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    키 교환 시스템 및 방법
    1.
    发明公开
    키 교환 시스템 및 방법 无效
    用于交换钥匙的系统和方法

    公开(公告)号：KR1020100050846A

    公开(公告)日：2010-05-14

    申请号：KR1020080109944

    申请日：2008-11-06

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  숭실대학교산학협력단

    Inventor： 박재성 ,  박태성 ,  권재훈 ,  정수환 ,  최재덕

    IPC: H04L9/30 ,  H04L12/28

    CPC classification number: H04L63/061 ,  H04L9/083 ,  H04L9/0841 ,  H04L63/0823 ,  H04L63/0884

    Abstract: PURPOSE: By using the private key and the public key which directly becomes between two terminals the key exchange system and method are proceed the key exchange. CONSTITUTION: A key exchange system is composed of a client(101), and a server(102) and proxy server(103). The proxy server establishes the signaling pathway between server and client. Client is for its own created the RSA(Rivest Shamir Adleman) private key and RSA public key. Server is for its own created the RSA private key and RSA public key.

    Abstract translation: 目的：通过密钥交换和密钥交换，密钥交换系统和方法通过使用直接在两个终端之间的私钥和公钥进行密钥交换。 构成：密钥交换系统由客户端（101）和服务器（102）以及代理服务器（103）组成。 代理服务器建立服务器和客户端之间的信令通路。 客户端是为自己创建的RSA（Rivest Shamir Adleman）私钥和RSA公钥。 服务器是为自己创建的RSA私钥和RSA公钥。

    초음파 에너지를 이용한 ＺｎＯ 나노와이어의 제조방법
    2.
    发明公开
    초음파 에너지를 이용한 ＺｎＯ 나노와이어의 제조방법 无效
    使用超能量制备ZNO纳米管的方法

    公开(公告)号：KR1020080064004A

    公开(公告)日：2008-07-08

    申请号：KR1020070000701

    申请日：2007-01-03

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박완준 ,  정수환

    IPC: B82B3/00

    CPC classification number: C01G9/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/16 ,  C30B7/14 ,  C30B29/16 ,  C30B29/62 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0676

    Abstract: A preparation method of zinc oxide nanowire is provided to prevent a prepared device having the nanowire from thermal damage by employing ultrasonic energy at relatively low temperature, to form the zinc oxide nanowire at desired point in order to obtain electronic element and to obtain flexible display element having the nanowire. A preparation method of zinc oxide nanowire comprises steps of: forming a Zn layer on the surface of a substrate; patterning the Zn layer; and soaking the substrate(20) having patterned Zn layer in a mixture solution(10) comprising a solution having Zn and a solution for ionizing Zn, and forming a ZnO nanowire(40) on the Zn layer by means of an ultrasonic generator(30). An alternative preparation method of zinc oxide nanowire comprises steps of: forming a patterned photoresist layer on the substrate; forming a Zn layer on the substrate and on the photoresist layer from an upper side of the substrate; soaking the substrate having a patterned Zn layer in a mixture solution comprising a solution having Zn and a solution for ionizing Zn, and forming the ZnO nanowire on the Zn layer by means of an ultrasonic generator; and removing the photoresist layer.

    Abstract translation: 提供了一种氧化锌纳米线的制备方法，以在相对低的温度下通过采用超声波能量来防止具有纳米线的制备的器件受到热损伤，从而在所需点形成氧化锌纳米线，以获得电子元件并获得柔性显示元件 有纳米线。 氧化锌纳米线的制备方法包括以下步骤：在基材的表面上形成Zn层; 图案化Zn层; 并且将具有图案化Zn层的衬底（20）浸入包含Zn溶液和用于电离Zn的溶液的混合溶液（10）中，并且通过超声波发生器（30）在Zn层上形成ZnO纳米线（40） ）。 氧化锌纳米线的替代制备方法包括以下步骤：在衬底上形成图案化的光致抗蚀剂层; 从基板的上侧在基板上和光致抗蚀剂层上形成Zn层; 将具有图案化Zn层的基板浸渍在包含Zn溶液和用于电离Zn的溶液的混合溶液中，并且通过超声波发生器在Zn层上形成ZnO纳米线; 并除去光致抗蚀剂层。

