Abstract:
PURPOSE: A phosphor film, a manufacturing method thereof, a method for coating a phosphor layer, a method for manufacturing an LED package, and an LED package manufactured thereby are provided to prevent a wire from being deformed even if the wire is coated on a wire-bonded light emitting diode chip. CONSTITUTION: A phosphor film(100) comprises a base film(110), a phosphor layer(130), and a cover film(150). The phosphor layer is formed on the base film and mixes a phosphor particle with a resinous material hardened partially. The cover film is formed in order to protect the phosphor layer on the phosphor layer. The phosphor layer is in a semi-hardening state at room temperature. A variable phase change is generated when the phosphor layer is heated.
Abstract:
A semiconductor package including a semiconductor chip package is provided to improve the electric reliability of a semiconductor chip package by including a molding layer having a meniscus concave. A semiconductor chip package comprises a semiconductor chip(110), a solder ball(112) for a bump and a molding layer(120). The semiconductor chip includes a side including bonding pads, a second side facing the first side and a side. The solder ball for a bump is provided on bonding pads. The molding layer is provided so that each part of the solder balls for bump is exposed with covering the first side. The molding layer between the adjacent solder balls for bumps has a meniscus concave. The solder balls for bump comprise a cross section having a maximum diameter parallel to the first side. Height from the first side to the edge contacting with the solder ball for the bump of the meniscus concave is within 1/7 length of the maximum diameter of the solder ball to a lower part or upper part.
Abstract:
A semiconductor package and the manufacturing method thereof are provided to realize the multi-chip package with high integration degree by securing the insulation between the wires although the length of wire long. A semiconductor package(100) comprises the package substrate(110), one or more semiconductor chips(120, 130), one or more wires(140a, 140b), a plurality of insulating property beads(145a, 145b). The semiconductor chip is laminated on the package substrate. One or more semiconductor chips and the package substrate are electrically connected by the wire. The insulating property bead surrounds one or more wires. The insulating property bead is separately placed along one or more wires. The diameter of the insulating property bead is getting decreased from the center to the edge.
Abstract:
본 발명은 이축 회전 폴더 타입 이동통신 단말기에 채용되는 로킹 기능을 구비한 힌지 장치에 관한 것이다. 개시된 힌지 장치는 본체와, 폴더와, 상기 본체 외주면을 따라서 소정의 각도로 스윙되어 상기 폴더의 힌지축을 상기 본체 가로 방향 또는 세로 방향으로 제공하는 회전 힌지부로 구성된 이축 회전 폴더 타입 이동 통신 단말기의 회전 힌지부에 있어서, 상기 회전 힌지부는 스윙 여부에 따라서 상기 가로 방향 또는 세로 방향으로 변경되는 제1힌지축을 제공하는 제1힌지부; 및 상기 폴더와 본체에 각각 장착되어 상기 제1힌지부에 스윙 연결부에 의해 일체형으로 구성되어 상기 제1힌지축을 중심으로 회전하는 제2,3힌지축을 제공하는 제2,3힌지부를 포함하고, 상기 제2힌지부는 상기 스윙 연결부 외면에 그의 상면이 노출되게 장착되어 누름 동작으로 로킹 여부를 결정하는 버튼; 상기 버튼과 대면하게 동축으로 장착되고, 소정 곡률을 가지는 개구를 구비한 제1힌지 부재; 상기 버튼에 형성되어 상기 버튼 누름 여부에 따라 이동하여 상기 개구에 수용되거나 이탈하는 스토퍼; 상기 버튼과 상기 제1힌지 부재 사이에 밀착되게 장착되어 상기 연결부의 정지 상태를 유지시키는 제1탄성체; 및 상기 버튼과 상기 제1힌지 부재 사이에 장착되어 상기 버튼을 복귀시키는 제2탄성체로 구성된다. 이동통신 단말기, 폴더, 이축 회전, 스윙, 힌지부.
