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公开(公告)号：KR101689663B1
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020100091104
申请日：2010-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 양자점발광소자및 그제조방법이개시된다. 양자점발광소자는전자수송층; 상기전자수송층위에형성된것으로, 다수의나노홀을구비하는형태로패터닝된그래핀층과, 상기다수의나노홀내에형성된양자점을포함하는양자점발광층; 상기양자점발광층위에형성된정공수송층;을포함한다. 또한, 양자점발광소자제조방법은전자수송층, 정공수송층및 상기전자수송층과정공수송층사이에마련된양자점발광층을포함하는양자점발광소자제조방법에있어서, 그래핀(graphene)층을형성하는단계; 상기그래핀층에다수의나노홀을형성하는단계; 상기다수의나노홀에양자점을형성하여양자점발광층을형성하는단계;를포함한다.
Abstract translation: 目的：提供一种使用石墨烯结构的量子点发光器件，以通过使用图案化的石墨烯层选择性地形成量子点来防止诸如位错等的缺陷来提高量子效率。 构成：电子传输层（130）布置在衬底（110）上。 量子点发光层（150）布置在电子传输层上。 量子点发光层包括在石墨烯层（152）内形成的量子点（154）和多个纳米孔。 石墨烯层包括一个或多个石墨烯片。 在量子点发光层上配置空穴传输层（170）。
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公开(公告)号：KR101356701B1
公开(公告)日：2014-02-04
申请号：KR1020120029406
申请日：2012-03-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 발광소자 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 발광소자는 복수의 수직형 발광구조체와 상기 발광구조체 각각의 적어도 일부를 감싸는 보호층 및 상기 발광구조체들 사이의 공간을 메우는 절연층을 포함할 수 있다. 상기 보호층은 플라즈마의 침투를 방지(억제)하는 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 보호층은 알루미늄 산화물을 포함할 수 있다. 상기 절연층(즉, 충전 절연층)은 건식 공정으로 증착된 층일 수 있다. 상기 발광소자의 제조방법은 복수의 수직형 발광구조체를 형성하는 단계, 상기 복수의 수직형 발광구조체를 감싸는 것으로 플라즈마의 침투를 방지하는 보호층을 형성하는 단계, 상기 보호층 상에 상기 발광구조체들 사이의 공간을 메우는 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층의 상층부를 플라즈마를 이용하는 건식 식각 방법으로 제거하여 상기 보호층의 일부를 노출시키는 단계 및 상기 노출된 보호층 부분을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130107541A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：KR1020120029413
申请日：2012-03-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/10
Abstract: PURPOSE: A light emitting device having a nitride-based semiconductor omnidirectional reflector is provided to improve internal light efficiency by growing a light emitting part in each light emitting chip. CONSTITUTION: A light emitting part (150) is formed on a nitride-based reflector. The nitride-based reflector is made of GaN. The nitride-based reflector includes an undoped nitride semiconductor layer and a high concentration nitride semiconductor layer. The high concentration nitride semiconductor layer is arranged between the undoped nitride semiconductor layers. The high concentration nitride semiconductor layer comprises an air layer (134).
Abstract translation: 目的：提供具有氮化物半导体全向反射器的发光器件，以通过在每个发光芯片中生长发光部分来提高内部光效率。 构成：在氮化物类反射体上形成发光部（150）。 氮化物基反射体由GaN制成。 氮化物系反射体包括未掺杂氮化物半导体层和高浓度氮化物半导体层。 高浓度氮化物半导体层配置在未掺杂的氮化物半导体层之间。 高浓度氮化物半导体层包括空气层（134）。
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公开(公告)号：KR1020130107537A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：KR1020120029406
申请日：2012-03-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/42 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: PURPOSE: A light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to effectively prevent a leakage current by forming a protection layer made of an insulating material such as aluminum oxide. CONSTITUTION: A vertical type light emitting structure (N10) is formed on a lower layer. A protection layer (600) surrounds the lower end of the light emitting structure. The protection layer includes a material for preventing the penetration of plasma. The protection layer includes aluminum oxide. An insulating layer (650) is in contact with the protection layer and filled between the light emitting structures. [Reference numerals] (AA) Dry etching
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件及其制造方法，以通过形成由氧化铝等绝缘材料形成的保护层来有效地防止漏电流。 构成：在下层形成有垂直型发光结构（N10）。 保护层（600）围绕发光结构的下端。 保护层包括用于防止等离子体穿透的材料。 保护层包括氧化铝。 绝缘层（650）与保护层接触并填充在发光结构之间。 （附图标记）（AA）干蚀刻
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公开(公告)号：KR101309110B1
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020110084830
申请日：2011-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 개시된 양자점 발광 소자는 n형 그래핀층, p형 그래핀층, n형 및 p형 그래핀층 사이에 마련된 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층 및 n형 및 p형 그래핀층 사이에 마련된 양자점층을 포함할 수 있다.
