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公开(公告)号：KR102227772B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140107873A
申请日：2014-08-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/06 , H01L33/145
Abstract: 본 발명의 일 측면은, n형 반도체층 및 p형 반도체층과, 상기 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 배치된 활성층 및 상기 활성층과 p형 반도체층 사이에 배치되며 p형 도펀트 원소가 도핑된 전자차단층을 포함하고, 상기 전자차단층은, Al
x Ga
1-x N (0-
公开(公告)号：KR20210028057A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020200033117A
申请日：2020-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G09G3/2092 , G09G2310/08 , G09G2320/0693 , G09G2340/00
Abstract: 본 발명의 실시 형태에 따른 디스플레이 장치는 기준 클락 신호 및, 데이터 신호에 클럭 신호가 임베딩된 데이터 패킷을 출력하는 타이밍 컨트롤러와, 상기 기준 클락 신호와 상기 데이터 패킷을 수신하는 클락 데이터 복원 회로와, 상기 수신된 데이터 패킷에 기초한 화상을 표시하는 디스플레이 패널을 포함하고, 상기 클락 데이터 복원 회로가 상기 타이밍 컨트롤러로부터 상기 기준 클락 신호를 수신할 때, 제1 내부 클락 신호를 이용하여 상기 수신된 기준 클락 신호의 주파수 범위를 검출하고, 상기 검출된 주파수 범위에 따라 상기 클락 데이터 복원 회로의 지터 특성을 결정하는 파라미터를 조절하며, 상기 제1 내부 클락 신호의 주파수를 조절하여 제2 내부 클락 신호를 출력하고, 상기 클락 데이터 복원 회로가 상기 타이밍 컨트롤러로부터 상기 데이터 패킷을 수신할 때, 상기 데이터 패킷으로부터 상기 데이터 신호와 상기 데이터 신호에 동기된 클락 신호를 복원한다.
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公开(公告)号：WO2023277351A1
公开(公告)日：2023-01-05
申请号：PCT/KR2022/007473
申请日：2022-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 주파수를 변환하는 전자 장치 및 LO 신호를 생성하는 국부 발진기가 개시된다. 개시된 전자 장치는 제1 주파수 대역 신호를 입력 또는 출력하는 IF 포트, 제1 주파수 대역 신호보다 높은 제2 대역 주파수 신호를 입력 또는 출력하는 RF 포트, 제1 주파수 대역 신호를 제2 주파수 대역 신호로 변환하거나, 제2 주파수 대역 신호를 제1 주파수 대역 신호로 변환하는 수동 믹서, 3차 수동 필터를 포함한 PLL에 기반하여 복수의 주파수 대역들 중 어느 하나의 LO 신호를 생성하고, LO 신호를 수동 믹서로 제공하는 국부 발진기 및 IF 포트 및 수동 믹서 사이에 배치되고, IF 포트로 입력되거나 출력되는 신호의 이득 평탄도를 제어하는 이득 이퀄라이저를 포함하는 양방향 증폭기를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140099803A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020130013113
申请日：2013-02-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , H01L31/0232 , H01L2224/48137 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012
Abstract: The present invention relates to a semiconductor light emitting device that includes a first conductive semiconductor base layer formed on a substrate; an insulation film which is formed on the first conductive semiconductor base layer and has a plurality of openings through which the first conductive semiconductor base layer is exposed; and a plurality of light emitting nanostructures which include a first conductive semiconductor core formed on an area where the first conductive semiconductor base layer is exposed, an active layer and a second conductive semiconductor layer which are formed on the surface of the first conductive semiconductor core in order. A lower corner of a side of the light emitting nanostructure is located at a side wall of the opening of the insulation film.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体发光器件，其包括在基板上形成的第一导电半导体基底层; 绝缘膜，其形成在所述第一导电半导体基底层上并且具有多个开口，所述第一导电半导体基底层暴露于所述多个开口; 以及多个发光纳米结构，其包括形成在第一导电半导体基底层露出的区域上的第一导电半导体芯，形成在第一导电半导体芯的表面上的有源层和第二导电半导体层， 订购。 发光纳米结构的一侧的下角位于绝缘膜的开口的侧壁上。
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公开(公告)号：KR100561395B1
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：KR1020030000539
申请日：2003-01-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유경호
IPC: H04N5/92
CPC classification number: G09G5/399
