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    한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치
    21.
    发明公开
    한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 失效
    组合一个开关器件和一个电阻材料的非易失性存储器件

    公开(公告)号：KR1020070091097A

    公开(公告)日：2007-09-07

    申请号：KR1020070086282

    申请日：2007-08-27

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 서순애 ,  유인경 ,  이명재 ,  박완준

    IPC: G11C11/15

    CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C5/025 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/10

    Abstract: A nonvolatile memory device including one switching device and one resistor is provided to reduce fabrication cost of the product by enabling mass production using the conventional DRAM process, and to prevent memory characteristics of the resistor from being influenced by integration density. A nonvolatile memory device includes a substrate and a transistor formed on the substrate. A data storage part is connected to a drain of the transistor. The data storage part includes a data storage material layer which has different resistance characteristics on different voltage regions, especially first resistance indicating a first data state when a write voltage is applied and second resistance different from the first resistance and indicating a second data state when a write voltage is applied. The first and the second data state are read by applying a read voltage which does not change a data state of the data storage material layer.

    Abstract translation: 提供了包括一个开关器件和一个电阻器的非易失性存储器件，以通过使用常规DRAM工艺进行批量生产，并且防止电阻器的存储器特性受到集成密度的影响来降低产品的制造成本。 非易失性存储器件包括衬底和形成在衬底上的晶体管。 数据存储部分连接到晶体管的漏极。 数据存储部分包括在不同电压区域具有不同电阻特性的数据存储材料层，特别是当施加写入电压时指示第一数据状态的第一电阻和与第一电阻不同的第二电阻，并且当第 施加写入电压。 通过施加不改变数据存储材料层的数据状态的读取电压来读取第一和第二数据状态。

    한 개의 트랜지스터와 데이터 저장 수단으로 한 개의저항체를구비하는 메모리 소자 및 그 구동 방법
    22.
    发明授权
    한 개의 트랜지스터와 데이터 저장 수단으로 한 개의저항체를구비하는 메모리 소자 및 그 구동 방법 有权
    具有一个晶体管和一个电阻材料作为数据存储装置的存储装置及其驱动方法

    公开(公告)号：KR100738065B1

    公开(公告)日：2007-07-10

    申请号：KR1020020039988

    申请日：2002-07-10

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 유인경 ,  서순애 ,  김현조

    IPC: H01L27/10

    CPC classification number: H01L27/11206 ,  G11C16/0475 ,  H01L27/112

    Abstract: 한 개의 트랜지스터와 데이터 저장 수단으로써 한 개의 저항체를 구비하는 메모리 소자 및 그 구동 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 반도체 기판에 형성된 NPN형 트랜지스터, 상기 트랜지스터의 소오스 영역과 도전성 플러그를 통해 연결되어 비트 데이터 "0" 또는 "1"이 기록되는 저항체 및 상기 저항체와 접촉된 도전성 플레이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 및 그 구동 방법을 제공한다. 개시된 본 발명을 이용하면, 메모리 셀의 구조가 단순하기 때문에 메모리 소자의 집적도를 높일 수 있고, 제조 공정을 단순화 할 수 있으며, 리프레쉬 주기(refresh period)를 길게 하여 메모리 소자의 전력 소모를 줄일 수 있다.

    한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
    27.
    发明公开
    한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 有权
    非易失性存储器件，包括一个开关器件和一个电阻器及其制造方法，特别是开关器件是一个晶体管

    公开(公告)号：KR1020040104967A

    公开(公告)日：2004-12-14

    申请号：KR1020030035562

    申请日：2003-06-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 서순애 ,  유인경 ,  이명재 ,  박완준

    IPC: G11C11/15

    CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

    Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device including one switching device and one resistor and a method for manufacturing the same are provided to increase the yields of the products by utilizing the easily fabricated transition metal oxide as a resistor. CONSTITUTION: A non-volatile memory device including one switching device and one resistor includes a substrate, a transistor(Tr) and a data storage unit. The transistor is formed on the substrate. The data storage unit is connected to the drain(44) of the transistor. And, the data storage unit is provided with another data storage material layer having a resistance characteristics different from that of a predetermined voltage range.

