公开(公告)号：KR1020120081659A

公开(公告)日：2012-07-20

申请号：KR1020100129997

申请日：2010-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤영근 ,  김희범 ,  이명수 ,  전찬욱 ,  한학승

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/68 ,  G03F1/76

CPC classification number: G03F1/70 ,  H01L21/0274 ,  G03F1/68 ,  G03F1/76 ,  H01L21/0337

Abstract: PURPOSE: A photo-mask and a method for manufacturing the same are provided to precisely produce an MTT(Mean-To-Target) dimension and uniformity of a two-dimensional pattern at the same time by accurately transferring a desire pattern on a substrate. CONSTITUTION: One-dimensional calibration measured patterns are obtained from one-dimensional calibration design patterns and two-dimensional calibration measured patterns are obtained from two-dimensional calibration design patterns(S20). First measured dimensions of the one-dimensional calibration measured patterns are obtained and second measured dimensions of the two-dimensional calibration measured patterns are obtained(S30). A correlation between the first measured dimensions and the second measured dimensions is established(S40). A main measured dimension of a main pattern is changed into the first measured dimension by using the correlation(S50).

Abstract translation: 目的：提供一种光掩模及其制造方法，通过在基板上精确地传送期望图案，同时精确地产生二维图案的MTT（平均对目标）尺寸和均匀性。 构成：从一维校准设计图案获得一维校准测量图案，并且从二维校准设计图案获得二维校准测量图案（S20）。 获得一维校准测量图案的第一测量尺寸，并获得二维校准测量图案的第二测量尺寸（S30）。 建立第一测量尺寸与第二测量尺寸之间的相关性（S40）。 通过使用相关性将主图案的主要测量尺寸改变为第一测量尺寸（S50）。

公开(公告)号：KR1020110013705A

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：KR1020090071303

申请日：2009-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정윤송 ,  고형호 ,  한성재 ,  김경노 ,  전찬욱

IPC: H01L21/302

CPC classification number: G03F1/82 ,  H01L21/302

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for cleaning a photo mask using a blowing operation is provided to expand the life expectancy of the photo mask by preventing the change of a critical dimension due to the loss of chromium. CONSTITUTION: One side of a photo mask(1) is divided into a first region(10) and a second region(20). A main pattern(15) to be protected from a cleaning solution is formed in the first region. A material(25) to be eliminated using the cleaning solution is in the second region. The cleaning solution is sprayed from the inside to the outside of the second region in order to eliminate the material. A gas is blown from the first region to the second region in order to protect the pattern from the cleaning solution.

Abstract translation: 目的：提供一种使用吹风操作来清洁光罩的方法和设备，以通过防止由于铬的损失导致的临界尺寸的变化来扩大光罩的使用寿命。 构成：光掩模（1）的一侧分为第一区域（10）和第二区域（20）。 在第一区域中形成要被清洁溶液保护的主图案（15）。 使用清洗液排除的材料（25）位于第二区域。 清洗液从第二区域的内部喷射到外部，以消除材料。 气体从第一区域吹送到第二区域，以便保护图案免受清洁溶液的影响。

公开(公告)号：KR1019970016814A

公开(公告)日：1997-04-28

申请号：KR1019950030446

申请日：1995-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전찬욱 ,  권우석

IPC: G03F7/20

Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 제조시에 선명한 패턴을 웨이퍼 상에 형성하기 위해 적용되는 투영노광방법 및 이에 사용되는 투영노광장치에 관한 것으로서, 그 구성은 광원(1)과 어퍼쳐(4) 사이에 설치되어 있는 광집속 수단(20)에 의해서, 상기 광원(1)에서 조사되어 수직 방향으로 입사되는 빛을 접속하여 집속광을 출사하는 단계와 ; 상기 집속광을 상기 입사되는 빛의 방향과 동일한 방향으로 출사되어 상기 어퍼쳐(4)로 제공하는 단계를 포함하여, 상기 집속수단(20)에서 제공되는 빛이 상기 마스크를 통하여 웨이퍼로 전사되게 하는 구성을 갖는다. 상술한 방법에 의해서, 상기 집속수단(20)의 렌즈계는 광역의 빛을 모아서 협역으로 조사하기 때문에, 면적이 작은 어퍼쳐(4)를 사용할 수 있으므로 가간섭도가 감소될 수 있으며 그리고 빛의 밀도가 높아지므로 빛의 세기가 증가될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970016770A

公开(公告)日：1997-04-28

申请号：KR1019950032979

申请日：1995-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전찬욱

IPC: G03F1/76

Abstract: 본 발명은 마스크 데이터양을 감소시키는 마스크 패턴 구성 방법에 관해 개시한다.
본 발명은 마스크 패턴과 여기에 추가된 셰리프를 함께 구성하여 하나의 패턴으로 형성하는 마스크 패턴 구성 방법에 있어서, 상기 셰리프를 별도의 패턴화일로 구성하여 상기 마스크 패턴을 2개의 패턴으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 한 개의 마스크 패턴을 보다 적은 개수의 도형으로 구성되는 두 개 부분의 패턴으로 분리하여 형성함으로써, 마스크 데이터 양과 마스크 노광 시간을 줄일 수 있고, 동시에 자연적으로 패턴 가장자리 부분을 2중 노광함으로써 마스크 패턴을 정확하게 전사할 수 있다.