公开(公告)号：KR1020090076317A

公开(公告)日：2009-07-13

申请号：KR1020080002191

申请日：2008-01-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이찬미 ,  박종철

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66553 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66621

Abstract: A semiconductor device and a method of formation thereof are provided, which do not generate electrical short circuit with the bit line and the metal wiring. The semiconductor device(60) comprises the semiconductor substrate(2). The semiconductor substrate has the main surface(8). The semiconductor substrate limits the groove, the trench, and the cavity in order to be opened to the main surface. The groove, the trench, and the cavity have the same center point. Groove is arranged in the fixed region of the main surface of the semiconductor substrate.

Abstract translation: 提供半导体器件及其形成方法，其不产生与位线和金属布线的电短路。 半导体器件（60）包括半导体衬底（2）。 半导体衬底具有主表面（8）。 半导体衬底限制沟槽，沟槽和空腔以便向主表面打开。 凹槽，沟槽和空腔具有相同的中心点。 沟槽布置在半导体衬底的主表面的固定区域中。

公开(公告)号：KR100750189B1

公开(公告)日：2007-08-17

申请号：KR1020060062349

申请日：2006-07-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유진우 ,  정욱현 ,  박종철

IPC: H04B1/40 ,  H04B1/38 ,  H04W8/24 ,  H04N7/14

Abstract: An apparatus and a method for sharing video telephony screen in mobile communication terminal are provided to share a video communication image with an opposite terminal while performing video communication in the mobile communication terminal, thereby sharing contents with the opposite party at the same point. A method for sharing video telephony screen in mobile communication terminal comprises the following steps of: transmitting a video sharing request signal to a state terminal when an event for sharing a video is caused while performing video communication and capturing an image displayed in a video and transmitting the captured image to the state terminal when a signal for permitting an image share is received from the state terminal.

Abstract translation: 提供了一种在移动通信终端中共享视频电话屏幕的装置和方法，以在移动通信终端中执行视频通信的同时与对方终端共享视频通信图像，由此在同一点与对方共享内容。 一种在移动通信终端中共享视频电话画面的方法，包括以下步骤：在进行视频通信的同时发生用于分享视频的事件并且捕获在视频中显示的图像并传输时，将视频共享请求信号发送到状态终端， 当从状态终端接收到用于允许图像共享的信号时，将捕获的图像发送到状态终端。

公开(公告)号：KR100729264B1

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020060048861

申请日：2006-05-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강태우 ,  박종철 ,  임장빈

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: A gas injector and a wafer processing apparatus having the same are provided to supply uniformly a process gas onto a wafer by controlling the amount and direction of the process gas sprayed from a second body using a position controlling process on a first body. A gas injector(100) includes a first body and a second body. The first body(110) is formed like a cylinder type structure with an upper opening. The first body includes a first hole(116) at a lower surface, a second hole(118) at a lateral and a groove(120) along the first hole. The first body is used for supplying a process gas. The second body(130) is capable of storing the first body. The second body includes a third hole(136) at a lower surface and a fourth hole(138) at a lateral. The second body is used for spraying the process gas supplied from the first body through the third or/and fourth holes according to the height of the first body.

Abstract translation: 提供了一种气体喷射器和具有该气体喷射器的晶片处理设备，以通过使用位置控制处理在第一主体上控制从第二主体喷射的处理气体的量和方向，来均匀地向晶圆上供应处理气体。 气体注射器（100）包括第一本体和第二本体。 第一主体（110）形成为具有上开口的圆柱形结构。 第一主体包括在下表面处的第一孔（116），在侧向处的第二孔（118）以及沿着第一孔的凹槽（120）。 第一个主体用于供应工艺气体。 第二主体（130）能够存储第一主体。 第二主体包括在下表面处的第三孔（136）和在侧面处的第四孔（138）。 第二主体用于根据第一主体的高度喷射从第一主体供给的工艺气体穿过第三或/和第四孔。

公开(公告)号：KR100702002B1

公开(公告)日：2007-03-30

申请号：KR1020010036401

申请日：2001-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종철

IPC: H01L21/306

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 처리장치용 샤워헤드에 관한 것이다.
그 내부에 제1,2공정가스가 공급되도록 제1,2버퍼공간부가 형성된 매니폴드 및;
상기 매니폴드의 저면에 설치되어 상기 제1,2버퍼공간부로부터 공급되는 제1,2공정가스를 분리하여 분사시키도록 그 내부에 다수의 격벽이 마련되며 그 바닥부에는 다수의 분사홀이 형성된 분사판으로 구성되어지는 샤워헤드를 포함하며, 상기 분사판으로 유입되는 제1,2공정가스의 분리영역을 가변시킬 수 있는 구조로 구성된 것이다.
상술한 바와 같이 구성함에 따라 그 공정가스의 분사영역을 공정변화에 대응하여 가변 시킬 수 있는 구조로 구현함에 따라 공정처리의 균일도, 예컨대 식각균일도를 향상시킬 수 있게 되며, 따라서, 반도체 웨이퍼의 수율을 향상시키게 된다.
샤워헤드, 2중공정가스분사, 웨이퍼, 가스분사판(Gas Distribution Plate)

