수 있다.
따라서, 금속막 폴리싱 공정에 사용할 수 있는 연마속도와 평판도를 갖으며, 표면결점과 금속오염을 방지하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980048805A
公开(公告)日：1998-09-15
申请号：KR1019960067453
申请日：1996-12-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 화학기상증착장치 등과 같은 공정챔버에 반응가스를 공급하기 위한 가스공급관을 통과하는 반응가스를 예열시킬 수 있는 예열장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조장치용 가스공급관의 예열장치는, 반응가스가 흐르는 가스공급관(2)내에 다수의 통기공(8)들이 형성된 다수의 격벽(7)들을 상기 가스공급관(2)의 내주면에 접촉시켜 취부시키고, 상기 가스공급관(2)의 외주면에 가열관(4)을 취부시키고, 내주면에 냉각관(6)이 취부된 외관(5)으로 상기 가열관(4)이 취부된 가스공급관(2)을 감싸서 이루어진다.
따라서, 공정챔버(1)에 공급되는 반응가스가 공정챔버(1)내로 유입되기 전에 미리 예열토록 함으로써 공정챔버(1) 내에서 최적의 반응조건을 형성할 수 있도록 하여 반도체 장치의 품질 및 수율을 향상시키는 효과가 있으며, 또한 반응가스의 예열에 의하여 파티클의 발생을 최소화하여 공정챔버(1)를 포함하는 가스공급관(2)들의 유지, 보수를 간편하게 하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100643492B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020040057464
申请日：2004-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06Q50/00
CPC classification number: G06Q10/10
Abstract: 본 발명은 전자 네트워크 시스템상에서 칭찬, 격려, 인정, 감사의 마음을 조직 구성원 상호간에 전달하여 신뢰를 형성하는 조직구성원간 신뢰를 형성하기 위한 서비스 제공방법에 관한 것이다.
이를 위해, 조직구성원들간의 의사를 전달하는 공간을 가상으로 제공하기 위해 조직원의 컴퓨터와 서비스 제공서버간에 연결된 전자 네트워크를 통해 신뢰를 형성하기 위한 서비스 제공방법은; 상기 전자 네트워크를 통해 요청되는 상기 조직원의 접속요구에 응답하여 상기 조직원의 컴퓨터로 칭찬서비스 메뉴중의 적어도 하나를 제공하고; 상기 제공된 서비스 메뉴중에서 상기 조직원이 선택한 메뉴와 상기 조직원이 지정한 데이터를 수신하고 그에 대응되는 서비스를 실행하여 특정 조직원의 칭찬메시지를 상기 가상공간에 남길수 있도록 하며; 상기 가상공간에 남겨진 칭찬메시지를 상기 조직원이 확인하도록 하여 조직구성원들 간에 칭찬, 감사, 격려, 인정하는 마음을 서로 전달하여 신뢰를 형성하므로써, 일하기 좋은 일터(GWP)를 만들도록 한다.
네트워크 시스템, 칭찬, 인정, 격려, 감사, 가상 서비스, 신뢰형성-
公开(公告)号：KR100360397B1
公开(公告)日：2002-11-18
申请号：KR1019990052995
申请日：1999-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C11D7/10 , C11D3/32 , C11D3/3942 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/261 , C11D7/3218 , C11D7/3263 , C11D11/0047 , G03F7/425 , H01L21/31133
Abstract: 레지스트뿐만아니라폴리머, 특히유기금속성폴리머및 금속산화물의제거력이뛰어나고하부막을손상시키지않는레지스트제거용조성물및 이를이용한레지스트제거방법에관해개시한다. 본발명에따른레지스트제거용조성물은알콕시 N-하이드록시알킬알칸아미드와, 알칸올아민, 쌍극자모멘트가 3 이상인극성물질및 손상방지제로이루어진그룹에서선택된하나이상의화합물과, 불화물계환원제및 수산화물계환원제중 하나이상또는과산화수소를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020010036461A
公开(公告)日：2001-05-07
申请号：KR1019990043486
申请日：1999-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/422 , H01L21/31133
Abstract: PURPOSE: Provided is a photoresist stripper composition, which effectively and rapidly strips the photoresist coated on a wafer regardless of its kinds and polarities. And a photoresist stripping method using the same is also provided which does not need a rinsing process using organic solvent after a photoresist stripping process. CONSTITUTION: The photoresist stripper composition comprises a mixture containing: (i) 3-35 wt.% of acetone; (ii) 2-13 wt.% of γ-butyrolactone; and (iii) 80-90 wt.% of ester solvent selected from the group consisting of n-butyl acetate, amyl acetate, ethyl acetoacetate, isopropyl acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate. The method for stripping photoresist comprises steps of: (i) spraying the photoresist stripper composition on a wafer rotating with relatively low speed(S1); (ii) keeping the wafer stationary(S2); (iii) spin-drying the wafer(S3); (iv) spraying the photoresist stripper composition on the wafer rotating with relatively high speed(S4); (v) spin drying the wafer(S5); (vi) rinsing the wafer with pure water; and (vii) spin-drying the wafer(S7).