    Abstract translation: 目的：提供包括一个开关装置和一个电阻器的非易失性存储装置及其制造方法，以通过利用容易制造的过渡金属氧化物作为电阻来提高产品的产量。 构成：包括一个开关器件和一个电阻器的非易失性存储器件包括衬底，晶体管（Tr）和数据存储单元。 晶体管形成在基板上。 数据存储单元连接到晶体管的漏极（44）。 并且，数据存储单元设置有具有与预定电压范围不同的电阻特性的另一数据存储材料层。

    나노도트를 가지는 메모리 제조방법
    28.
    发明公开
    나노도트를 가지는 메모리 제조방법 有权
    用NANO DOT制作记忆的方法

    公开(公告)号：KR1020040056409A

    公开(公告)日：2004-07-01

    申请号：KR1020020082387

    申请日：2002-12-23

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김인숙 ,  서순애 ,  유인경 ,  정수환

    IPC: H01L21/8247 ,  B82Y10/00

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/774

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a memory with a nano dot is provided to form a uniform distribution of high density nano dots for storing charges by performing a self-aligned process, and to obtain a high capacity memory of a high writing density capable of being written, recovered and erased by using the same principle of writing, recovering and erasing as a conventional memory. CONSTITUTION: The first insulation layer(102), a charge storage layer(103), a sacrificial layer and a metal layer are sequentially formed on a substrate(101) having a source/drain electrode. The metal layer is anodized to form a plurality of holes, and the sacrificial layer is oxidized. The oxidized metal layer is removed. The sacrificial layer and the charge storage layer are etched by using the oxidized sacrificial layer as a mask so that the charge storage layer is patterned to be a nano dot. The oxidized sacrificial layer is removed. The second insulation layer(109) and a gate electrode(111) are deposited on the patterned charge storage layer. The first insulation layer, the charge storage layer, the second insulation layer and the gate electrode are patterned to be a predetermined type.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有纳米点的存储器的方法，以通过执行自对准工艺形成用于存储电荷的高密度纳米点的均匀分布，并获得能够存在高写入密度的高容量存储器 通过使用与常规记忆相同的写入，恢复和删除原理来写入，恢复和删除。 构成：在具有源极/漏极的衬底（101）上依次形成第一绝缘层（102），电荷存储层（103），牺牲层和金属层。 金属层被阳极氧化以形成多个孔，牺牲层被氧化。 去除氧化金属层。 通过使用氧化的牺牲层作为掩模来蚀刻牺牲层和电荷存储层，使得电荷存储层被图案化为纳米点。 去除氧化的牺牲层。 第二绝缘层（109）和栅电极（111）沉积在图案化的电荷存储层上。 将第一绝缘层，电荷存储层，第二绝缘层和栅电极图案化为预定类型。

    그래핀 전자 소자 및 제조방법
    29.
    发明授权
    그래핀 전자 소자 및 제조방법 有权
    Graphen电子设备和制造方法

    公开(公告)号：KR101813176B1

    公开(公告)日：2017-12-29

    申请号：KR1020110032192

    申请日：2011-04-07

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 허진성 ,  정현종 ,  서순애 ,  이성훈 ,  양희준

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/66045 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  Y10S977/936

    Abstract: 그래핀전자소자및 제조방법이개시된다. 개시된그래핀전자소자는게이트전극으로작용하는도전성기판과, 상기기판상에배치된게이트옥사이드와, 상기게이트옥사이드상에서서로이격된한쌍의제1금속과, 상기제1금속상에서상기제1금속사이로연장된그래핀채널층과, 상기그래핀채널층의양단에각각배치된소스전극과드레인전극을구비하다.

    Abstract translation: 本发明公开了一种石墨烯电子器件及其制造方法。 公开的导电性基板，栅氧化物，以及一对彼此在所述栅氧化层隔开的第一金属的第一金属之间延伸的石墨烯的电子元件，所述设置充当栅电极的基板上的第一金属 以及分别设置在石墨烯沟道层两端的源电极和漏电极。

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