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公开(公告)号：KR1020160034712A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：KR1020140126039
申请日：2014-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/76224 , H01L21/763 , H01L21/764 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L29/0649 , H01L31/18
Abstract: 씨모스이미지센서의픽셀및 이를포함하는이미지센서가개시된다. 본발명의씨모스이미지센서의픽셀은제1표면, 및제2표면으로부터일정부분제거되어생성된제3 표면을포함하는반도체기판, 상기제1표면과상기제3표면사이에형성되고, 상기제3표면을통해수신되는입사광에응답하여전하들을생성하는광전변환소자를포함하는액티브영역, 및상기액티브영역을이웃하는액티브영역과분리하기위하여상기제1표면또는제3 표면으로부터수직으로형성된트렌치-타입의소자분리영역을포함하며, 상기트렌치-타입소자분리영역은제1종물질로채워진후, 상기제1종물질이채워지지않은빈 공간의전부또는일부에제2종물질이채워지며, 상기제2종물질이채워진후 제3종물질이증착된다.
Abstract translation: 公开了CMOS图像传感器的像素和包括其的图像传感器。 CMOS图像传感器的像素包括：半导体衬底，其包括通过从第二表面部分地去除而形成的第一表面和第三表面; 形成在第一和第三表面之间的有源区，并且包括响应于通过第三表面接收的入射光而产生电荷的光电转换装置; 以及从第一或第三表面垂直形成的沟槽型器件分离区域，以将有源区域与相邻的有效区域分开。 沟槽式装置分离区填充有一类物质，然后填充一级物质的空间的全部或一部分填充有二类物质。 空间充满二等物质后，存放第三类物质。
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公开(公告)号：KR1020140147508A
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：KR1020130070886
申请日：2013-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14687
Abstract: An image sensor includes photodetectors, and trench isolations which separate photodetectors, respectively. Each of the trench isolations includes films which have multilayer structures.
Abstract translation: 图像传感器包括光电检测器和分离光电探测器的沟槽隔离。 每个沟槽隔离物包括具有多层结构的膜。
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公开(公告)号：KR1020130128992A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020120053265
申请日：2012-05-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14638 , H01L27/14641 , H01L27/14643
Abstract: The present invention provides a highly integrated image sensor capable of removing image lag and a manufacturing method thereof. The image sensor facilitates the transfer of charges accumulated in a photoelectric conversion unit as a depression of a transfer gate has a flat lower surface and a round lower edge.
Abstract translation: 本发明提供能够消除图像滞后的高度集成的图像传感器及其制造方法。 当传输门的凹陷具有平坦的下表面和圆的下边缘时，图像传感器便于传递累积在光电转换单元中的电荷。
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公开(公告)号：KR100674968B1
公开(公告)日：2007-01-26
申请号：KR1020050030738
申请日：2005-04-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 크로스 토크를 억제하기 위한 광차단 패턴을 갖는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명의 CMOS 이미지 센서는, 포토 다이오드 및 트랜지스터가 형성되어 있는 반도체 기판을 포함한다. 상기 반도체 기판 결과물 상에 층간 절연막이 형성되어 있으며, 상기 층간 절연막 상에 상기 포토 다이오드의 가장자리를 둘러싸도록 광차단 패턴이 형성된다. 광차단 패턴이 형성된 층간 절연막 상에 형성되는 유동성 산화막이 형성된다. 광차단 패턴은 사각으로 입사되는 광을 흡수하여 인접 포토 다이오드 쪽으로 광이 입사되는 것을 방지하며, 상기 광차단 패턴의 단차에 의해 상기 유동성 산화막내에 이너 렌즈를 형성하기 위한 영역이 형성된다.
CIS(CMOS image sensor), 이너 렌즈, 텅스텐-
公开(公告)号：KR100632954B1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：KR1020050037929
申请日：2005-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: A CMOS image sensor and its manufacturing method are provided to reduce noise of a pixel and to increase a driving range by using a gate dielectric of a drive transistor having an interface trap density with respect to a substrate lower than that of a gate dielectric of the PMOS transistor. A pixel region and a digital control block are defined on a semiconductor substrate(50). A PMOS is formed on the digital control block. A photoelectric transducer(70) is formed on the semiconductor substrate in the pixel region. A floating diffusion region(72) is electrically connected to the photoelectric transducer. A drive transistor is electrically connected to the floating diffusion region. A gate dielectric of the drive transistor having an interface trap density with respect to the substrate is lower than that of a gate dielectric of the PMOS transistor.