Abstract translation: 目的：提供一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，其有效且快速地剥离涂覆在晶片上的光致抗蚀剂，而不管其种类和极性如何。 并且还提供了使用其的光致抗蚀剂剥离方法，其在光致抗蚀剂剥离工艺之后不需要使用有机溶剂的漂洗工艺。 构成：光致抗蚀剂剥离剂组合物包含以下混合物：（i）3-35重量％的丙酮; （ii）2-13重量％的γ-丁内酯; 和（iii）80-90重量％的酯溶剂，其选自乙酸正丁酯，乙酸戊酯，乙酰乙酸乙酯，乙酸异丙酯和丙二醇单甲醚乙酸酯。 剥离光刻胶的方法包括以下步骤：（i）将光致抗蚀剂剥离剂组合物喷涂在以相对较低速度旋转的晶片上（S1）; （ii）保持晶片固定（S2）; （iii）旋转晶片（S3）; （iv）将光致抗蚀剂剥离剂组合物喷涂在以相对较高速度旋转的晶片上（S4）; （v）旋转干燥晶片（S5）; （vi）用纯水冲洗晶片; 和（vii）旋转晶片（S7）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010018050A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990033851
申请日：1999-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A method for planarizing an insulating layer using a polishing pad is provided to extend a lifetime of the polishing pad and to improve planarization of the insulating layer, by increasing a pore in size, and by making a polishing agent well-penetrate the pore by using a fluorine-based surfactant. CONSTITUTION: A polishing pad is made by adhering an epoxy layer(31) and a soft pad(30) to a lower portion of a polishing layer(32) which has a plurality of pores(33) inside. The polishing pad is mounted on a plate. A polishing agent containing a fluorine-based surfactant is supplied to a surface of the polishing layer while the plate is revolving. The wafer is transferred to have an insulating layer formed on the wafer contact the polishing layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用抛光垫对绝缘层进行平面化的方法，以延长抛光垫的寿命，并通过增加孔的尺寸来提高绝缘层的平整度，并且通过使抛光剂良好地渗透孔 通过使用氟类表面活性剂。 构成：通过将环氧树脂层（31）和软垫（30）粘附到内部具有多个孔（33）的研磨层（32）的下部来制造抛光垫。 抛光垫安装在板上。 含有氟系表面活性剂的研磨剂在板旋转时供给到研磨层的表面。 转移晶片以在晶片上形成的绝缘层接触抛光层。
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公开(公告)号：KR1020010017151A
公开(公告)日：2001-03-05
申请号：KR1019990032523
申请日：1999-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a wafer is provided to effectively form a step coverage to minimize a step not completely eliminated after a polishing process, by uniformly spraying cleaning liquid on a broad surface of the wafer while an insulating layer is simultaneously etched and cleaned. CONSTITUTION: A surface of a wafer is firstly cleaned to eliminate residue remaining on the surface of the wafer of which a process is completed. After the wafer is revolved, cleaning liquid is sprayed to a central portion of the wafer to secondly clean the wafer. The surface of the wafer is dried. The first cleaning process is performed by using deionized(DI) water.