    자기 정렬된 나노 채널-어레이의 제조방법 및 이를 이용한 나노 도트의 제조방법
    3.
    发明公开
    자기 정렬된 나노 채널-어레이의 제조방법 및 이를 이용한 나노 도트의 제조방법 失效
    用于制造自对准的纳米通道阵列的方法和使用该方法制备纳米级的方法来缩短工艺时间的间隔

    公开(公告)号：KR1020040091291A

    公开(公告)日：2004-10-28

    申请号：KR1020030025082

    申请日：2003-04-21

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 유인경 ,  정수환 ,  서순애 ,  김인숙

    IPC: H01L27/12 ,  B82Y10/00

    CPC classification number: B82B3/00 ,  B29C59/022 ,  B29C59/026 ,  B29C2059/023 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/32139

    Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a self-aligned nano channel array is provided to shorten an interval of process time and simplify a fabricating process by using a well-aligned nano channel array. CONSTITUTION: The first alumina layer having a channel array by a plurality of vacancies is formed on an aluminum substrate(11) by the first anodizing oxide process. The first alumina layer is etched by a predetermined depth to form a plurality of concave grooves on the aluminum substrate such that the concave grooves are formed by the bottom portion of each channel(14a) of the first alumina layer. The second alumina layer having a plurality of channel arrays corresponding to the concave groove is formed on the aluminum substrate by the second anodizing oxide process.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于制造自对准纳米通道阵列的方法，以缩短处理时间的间隔，并通过使用良好排列的纳米通道阵列简化制造过程。 构成：通过第一阳极氧化处理在铝基板（11）上形成具有多个空位的通道阵列的第一氧化铝层。 第一氧化铝层被蚀刻预定深度以在铝基板上形成多个凹槽，使得凹槽由第一氧化铝层的每个通道（14a）的底部形成。 通过第二阳极氧化处理，在铝基板上形成具有与凹槽对应的多个通道阵列的第二氧化铝层。

    전자빔 리소그라피 시스템의 에미터 및 그 제조방법
    4.
    发明公开
    전자빔 리소그라피 시스템의 에미터 및 그 제조방법 失效
    电子束光刻系统的发光体及其在绝缘层中获得均匀电场的制造方法

    公开(公告)号：KR1020040081665A

    公开(公告)日：2004-09-22

    申请号：KR1020030016288

    申请日：2003-03-15

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 유인경 ,  문창욱 ,  정수환 ,  김동욱

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J9/027 ,  H01J2237/31774 ,  H01J2237/31783

    Abstract: PURPOSE: An emitter of an electron-beam lithography system and a method for manufacturing the same are provided to obtain uniform electric field in an insulating layer and to simplify manufacturing process. CONSTITUTION: An MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) emitter(100) includes a substrate(110), an insulating layer(120) formed on the substrate, and a gate electrode(130) formed on the insulating layer. The gate electrode is provided with a base layer(131) with a constant thickness and an electron-beam blocking layer(132) with a desired pattern.

    Abstract translation: 目的：提供电子束光刻系统的发射极及其制造方法，以在绝缘层中获得均匀的电场并简化制造工艺。 构造：MIS（金属 - 绝缘体 - 半导体）发射器（100）包括衬底（110），形成在衬底上的绝缘层（120）和形成在绝缘层上的栅电极（130）。 栅电极设置有具有恒定厚度的基极层（131）和具有期望图案的电子束阻挡层（132）。

    전자빔 리소그라피 시스템의 에미터 및 그 제조방법
    5.
    发明授权
    전자빔 리소그라피 시스템의 에미터 및 그 제조방법 失效
    电子束投影光刻系统的发射体及其制造方法