Abstract translation: 提供CMOS图像传感器及其制造方法以降低像素的噪声并且通过使用驱动晶体管的栅极电介质来增加驱动范围，所述驱动晶体管相对于基板的界面陷阱密度低于所述驱动晶体管的栅极电介质的界面陷阱密度 PMOS晶体管。 像素区域和数字控制块被限定在半导体衬底（50）上。 数字控制模块上形成一个PMOS。 光电变换器（70）形成在像素区域中的半导体基板上。 浮动扩散区域（72）电连接到光电变换器。 驱动晶体管电连接到浮动扩散区。 具有相对于衬底的界面陷阱密度的驱动晶体管的栅极电介质低于PMOS晶体管的栅极电介质的栅极电介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050081423A
公开(公告)日：2005-08-19
申请号：KR1020040009657
申请日：2004-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정희근
IPC: H01L27/146 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L27/14837 , H04N5/3595
Abstract: 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상에 수광부가 형성되고, 전송 수단이 수광부에 인접하여 반도체 기판 상에 형성된다. 수광부의 바로 위에 개구를 형성하고 상기 수광부를 향해 돌출된 에지를 가지며 전송 수단을 커버하도록 차광막이 형성된다. 차광막은 복수개의 층으로 이루어지고, 그 에지가 오목 렌즈 형태로 형성된다. 오목 렌즈 형태의 에지를 갖는 차광막에 의해 전송 수단, 즉 전송 레지스터로 입사되는 광 성분을 억제하여 스미어를 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020000031552A
公开(公告)日：2000-06-05
申请号：KR1019980047655
申请日：1998-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A structure of a semiconductor device is provided to have more process margin for the irradiation energy of a laser beam due to cutting a fuse without damaging the adjacent fuses even though increasing a spot size and the irradiation energy of the laser beam. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(20) is stacked on the main memory cell area and on the redundancy memory cell area of a semiconductor substrate(10), and final metal wires(30) are aligned on the interlayer dielectric. And, a first protective film(40) is stacked on the interlayer dielectric including metal wires to protect the metal wires. Herein, the metal wires are consisted of a Ti/TiN layer(31) for a fuse as a lower layer, an aluminum layer(33) as an intermediate layer, and a TiN layer(35) for a cap as an upper layer. Then, the metal wires are constituted as a single structure of Ti/TiN layers(31a,31b,31c,31d) at the opening of the first protective film formed on a part of the redundancy memory cell area. Moreover, when a laser beam is irradiated to a fuse for relieving a defect, a second protective film(70) is stacked on the first protective film(40) including the Ti/TiN layers to prevent damage on the adjacent fuses.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件的结构，以便即使增加激光束的光斑尺寸和照射能量，由于切割熔丝而不损坏相邻熔丝，因此激光束的照射能量具有更多的处理余量。 构成：在主存储单元区域和半导体衬底（10）的冗余存储单元区域上堆叠层间电介质（20），并且最终金属线（30）在层间电介质上排列。 并且，在包括金属线的层间电介质上堆叠第一保护膜（40），以保护金属线。 这里，金属线由作为下层的保险丝的Ti / TiN层（31），作为中间层的铝层（33）和作为上层的帽的TiN层（35）构成。 然后，在形成在冗余存储单元区域的一部分上的第一保护膜的开口处，金属线构成为Ti / TiN层（31a，31b，31c，31d）的单一结构。 此外，当将激光束照射到用于消除缺陷的熔丝时，在包括Ti / TiN层的第一保护膜（40）上堆叠第二保护膜（70），以防止对相邻熔丝的损坏。
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公开(公告)号：KR1019980085118A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019970021095
申请日：1997-05-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 분리 방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 기판 상부에 복수 개의 패드 산화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 복수 개의 패드 산화막 상부에 실리콘 질화막을 도포한 후, 마스크 패터닝에 따라 사진 및 식각공정을 거쳐 상기 순차적으로 적층된 실리콘 질화막 및 복수 개의 패드 산화막을 등방성으로 식각하는 단계; 상기 식각된 실리콘 질화막 및 복수 개의 패드 산화막 내측벽에 폴리 실리콘 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 결과물 상부에 필드 산화막을 형성한 후에 상기 실리콘 질화막, 복수 개의 패드 산화막 및 필드 산화막을 식각공정에 의해 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 반도체 기판을 보호하는 패드 산화막을 식각율이 다른 복수 개의 패드 산화막으로 증착하므로서, 필드 산화막 제거 공정시 반도체 기판의 리세스(recess)를 방지할 수 있다.
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