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公开(公告)号：KR101634753B1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：KR1020080119974
申请日：2008-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C07D401/04 , C07D213/16
CPC classification number: C07D213/22 , B82Y10/00 , H01B1/24 , H01L51/0049 , Y10S977/742 , Y10S977/745 , Y10S977/746 , Y10S977/788 , Y10S977/795
Abstract: 분자구조중에두 개이상의피리디늄유도체를포함하는화합물이고, 상기화합물은환원된상태에있는화합물을 CNT n-도핑물질로이용하면상기화합물은 CNT에자발적으로전자를주고안정한구조로산환되어 n-도핑할수 있다. 상기 CNT n-도핑물질을이용하여 CNT를 n-도핑하는경우공기및/또는수분중에서장기간도핑안정성을확보할수 있고도핑상태의제어도용이할수 있다.
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公开(公告)号：KR101622304B1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：KR1020090072116
申请日：2009-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01B31/0446 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/182 , C01B32/184 , C01B32/194 , C01B2204/22 , H01J1/304 , H01J2201/30461 , H01J2329/0449 , Y10T428/24802 , Y10T428/24851 , Y10T428/265 , Y10T428/30 , Y10T428/31678 , Y10T428/31786
Abstract: 그라펜기재및 그의제조방법에관한것으로, 구체적으로는기판상에그라펜이소정형상으로형성된그라펜기재및 상기그라펜기재를용이하게형성할수 있는제조방법에관한것이다. 상기그라펜기재는기판상에서그라펜을직접성장시킴으로써주름이적고, 목적하는소자의형태에따라패턴을부여하는것도가능하다.
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公开(公告)号：KR1020160014409A
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：KR1020140096610
申请日：2014-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09D11/52 , C09D11/037 , C09D11/10 , H01B1/22
Abstract: 금속나노체, 바인더, 그리고물과알코올을포함하는용매를포함하고, 상기알코올은상기물과상기알코올의총 함량에대하여 40중량% 미만으로포함되는도전성잉크조성물, 상기도전성잉크조성물로부터형성된도전체및 상기도전체를포함하는전자소자에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种导电油墨组合物，它包括：金属纳米体，粘合剂和含有水和醇的溶剂，其中醇的含量相对于水和醇的总含量为40重量％。 本发明还涉及由导电油墨组合物形成的导体，以及包括导体的电子装置。 根据本发明的一个实施方案，导电油墨组合物可以减少有机残余物并改善成膜性能。
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公开(公告)号：KR101375834B1
公开(公告)日：2014-03-18
申请号：KR1020070118827
申请日：2007-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20 , H01L29/786 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L29/66765 , Y10S977/762 , Y10S977/778
Abstract: 다결정 실리콘 박막 및 이를 적용하는 박막 트랜지스터의 제조방법이 개시된다. 개시된 다결정 실리콘 박막의 제조방법은 기판 상에 비정질 실리콘으로 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층에 금 나노로드를 도포하는 단계; 상기 금 나노로드에 적외선 영역의 광을 조사하여 상기 활성층을 결정화 시키는 단계;를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101344493B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020070132682
申请日：2007-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B1/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C01B2204/04 , C30B29/02
Abstract: 상기단결정그라펜시트는복수개의탄소원자들이서로공유결합하여이루어진폴리시클릭방향족분자로이루어진단결정그라펜시트로서, 상기그라펜시트의층수가 1층내지 300층이며, 라만스펙트럼측정시 D밴드/G밴드의피크비가 0.2 이하이다.
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公开(公告)号：KR101329143B1
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：KR1020070002914
申请日：2007-01-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04M1/22 , H01H2219/028 , H01H2219/054 , H01H2239/07 , H01H2300/036
Abstract: 본 발명은 금속 나노입자를 이용한 자외선 차단 재료에 관한 것으로, 상기 자외선 차단 재료는 표면 플라즈몬 흡수 파장을 이용하여 자외선 파장을 흡수 차단하는, 나노 크기의 금속 입자 및 유전체를 포함하며, 상기 금속 나노입자의 표면 플라즈몬 흡수 파장 또는 유전체에 의해 전이된 플라즈몬 흡수 파장으로 자외선 파장 또는 특정 파장을 흡수 차단시킴으로써, 휴대폰 등의 화상 표시 장치에 적용하였을 때 우수한 시인성을 발휘한다.