Abstract: 본 발명은 이미지 티어링을 방지하기 위한 영상 재생 시스템의 메모리 관리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 이미지 티어링을 방지하기 위한 영상 재생 장치의 메모리 관리 방법은, 스케일러에서 제1메모리에 기입하는 기입 속도(Mclock)와 제1메모리로부터 독출하는 독출 속도(Dclock)를 검출하는 단계; 기입 속도와 독출 속도가 상이할 때, 소정 시점에서 제1메모리에 기입할 어드레스와 제1메모리로부터 독출할 어드레스 사이의 오프셋 거리를 산출하는 단계; 및 오프셋 거리가 소정 오프셋 거리 보다 적으면 제2메모리에 상기 스케일러로부터의 데이터를 기입하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 이미지 티어링을 방지하는 메모리 관리 기법을 채용하여, 영상 재생 장치에서의 고품질의 화질을 제공할 수 있게 된다.-
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公开(公告)号：KR101274211B1
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：KR1020110084832
申请日：2011-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체 기판, 이를 이용한 발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 반도체 기판은 기판; 상기 기판 상에 형성된 것으로, 상기 기판 표면을 노출하는 다수의 결함을 가지는 데미지 그래핀층(damaged graphene layer); 상기 데미지 그래핀층 상에 형성된 반도체 박막층;을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020130022088A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：KR1020110084832
申请日：2011-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/36
Abstract: PURPOSE: A semiconductor substrate, a light emitting device using the same, and a manufacturing method thereof are provided to reduce stress between a substrate and a semiconductor thin film by using the flexibility and the thermal expansion coefficient of graphene between the substrate and the semiconductor thin film. CONSTITUTION: A damage graphene layer(130) is formed on a substrate(110) and is made of graphene with a plurality of damages to expose the substrate. A semiconductor thin film layer(140) is formed on the damage graphene layer. The semiconductor thin film layer includes GaN and is doped with preset impurities to have conductivity.
Abstract translation: 目的：提供半导体衬底，使用其的发光器件及其制造方法，通过使用衬底和半导体薄片之间的石墨烯的柔性和热膨胀系数来减小衬底和半导体薄膜之间的应力 电影。 构成：在基板（110）上形成损伤的石墨烯层（130），并由具有多个损伤的石墨烯制成以暴露基板。 在损伤石墨烯层上形成半导体薄膜层（140）。 半导体薄膜层包括GaN并掺杂有预定杂质以具有导电性。
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公开(公告)号：KR1020130022086A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：KR1020110084830
申请日：2011-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0008 , H01L33/12 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058
Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve the luminous efficiency of a light emitting device by accumulating electrons and holes in a buffer layer with boron nitride. CONSTITUTION: An n-type graphene layer(110) includes at least one graphene sheet. A p-type graphene layer(150) is separated from the n-type graphene layer. A buffer layer(130) is formed between the n-type graphene layer and the p-type graphene layer. The buffer layer includes boron nitride. A quantum dot layer is formed between the n-type graphene layer and the p-type graphene layer and includes an n-type quantum layer(120) and a p-type quantum layer(140). An n-type electrode pad(115) and a p-type electrode pad are formed on the n-type graphene layer and the p-type graphene layer respectively.
Abstract translation: 目的：提供量子点发光器件及其制造方法，其通过用氮化硼在缓冲层中积聚电子和空穴来提高发光器件的发光效率。 构成：n型石墨烯层（110）包括至少一个石墨烯片。 p型石墨烯层（150）与n型石墨烯层分离。 在n型石墨烯层和p型石墨烯层之间形成缓冲层（130）。 缓冲层包括氮化硼。 在n型石墨烯层和p型石墨烯层之间形成量子点层，并且包括n型量子层（120）和p型量子层（140）。 分别在n型石墨烯层和p型石墨烯层上形成n型电极焊盘（115）和p型电极焊盘。
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