公开(公告)号：KR100589056B1

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040098014

申请日：2004-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종철 ,  김지영 ,  고용선 ,  정상섭

IPC: H01L21/336

Abstract: 리세스 게이트 및 그 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판은 액티브 영역 및 소자 분리 영역으로 구분되고, 액티브 영역에 기저부가 상부에 비해 확장되며 기저부가 라운드된 형상의 리세스를 갖는다. 상기 리세스는 상기 액티브 영역의 장방향에서 소자 분리 영역과 이격되며, 상기 장방향과 실질적으로 수직하는 액티브 영역의 단방향에서는 리세스와 소자 분리 영역 사이에 실리콘이 잔류하지 않도록 소자 분리 영역의 측면에 의해 전체적으로 한정된다. 게이트 절연막은 리세스의 내부면 및 기판 표면 상에 구비된다. 게이트 전극은 게이트 절연막 상에 기판 상으로 돌출되도록 구비된다. 상기한 구조와 같이, 리세스된 게이트 하부가 확장됨으로서 유효채널 길이가 길어지고 실리콘 펜스도 제거될 수 있다. 또한, 리세스 상부의 치수를 작게 할 수 있어 미스 얼라인 마진(Miss align margin)을 크게 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060011161A

公开(公告)日：2006-02-03

申请号：KR1020040059856

申请日：2004-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이두영 ,  공유철 ,  박종철 ,  정상섭

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885

Abstract: 스토리지 노드 콘택 플러그와 커패시터를 포함하는 반도체 장치와 그 제조 방법에서 상기 반도체 장치는, 반도체 기판 상에 제1 방향으로 연장되는 워드 라인 구조물과 상기 워드 라인 구조물과 절연을 유지하고, 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장되는 비트 라인 구조물과 상기 비트 라인 구조물 사이에 형성되고, 하부보다 상부가 더 넓은 형상을 갖되, 상기 상부가 제2 방향으로 확장되며, 상기 상부의 상기 제1 방향의 측면 프로파일이 수직인 형상을 갖는 스토리지 노드 콘택 플러그와 상기 스토리지 노드 콘택 플러그 상에 스토리지 노드 전극이 형성되어 있다. 화학적 기계적 연마 량의 차이에 관계없이 스토리지 노드 콘택 플러그의 상부면의 폭의 크기가 일정하여 스토리지 노드 전극과 스토리지 노드 콘택 플러그 사이에 안정된 오버랩 마진을 제공한다.

Abstract translation: 其中，半导体器件及其制造方法，其包括在半导体衬底上在第一方向上延伸的存储节点接触塞和电容器的半导体器件中，并保持字线结构和字线结构和绝缘，垂直的第一方向 位线结构在位线结构和位线结构之间延伸，位线结构在位线结构和位线结构之间延伸， 具有垂直形状的存储节点接触插塞和存储节点电极形成在存储节点接触插塞上。 由存储节点接触插塞的顶面的宽度尺寸，而不管在化学机械抛光一定量的提供存储节点电极和存储节点接触插塞之间的稳定的重叠裕度的差异。

公开(公告)号：KR1020050077165A

公开(公告)日：2005-08-01

申请号：KR1020040005104

申请日：2004-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종철

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32633 ,  H01L21/67069

Abstract: 건식 식각 장치는, 프로세스 챔버 상에 소스 챔버가 서로 연통되게 배치된 챔버부, 프로세스 챔버 내부에 배치된 척, 소스 챔버에 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급부, 및 소스 챔버에 고주파 파워를 제공하고 척에는 바이어스 파워를 선택적으로 제공하는 전원부를 포함한다. 화학적 식각 공정을 수행하기 위해서 전도성 메쉬를 프로세스 챔버와 소스 챔버의 경계부에 배치하고, 소스 챔버에 고주파 파워를 제공하여 소스 챔버 내부에 플라스마를 생성한다. 이 경우, 플라스마의 이온과 전자는 전도성 메쉬에 의하여 제거되고 라디칼만이 프로세스 챔버로 통과하여 반도체 기판 상의 막을 화학적 식각한다. 이온 도움에 의한 식각 공정을 수행하기 위해서 전도성 메쉬를 소스 챔버의 내부 상측으로 배치하고 소스 챔버에 고주파 파워를 제공함과 동시에 척에 바이어스 파워를 제공한다. 따라서 전도성 메쉬를 통과한 라디칼이 플라스마 상태로 재해리되어 반도체 기판 상의 막을 이온 도움에 의하여 식각한다. 또한, 프로세스 챔버와 소스 챔버 사이에 전도성 메쉬를 고정하고, 척에 제공되는 바이어스 파워를 조절함으로써 동일한 건식 식각 장치에서 화학적 식각 및 이온 도움에 의한 식각을 모두 수행하기 할 수도 있다.