표면 플라즈몬, 금속 나노입자, 유전체, 파장 전이, 자외선 차단, 화상 표시 장치, 자외선 발광 소자, 키패드 어셈블리-
公开(公告)号：KR101224739B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020060006852
申请日：2006-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C07D209/58 , B82Y10/00 , C07D221/18 , C07D471/04 , C07D493/04 , H01L51/0048 , H01L51/0053
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 표면에 대한 결합력을 증대시키는 헤테로시클릭 고리를 포함하는 아로마틱 이미드계 탄소나노튜브용 분산제 및 그를 포함하는 탄소나노튜브 조성물에 관계한다. 본 발명의 분산제는 탄소나노튜브 표면에 흡착하기 유리한 구조로 적은 양의 분산제로도 많은 양의탄소나노튜브를 고농도로 분산시킬 수 있는이점을 가진다.
탄소나노튜브, 분산제, 아로마틱 이미드, n-type 반도체 특성, 분산 효율 증가-
公开(公告)号：KR1020130006868A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110061793
申请日：2011-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/778 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01L29/1606 , H01L51/442 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: PURPOSE: A grapheme material and a transistor implementing the same are provided to increase adhesive force between graphene and a substrate by inserting an intermediate layer material. CONSTITUTION: A graphene material is formed by inserting an intermediate layer(13) between a substrate(11) and a graphene(12). The intermediate layer and the graphene include a film of a monolayer or a multi layer. A dye-sensitized solar cell includes a semiconductor electrode, an electrolyte layer, and an opposing electrode. The semiconductor electrode includes a conductive transparent substrate and a light absorption layer. The colloidal solution of a nano-crystalline oxide is coated on the conductive transparent substrate.
Abstract translation: 目的：通过插入中间层材料，提供了一种图形材料和实现其的晶体管，以增加石墨烯与基板之间的粘合力。 构成：通过在衬底（11）和石墨烯（12）之间插入中间层（13）来形成石墨烯材料。 中间层和石墨烯包括单层或多层的膜。 染料敏化太阳能电池包括半导体电极，电解质层和相对电极。 半导体电极包括导电透明基板和光吸收层。 将纳米晶体氧化物的胶体溶液涂覆在导电透明基板上。
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公开(公告)号：KR1020120124780A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110042624
申请日：2011-05-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C01B32/184 , C23C16/26
Abstract: PURPOSE: A direct growth method of graphene is provided to minimize the damage of graphene by directly growing the graphene on an inorganic substrate and improving its crystallinity. CONSTITUTION: A direct growth method of graphene includes the following steps: carbon(21) is injected into at least one surface of an inorganic substrate(11); a graphitized catalyst layer(13) is formed on the surface of the inorganic substrate with carbon to form a multi-layered substrate; and the multi-layered substrate is thermally treated at a temperature between about 500 and about 1,500 deg C for 0.001 to about 24 hours to form graphene(12) between the inorganic substrate and the graphitized catalyst layer. [Reference numerals] (AA) Carbon injection; (BB) Thermal treatment
Abstract translation: 目的：提供石墨烯的直接生长方法，以通过在无机基材上直接生长石墨烯并提高其结晶度来最小化石墨烯的损伤。 构成：石墨烯的直接生长方法包括以下步骤：将碳（21）注入无机基材（11）的至少一个表面; 在无机基板的表面上形成石墨化催化剂层（13），形成多层基板; 并且在约500至约1500℃的温度下对多层基底进行0.001至约24小时的热处理，以在无机基底和石墨化催化剂层之间形成石墨烯（12）。 （附图标记）（AA）碳注射; （BB）热处理
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