그리고, 개시된 양자점 발광 소자의 제조 방법은 n형 그래핀층을 형성하는 단계, n형 그래핀층 상에 보론 나이트라이드(boron nitride, BN)를 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계와 n형 그래핀층 상에 양자점층을 형성하는 단계 및 버퍼층과 양자점층 상에 p형 그래핀층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130089040A
公开(公告)日：2013-08-09
申请号：KR1020120010383
申请日：2012-02-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y99/00 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , Y10S977/734
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode for emitting ultraviolet is provided to reduce constant resistance and maximize ultraviolet transmittance by forming a p-type graphene layer on the upper part of a p-type semiconductor layer. CONSTITUTION: An active layer (400) is formed on the upper part of an n-type semiconductor layer (300). A p-type semiconductor layer (500) consisting of a p-type AlGaN is formed on the upper part of the active layer. A p-type graphene layer (600) is formed on the upper part of the p-type semiconductor layer. The p-type graphene layer consists of graphene doped with a p-type dopant. The p-type graphene layer lowers constant resistance and maximizes ultraviolet transmittance.
Abstract translation: 目的：提供用于发射紫外线的发光二极管，以通过在p型半导体层的上部形成p型石墨烯层来降低恒定电阻并最大化紫外线透射率。 构成：在n型半导体层（300）的上部形成有源层（400）。 在有源层的上部形成由p型AlGaN构成的p型半导体层（500）。 p型石墨烯层（600）形成在p型半导体层的上部。 p型石墨烯层由掺杂有p型掺杂剂的石墨烯组成。 p型石墨烯层降低恒定电阻并使紫外线透过率最大化。
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公开(公告)号：KR1020130051240A
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：KR1020110116471
申请日：2011-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/387 , Y10S977/932
Abstract: PURPOSE: A nanorod light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce power consumption by decreasing a leakage current using an electrode of a grid pattern. CONSTITUTION: A nanorod cluster(30) covers light emitting nanorods(26) with conductors. A filling layer(33) is laminated on the nanorod clusters. An electrode(40) is formed on the filling layer and includes a grid pattern. A connection part connects the conductors to a first electrode.
Abstract translation: 目的：提供纳米棒发光器件及其制造方法，以通过使用栅格图案的电极减少漏电流来降低功耗。 构成：纳米棒簇（30）覆盖具有导体的发光纳米棒（26）。 填充层（33）层叠在纳米棒簇上。 电极（40）形成在填充层上并且包括网格图案。 连接部将导体连接到第一电极。
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公开(公告)号：KR101258582B1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：KR1020110089207
申请日：2011-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 나노로드발광소자및 그제조방법이개시된다. 개시된발광소자는, 복수의관통홀을구비하는마스크층과, 관통홀을통해수직성장된제1형으로도핑된반도체나노코어, 반도체나노코어의표면을둘러싸도록형성된활성층, 및활성층의표면을둘러싸도록형성된제2형으로도핑된제1반도체층을포함하는발광나노로드를포함한다. 패시베이션층이발광나노로드의코너부를덮으며상단부는노출시키도록형성되며, 제1전극으로서역할을하는반사금속층이노출된발광나노로드의제1반도체층을덮도록형성되어제1반도체층에전기적으로연결된다.
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公开(公告)号：KR1020130040518A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020110105342
申请日：2011-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0083
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to control an emission wavelength of a light emitting device by differently setting a composition ratio of indium and the thickness of an active layer on a bottom side and a pyramid slope of a second conductive semiconductor layer. CONSTITUTION: A first conductive semiconductor layer(300) is formed on a substrate. A second conductive semiconductor layer(500) protrudes from the first conductive semiconductor layer. A part of the second conductive semiconductor layer is grown again in a region without a dielectric pattern on the first conductive semiconductor layer to expose a part of the first conductive semiconductor layer. An active layer(600) is formed on the second conductive semiconductor and includes a first crystal surface and a second crystal surface to generate light of different wavelengths. A third conductive semiconductor layer(700) is formed on the active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以通过不同地设定铟的组成比和底部的有源层的厚度和第二个的金字塔斜率来控制发光器件的发射波长 导电半导体层。 构成：在基板上形成第一导电半导体层（300）。 第二导电半导体层（500）从第一导电半导体层突出。 第二导电半导体层的一部分在第一导电半导体层上的没有电介质图案的区域中再次生长，以暴露第一导电半导体层的一部分。 在第二导电半导体上形成有源层（600），并且包括第一晶体表面和第二晶体表面以产生不同波长的光。 在有源层上形成第三导电半导体层（700）。
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公开(公告)号：KR1020120114464A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020110031972
申请日：2011-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/02 , C01B32/182 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/00 , H01L33/502
Abstract: PURPOSE: A Graphene quantum dot is provided to prevent deterioration by a shell, and to increase brightness of the quantum dot by Plasmon effect between the graphene quantum dot and shell. CONSTITUTION: A Graphene quantum dot consists of graphene, and comprises graphene core(10') which has a functional group attached to an edge part of the graphene, and a shell(30) which is chemically combined to the functional group while surrounding the graphene core. A manufacturing method of the graphene quantum dot comprises: a step of preparing a graphene having an edge part; a step of attaching a functional group to the edge part of the graphene; and a step of forming a shell by coating graphene with a protection material which is chemically combinable with the functional group.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯量子点以防止壳的劣化，并通过石墨烯量子点和壳之间的等离子体效应来增加量子点的亮度。 构成：石墨烯量子点由石墨烯组成，并且包括具有连接到石墨烯的边缘部分的官能团的石墨烯芯（10'），以及与所述官能团化学组合同时围绕石墨烯的壳（30） 核心。 石墨烯量子点的制造方法包括：制备具有边缘部分的石墨烯的步骤; 将功能基团附着到石墨烯的边缘部分的步骤; 以及通过用与官能团化学结合的保护材料涂覆石墨烯来形成壳的步骤。
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