Abstract:
본 발명은 리드 노출형 반도체 칩 패키지(exposed lead package; ELP)에 대한 것이다. 리드 노출형 반도체 칩 패키지는 장비와 공정 등의 문제로 리드 두께 감소에 한계를 갖고 있는데, 리드의 두께가 두꺼울수록 리드 노출형 반도체 칩 패키지의 박형화에는 한계가 있게 되고, 리드로 연질의 재료를 사용 시에는 절단 공정에서 더 많은 버를 발생시킨다. 또한 종래의 리드 노출형 반도체 칩 패키지의 다이 패드와 반도체 칩 실장 시 사용되는 은 에폭시는 신뢰도 저하의 원인이 될 수 있으며, 그룹 봉지 과정과 경화 과정 시에는 휨이 발생되며, 봉지 수지의 침투로 인해 생산성에 한계가 있게 된다. 이러한 불량을 감소시키기 위해 본 발명은 테이프형 리드 프레임 스트립과 이를 이용한 리드 노출형 반도체 칩 패키지 및 제조 방법을 제공한다. 얇은 두께의 패턴 리드와 접착 수단을 포함하는 테이프는 리드 노출형 반도체 칩 패키지의 박형화와 버(burr) 감소를 가능하게 하며, 은 에폭시에 의한 신뢰도 저하 방지와 그룹 봉지와 경화 과정시의 휨 감소 및 생산성 증대를 가능하게 한다. ELP, 리드 노출형 반도체 칩 패키지, 테이프, 패턴, 박형 패턴 리드
Abstract:
본 발명은 반도체 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반도체칩, 그 반도체칩이 적층되는 방열막(放熱膜)을 구비한 기판, 그 반도체칩, 그 기판을 전기적으로 연결하는 본딩와이어 및 그 방열막의 외곽부가 노출되도록 그 반도체칩을 실링하는 봉지재를 포함하는 구성과, 반도체칩에서 발생하는 열을 외부로 전달시키기 위한 방열막을 기판에 형성하고 그 방열막의 외곽부가 노출되도록 봉지재를 형성하는 제조방법을 특징으로 한다. 이에 따라, 반도체칩에서 발생하는 열이 원활하게 외부로 배출될 수 있는 열전달경로가 마련되어 반도체칩의 동작이 더욱 안정적으로 이루어 질 수 있으므로 반도체 패키지의 제품 신뢰성이 향상된다.
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor chip package and a manufacturing method thereof are provided to prevent molding failure due to the flowability of a molded resin and to maximize heat radiating effect by using an exposed heat radiating plate. CONSTITUTION: A semiconductor chip(110) with a plurality of bonding pads(111) is mounted on a die pad(121). Inner leads(123) are arranged along a periphery of the die pad. The bonding pads and the inner leads are electrically connected with each other by using bonding wires(131). A package body(135) encapsulates selectively the resultant structure. A heat radiating plate(141) is installed on the package body and connected with the semiconductor chip through a plurality of connecting portions(143).
Abstract:
PURPOSE: A stack-type BGA(Ball Grid Array) package is provided to shorten the length of electric connection between packages while reducing size of package by stacking a plurality of BGA packages corresponding to a semiconductor chip. CONSTITUTION: A stack-type BGA package(200) includes a base BGA package and a plurality of BGA packages. The base BGA package has at least one chip(103,105). The plurality of BGA packages with stacked on the base BGA package have also at least one chip. The base BGA package and the respective BGA package stacked on the base BGA package further includes a print circuit board(101), a semiconductor chip(103,105), a wire(111a,111b), an epoxy mold resin(113) and a solder ball(115).
Abstract:
PURPOSE: A method for molding both sides of a PCB module having a wafer level package and a mold used for the same are provided to enhance the productivity by molding simultaneously the top surface and the bottom of a PCB. CONSTITUTION: A wafer level package including a semiconductor chip having a bumper is prepared. A PCB module is formed by mounting wafer level packages having bumpers on the top surface and the bottom surface of a PCB(107). The PCB module is loaded between an upper mold including an upper cavity and an upper gate and a lower mold including a lower cavity and a lower gate. Epoxy molding compound(129) is implanted into the upper cavity and the lower cavity through an implantation part adjacent to the upper gate and the lower gate. The PCB module is separated from the upper mold, the lower mold, and the implantation part. The residual epoxy molding compound is removed from the implantation part.
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor device and a method for packaging the same are provided to simplify a packaging process and reduce the manufacturing cost by omitting a sealing process for sealing bumps of a semiconductor chip. CONSTITUTION: A conductor pattern(220) is formed on the surface of a substrate(210). The conductor pattern is connected to a plurality of bumps. A protection layer pattern(230) is formed on the substrate and the conductor pattern. The protection layer pattern includes a hole to expose the conductive pattern and connect the bumps to the conductive pattern. An adhesive pattern(260) is formed on the protection layer pattern. The adhesive pattern includes a hole having the same pattern as the hole of the protection layer pattern.