Abstract translation: 目的：提供一种清洁晶片的方法，以有效地形成台阶覆盖，以在抛光过程之后通过在将绝缘层同时蚀刻和清洁的同时均匀地喷射清洁液体在晶片的宽表面上来最小化步骤。 构成：首先清洁晶片的表面，以消除残留在晶片表面上的残留物，其处理完成。 在晶片旋转之后，将清洁液体喷射到晶片的中心部分以二次清洁晶片。 将晶片的表面干燥。 使用去离子（DI）水进行第一次清洗过程。
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公开(公告)号：KR100240022B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960056173
申请日：1996-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/3021
Abstract: 반도체장치 제조공정중 현상과정에서 웨이퍼상에 발생되는 반응부산물의 제거가 용이한 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼(W)를 고정하는 스핀척(10)과, 상기 스핀척(10)을 180。 회전시켜 웨이퍼(W)의 패턴형성면이 하방으로 향하도록 하는 반전구동부(50)와, 용기(70)내에 현상액과 린스액을 공급하는 현상액공급부(80) 및 린스액공급부(90)로 구성되고, 웨이퍼(W)의 패턴형성면이 하방을 향한 상태에서 현상, 린스 및 건조작업이 수행되도록 제어되는 것이다.
따라서 현상공정이 용이하게 수행되어지고, 특히 패턴형성에 의해 형성된 웨이퍼상의 골짜기내에 잔존하는 반응부산물이 충분히 제거됨으로써 다음 식각공정시 공정불량이 방지되며, 이로 인해 생산성 향상 및 제품수율이 증대되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019990074153A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980007558
申请日：1998-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
Abstract: 본 발명은 히팅챔버 몸체의 웨이퍼 입구 부분까지 히팅코일을 확장하여 웨이퍼의 출입시 웨이퍼 입구 부분에서의 온도저하를 방지하게 하는 반도체 확산설비의 히팅챔버에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 확산설비의 히팅챔버는, 반도체 확산공정에서 웨이퍼의 불순물 확산에 필요한 고온의 환경을 만들어 주기 위하여 내부에 중공부를 형성하고, 일측에 웨이퍼입구가 형성된 히팅챔버 몸체 및 전원으로부터 전기를 공급받아 발열하고, 상기 히팅챔버 몸체에 설치된 히팅코일을 구비하여 이루어지는 반도체 확산설비의 히팅챔버에 있어서, 상기 히팅챔버 몸체의 웨이퍼입구에 상기 웨이퍼입구를 감싸는 형태의 히팅코일을 설치하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 빠른 온도보상이 가능하고, 웨이퍼의 가공불량을 방지하게 하는 효과를 갖는 것이다.-
公开(公告)号：KR1019990048104A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970066717
申请日：1997-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 반도체 커패시터 제조설비 및 이를 이용한 반도체 커패시터 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 커패시터 제조설비는 웨이퍼의 커패시터 하부전극상에 HSG 공정이 진행되는 제 1 공정챔버, 상기 HSG이 형성된 하부전극상에 커패시터 형성을 위한 후속공정들이 수행되는 제 2 공정챔버 및 상기 제 1 공정챔버와 제 2 공정챔버 사이의 로드락챔버를 구비하여 이루어지며, 본 발명에 따른 반도체 커패시터 제조방법은 상기 제 1 공정챔버 내에서 상기 하부전극 표면상에 HSG을 형성하는 단계, 상기 HSG이 형성된 웨이퍼를 상기 로드락챔버를 경유하여 상기 제 2 공정챔버로 이송하는 단계, 상기 제 2 공정챔버 내에서 상기 웨이퍼에 대하여 어닐링 공정을 수행하는 단계 및 상기 어닐링공정이 수행된 웨이퍼에 대하여 제 2 공정챔버의 공정조건을 변경한 후 인-시튜로 상기 하부전극상에 유전막을 형성시키는 단계를 구비하여 이루어지는 � ��을 특징으로 한다.
따라서, 커패시터 제조공정에 소요되는 시간을 줄여 수율을 향상시킬 수 있고, 하부전극 상에 양질의 산화막을 형성할 수 있는 효과가 있다.
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