    公开(公告)号：KR100935934B1

    公开(公告)日：2010-01-11

    申请号：KR1020030016288

    申请日：2003-03-15

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 유인경 ,  문창욱 ,  정수환 ,  김동욱

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J9/027 ,  H01J2237/31774 ,  H01J2237/31783

    Abstract: 전자빔 리소그라피 시스템의 에미터 및 그 제조방법에 관하여 개시된다. 개시된 전자빔 에미터는, 기판과, 기판 위에 형성된 절연층과, 절연층 위에 일정한 두께로 형성된 베이스층과 베이스층 위에 소정의 패턴으로 형성된 전자빔 차단층을 포함하는 게이트 전극을 구비한다. 그리고, 상기 에미터의 제조방법은, 기판을 준비하는 단계와, 기판 상에 절연층을 형성하는 단계와, 절연층 위에 도전성 금속을 일정한 두께로 증착하여 게이트 전극의 베이스층을 형성하는 단계와, 베이스층 위에 양극산화가 가능한 금속을 소정 두께로 증착하여 게이트 전극의 전자빔 차단층을 형성하는 단계와, 전자빔 차단층을 양극산화에 의해 소정의 패턴으로 패터닝하는 단계를 구비한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 에미터 절연층 내부에 균일한 전기장을 확보할 수 있으며, 에미터의 제조공정이 보다 단순화될 수 있다.

    상온 및 상압에서의 단일벽 탄소나노튜브 합성 방법
    7.
    发明公开
    상온 및 상압에서의 단일벽 탄소나노튜브 합성 방법 有权
    单壁碳纳米管在室温和大气压力下的合成方法

    公开(公告)号：KR1020060056460A

    公开(公告)日：2006-05-24

    申请号：KR1020040095548

    申请日：2004-11-20

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정수환 ,  박완준 ,  박종봉 ,  고주혜

    IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  Y10S977/842

    Abstract: 상온 및 상압에서의 단일벽 탄소나노튜브 합성 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 탄소나노튜브 합성에 촉매로써 작용하는 촉매입자가 함유된 유기 금속 화합물과 탄소 공급원을 포함하는 혼합액을 형성하는 제1 단계와, 표면상에서 상기 탄소나노튜브가 합성되는 지지체를 상기 혼합액에 첨가하는 제2 단계와, 상기 지지체가 첨가된 상기 혼합액에 초음파를 조사하는 제3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성 방법을 제공한다.

    자기 정렬된 나노 채널-어레이의 제조방법 및 이를 이용한 나노 도트의 제조방법
    9.
    发明授权
    자기 정렬된 나노 채널-어레이의 제조방법 및 이를 이용한 나노 도트의 제조방법 失效
    使用纳米通道阵列制作自订纳米通道阵列的方法和纳米点的制造方法

    公开(公告)号：KR101190657B1

    公开(公告)日：2012-10-15

    申请号：KR1020030025082

    申请日：2003-04-21

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 유인경 ,  정수환 ,  서순애 ,  김인숙

    IPC: H01L27/12 ,  B82Y10/00

    CPC classification number: B82B3/00 ,  B29C59/022 ,  B29C59/026 ,  B29C2059/023 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/32139

    Abstract: A method of manufacturing a nanochannel-array and a method of fabricating a nanodot using the nanochannel-array are provided. The nanochannel-array manufacturing method includes: performing first anodizing to form a first alumina layer having a channel array formed by a plurality of cavities on an aluminum substrate; etching the first alumina layer to a predetermined depth and forming a plurality of concave portions on the aluminum substrate, wherein each concave portion corresponds to the bottom of each channel of the first alumina layer; and performing second anodizing to form a second alumina layer having an array of a plurality of channels corresponding to the plurality of concave portions on the aluminum substrate. The array manufacturing method makes it possible to obtain finely ordered cavities and form nanoscale dots using the cavities.

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