公开(公告)号：KR100487657B1

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：KR1020030056264

申请日：2003-08-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종철 ,  송종희

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66621 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/7835

Abstract: 리세스된 게이트를 갖는 모스 트렌지스터 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 모스 트랜지스터는 반도체 기판과 상기 기판에 위치하여 활성영역을 한정하는 트렌치 소자분리막을 갖는다. 상기 트렌치 소자분리막은 적어도 하부 측벽이 역경사(negative slope)를 갖는다. 상기 활성영역의 소정영역에 리세스된 게이트가 위치하되, 상기 리세스된 게이트의 바닥면은 상기 트렌치 소자분리막의 역경사진 측벽과 접한다. 이와 같이 상기 소자분리 트렌치를 역트렌치 형상으로 형성함으로써, 문턱전압(threshold voltage)의 급속저하(rolling off)나 펀치쓰루(punchthrough)와 같은 쇼트 채널 효과를 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040034913A

公开(公告)日：2004-04-29

申请号：KR1020020063562

申请日：2002-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박환식 ,  전상문 ,  최선용 ,  박종철 ,  전충삼

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a standard sample of a semiconductor device is provided to reduce manufacturing cost by using one thin film having plural regions of different thickness. CONSTITUTION: A first thin film(110) is formed on a semiconductor substrate(100). The first thin film(110) includes one or more regions having difference thickness. A second thin film(120C) is formed on the first thin film(110). The second thin film(120C) includes a flat surface or one or more regions having different height. A process for forming the first and the second thin films includes a process for coating a thin film, a process for forming a photoresist pattern on the thin film to expose partially the thin film, a process for etching the exposed region, and a process for removing the photoresist pattern.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的标准样品的方法，通过使用具有不同厚度的多个区域的一个薄膜来降低制造成本。 构成：在半导体衬底（100）上形成第一薄膜（110）。 第一薄膜（110）包括具有不同厚度的一个或多个区域。 第一薄膜（120C）形成在第一薄膜（110）上。 第二薄膜（120C）包括平坦表面或具有不同高度的一个或多个区域。 用于形成第一和第二薄膜的方法包括用于涂覆薄膜的方法，在薄膜上形成光致抗蚀剂图案以部分地暴露薄膜的方法，用于蚀刻曝光区域的工艺，以及用于 去除光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：KR1020030008068A

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1020010042822

申请日：2001-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종철 ,  김동현 ,  권오익 ,  조혜진

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  H01L21/67017

Abstract: PURPOSE: A shower head of a wafer processing apparatus having an interval control device is provided to control the amount of reaction gas by installing the interval control device between two baffle plates. CONSTITUTION: A top plate(10) has a gas inflow hole(12) for transferring a reaction gas into a process chamber. A face plate(20) faces a process region of the process chamber. A plurality of through-holes are formed in the face plate(20). The first baffle plate(30) and the second baffle plate(40) are installed between the top plate(10) and the face plate(20). An interval control device is formed on an upper face of the first baffle plate(30). The interval control device is formed with the first spacer ring(92). An interval control device including the second spacer ring(94) is formed between the first and the second baffle plate(30,40). The positions of the first and the second baffle plate(30,40) are determined by controlling thickness of the first and the second ring(92,94). A guide baffle plate(50) is installed on the first baffle plate(30).

Abstract translation: 目的：提供具有间隔控制装置的晶片处理装置的喷头，以通过在两个挡板之间安装间隔控制装置来控制反应气体的量。 构成：顶板（10）具有用于将反应气体输送到处理室中的气体流入孔（12）。 面板（20）面向处理室的处理区域。 多个通孔形成在面板（20）中。 第一挡板（30）和第二挡板（40）安装在顶板（10）和面板（20）之间。 间隔控制装置形成在第一挡板（30）的上表面上。 间隔控制装置形成有第一间隔环（92）。 包括第二隔离环（94）的间隔控制装置形成在第一和第二挡板（30,40）之间。 通过控制第一和第二环（92,94）的厚度来确定第一和第二挡板（30,40）的位置。 引导挡板（50）安装在第一挡板（30）上。