公开(公告)号：KR1020050086161A

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：KR1020040012537

申请日：2004-02-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정수환 ,  박완준 ,  유인경 ,  고주혜

IPC: B82B3/00 ,  B82Y20/00

CPC classification number: C30B29/602 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C23C26/00 ,  C30B25/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 카본나노튜브의 수평성장방법이 개시된다. 개시된 카본나노튜브의 수평성장방법은, 기판 상에 알루미늄층을 증착하는 단계와, 상기 기판 상에 상기 알루미늄층을 덮는 절연층을 형성하는 단계와, 상기 기판 상에서 상기 절연층 및 상기 알루미늄층을 패터닝하여 상기 기판 상에 상기 알루미늄층의 측면을 노출시키는 단계와, 상기 노출된 알루미늄층의 측면으로부터 소정 깊이로 다수의 홀을 형성하는 단계와, 상기 홀의 바닥에 촉매금속층을 증착하는 단계와, 상기 촉매금속층으로부터 수평으로 카본나노튜브를 성장시키는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR100763897B1

公开(公告)日：2007-10-05

申请号：KR1020020082387

申请日：2002-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김인숙 ,  서순애 ,  유인경 ,  정수환

IPC: H01L21/8247 ,  B82Y10/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/774

Abstract: 나노도트를 가지는 메모리 제조방법이 개시된다. 개시된 메모리 제조방법은, 소스와 드레인 전극이 형성된 기판 상에 제1절연층, 전하저장층, 희생층 및, 금속층을 순서대로 적층하는 제1단계와, 금속층을 양극산화하여 다수의 호울을 형성한 다음, 호울에 노출된 희생층을 산화시키는 제2단계와, 산화된 금속층을 제거하고 산화된 희생층을 마스크로 하여 희생층 및 전하저장층을 식각하여 전하저장층을 나노도트로 패터닝하는 제3단계 및, 산화된 희생층을 제거하고 패터닝된 전하저장층의 상부에 제2절연층 및, 게이트 전극을 증착하고 제1절연층, 전하저장층, 제2절연층 및, 게이트 전극을 소정 형태로 패터닝하는 제4단계를 포함한다. 분포가 균일한 나노 크기의 스토리지 노드를 가지는 메모리를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060091020A

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：KR1020050011733

申请日：2005-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 차영관 ,  유인경 ,  정수환

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L29/42332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/7882 ,  H01L21/823437

Abstract: 본 발명은 실리콘의 함유량을 증가시킨 실리콘 리치 산화막을 포함하는 메모리 소자의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 기판, 상기 기판에 형성된 소스 및 드레인 영역 및 상기 소스 및 드레인 영역과 접촉하며 상기 반도체 기판 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 반도체 메모리 소자에 있어서, 상기 게이트 구조체는 SiO
2 보다 높은 실리콘의 함유량을 지닌 실리콘 산화막을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020040056409A

公开(公告)日：2004-07-01

申请号：KR1020020082387

申请日：2002-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김인숙 ,  서순애 ,  유인경 ,  정수환

IPC: H01L21/8247 ,  B82Y10/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/774

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a memory with a nano dot is provided to form a uniform distribution of high density nano dots for storing charges by performing a self-aligned process, and to obtain a high capacity memory of a high writing density capable of being written, recovered and erased by using the same principle of writing, recovering and erasing as a conventional memory. CONSTITUTION: The first insulation layer(102), a charge storage layer(103), a sacrificial layer and a metal layer are sequentially formed on a substrate(101) having a source/drain electrode. The metal layer is anodized to form a plurality of holes, and the sacrificial layer is oxidized. The oxidized metal layer is removed. The sacrificial layer and the charge storage layer are etched by using the oxidized sacrificial layer as a mask so that the charge storage layer is patterned to be a nano dot. The oxidized sacrificial layer is removed. The second insulation layer(109) and a gate electrode(111) are deposited on the patterned charge storage layer. The first insulation layer, the charge storage layer, the second insulation layer and the gate electrode are patterned to be a predetermined type.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有纳米点的存储器的方法，以通过执行自对准工艺形成用于存储电荷的高密度纳米点的均匀分布，并获得能够存在高写入密度的高容量存储器 通过使用与常规记忆相同的写入，恢复和删除原理来写入，恢复和删除。 构成：在具有源极/漏极的衬底（101）上依次形成第一绝缘层（102），电荷存储层（103），牺牲层和金属层。 金属层被阳极氧化以形成多个孔，牺牲层被氧化。 去除氧化金属层。 通过使用氧化的牺牲层作为掩模来蚀刻牺牲层和电荷存储层，使得电荷存储层被图案化为纳米点。 去除氧化的牺牲层。 第二绝缘层（109）和栅电极（111）沉积在图案化的电荷存储层上。 将第一绝缘层，电荷存储层，第二绝缘层和栅电极图案化为预定类型。

公开(公告)号：KR1020040043372A

公开(公告)日：2004-05-24

申请号：KR1020020071610

申请日：2002-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유인경 ,  정수환 ,  김인숙

IPC: G11B7/26

CPC classification number: G11B7/26 ,  G11B7/24035 ,  G11B7/241 ,  Y10T428/21

Abstract: PURPOSE: An optical recording medium having a phase transition layer and a manufacturing method thereof are provided to record/play the optical recording medium by using a conventional optical recording system, and increase a recording density by forming the phase transition layer having a matrix structure arranging a plurality of columns of a nano dot shape. CONSTITUTION: The phase transition layer(103), a sacrificial layer, and a metallic layer are sequentially deposited on a substrate(101). After forming a plurality of holes by anodizing the metallic layer, the sacrificial layer exposed to the holes is anodized. After removing the oxide of the metallic layer and using the oxide of the sacrificial layer as a mask, the phase transition layer is patterned by etching the sacrificial layer and the phase transition layer. After removing the oxide of the sacrificial layer, an upper insulation layer(109), a reflecting layer(111), and a protecting layer(113) are deposited on an upper part of the patterned phase transition layer.

Abstract translation: 目的：提供具有相变层的光记录介质及其制造方法，以通过使用传统的光记录系统来记录/播放光记录介质，并通过形成具有矩阵结构排列的相变层来提高记录密度 多个纳米点形状的列。 构成：在衬底（101）上顺序地沉积相变层（103），牺牲层和金属层。 在通过阳极化金属层形成多个孔之后，暴露于孔的牺牲层被阳极氧化。 在去除金属层的氧化物并使用牺牲层的氧化物作为掩模之后，通过蚀刻牺牲层和相变层对相变层进行构图。 在除去牺牲层的氧化物之后，在图案化相变层的上部上沉积上绝缘层（109），反射层（111）和保护层（113）。