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公开(公告)号：KR1020070004194A
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050059586
申请日：2005-07-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/14 , C23C16/4405 , C23C16/505
Abstract: A new film forming method that can improve a removal effect of throughput and chlorine in a film forming process using a source gas comprising a metal and a halogen element is provided. A method of forming a film comprises: a step(S100) of respectively supplying a source gas comprising a metal and a halogen element and a reducing gas for removing the halogen element at a first flux and a second flux, and forming the gases into the plasma state to form a first metal film on a substrate; a step(S110) of respectively supplying the source gas and the reducing gas at a third flux that is less than the first flux and a fourth flux that is the same as or more than the second flux, and forming the gases into the plasma state to form a second metal film on the first metal film; and a step(S120) of performing the step(S100) and the step(S110) alternately and repeatedly to form a metal film with a target thickness on the substrate.
Abstract translation: 提供了一种新的成膜方法，其可以使用包含金属和卤素元素的源气体在成膜过程中提高生产量和氯的去除效果。 一种形成膜的方法包括：分别提供包含金属和卤素元素的源气体和用于以第一通量和第二通量去除卤素元素的还原气体的步骤（S100），并将气体形成为 等离子体状态以在基板上形成第一金属膜; 分别以比第一通量小的第三通量供给源气体和还原气体的步骤（S110）和与第二通量相同或更大的第四通量，并将气体形成为等离子体状态 以在第一金属膜上形成第二金属膜; 以及交替重复执行步骤（S100）和步骤（S110）的步骤（S120），以在基板上形成具有目标厚度的金属膜。
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公开(公告)号：KR1020070001340A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020050056734
申请日：2005-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68721 , C23C16/44 , C23C16/4408 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , Y10T29/41
Abstract: A chamber insert and a substrate processing apparatus with the same are provided to improve a pumping time and speed by simplifying the structure of the chamber insert itself. A chamber insert includes a body part, a first protrusion part and a second protrusion part. The body part(110) is formed like a cylinder type structure. An upper portion and a lower portion of the body part are opened. The first protrusion part(120) is formed along a lower end portion of the body part and prolonged to an outside direction of the body part. The second protrusion part(130) is prolonged from the upper portion of the body part to the outside direction of the body part.
Abstract translation: 提供腔室插入件和具有该腔室插入件的衬底处理装置，以通过简化腔室插入件本身的结构来改善泵送时间和速度。 腔室插入件包括主体部分，第一突出部分和第二突出部分。 主体部分（110）形成为类似于圆筒型结构。 身体部分的上部和下部打开。 第一突出部分（120）沿着主体部分的下端部分形成并且延伸到主体部分的外侧方向。 第二突起部130从主体部的上部延伸到主体部的外侧。
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公开(公告)号：KR1020060128297A
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020050049624
申请日：2005-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/879
CPC classification number: H04L47/2441 , H04L49/90 , H04L49/901 , H04L49/9042 , H04L49/9094
Abstract: An apparatus and a method for configuring a buffer descriptor suitable for packet aggregation are provided to improve QoS(Quality of Service) by selectively discarding a frame by TID(Traffic ID) because traffic of the same type has the same TID. A buffer stores packet data to be transmitted by frame units. An aggregation generator(405) divides position information of the packet data stored in the buffer by AC(Access Category) and TID to configure them in a bit map, and provides position information of packet data to be aggregated to an aggregation controller(403) according to aggregation conditions of the packet data. The aggregation controller(403) receives the position information of the packet data to be aggregated configured in the bit map which has been received from the aggregation generator(405), configures them to a single aggregation PSDU(PHY Service Data Unit), and transmits it to a destination.
Abstract translation: 提供了一种用于配置适合于分组聚合的缓冲描述符的装置和方法，用于通过以相同类型的业务具有相同TID的TID（业务ID）选择性地丢弃帧来提高QoS（服务质量）。 缓冲器存储要由帧单元发送的分组数据。 聚合发生器（405）通过AC（接入类别）和TID对存储在缓冲器中的分组数据的位置信息进行分割，将其配置为位图，并将要聚合的分组数据的位置信息提供给聚合控制器（403） 根据分组数据的聚合条件。 聚合控制器（403）接收从聚合发生器（405）接收的位映射中配置的要聚合的分组数据的位置信息，将其配置为单个聚合PSDU（PHY业务数据单元），并发送 它到目的地。
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公开(公告)号：KR100596495B1
公开(公告)日：2006-07-04
申请号：KR1020050049565
申请日：2005-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/318
Abstract: 금속 화합물 증착 방법 및 장치에 있어서, 금속 및 할로겐 원소를 포함하는 제1 소스 가스와, 상기 금속과 결합 가능한 물질과 상기 할로겐 원소와 결합 가능한 물질을 포함하는 제2 소스 가스를 표면 반응에 의한 증착율이 물질 전달에 의한 증착율보다 큰 제1 유량비로 공급하여 반도체 기판 상에 제1 금속 화합물을 증착한다. 이어서, 상기 제1 소스 가스와 제2 소스 가스를 상기 제1 유량비와 다른 제2 유량비로 공급하여 상기 제1 금속 화합물 상에 제2 금속 화합물을 증착함과 동시에 상기 제1 금속 화합물 및 상기 제2 금속 화합물로부터 원치 않는 물질(unwanted material)을 제거한다. 따라서 상기 원치 않는 물질에 의한 비저항 증가 및 하부막의 특성 열화를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100587688B1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040058969
申请日：2004-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4401 , H01L21/67109 , H01L21/67748
Abstract: 본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 프로세스 챔버의 내부에서 하부에는 웨이퍼가 안치되는 히터를 구비하고, 상기 히터의 상부에는 반응 가스 분사용 샤워헤드를 구비한 화학 기상 증착 장치에 있어서, 상기 프로세스 챔버(10)의 일측에서 외측으로 구비되는 셔터 챔버(20)와; 상기 셔터 챔버(20)의 내부에 구비되어 구동 수단(32)에 의해서 선단부측 블레이드(31)를 상기 프로세스 챔버(10)측으로 직선 왕복이동시키는 이송 로봇(30)과; 상기 이송 로봇(30)의 블레이드(31)에 안치되어 상기 이송 로봇(30)에 의해 상기 프로세스 챔버(10)의 히터(12)에 안치되면서 상기 히터(12)측 복사열이 상기 샤워헤드(13)로 전달되지 않도록 하는 셔터 디스크(40)를 포함하는 구성으로 이루어지도록 하는 것인 바 반응실(11)의 아이들 또는 러닝 상태로의 상호 전환 시 반응실(11)내를 항상 러닝 분위기로 유지한 상태에서 러닝 타임을 보다 연장시키는 동시에 파티클 생성을 보다 억제시키면서 생산성을 대폭적으로 향상시키게 되는 특징이 있다.
화학 기상 증착, 히터, 샤워헤드, 파티클-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100560666B1
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：KR1020030045786
申请日：2003-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/54 , H01L21/76838 , H01L21/76841 , H01L21/76861
Abstract: 반도체 소자 제조용 금속막 증착 시스템 및 그 운용 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 베리어 금속막과 상부 금속막의 형성 공정을 인-시튜로 진행할 수 있도록, 이들 금속막들의 증착 챔버들은 외부 대기로부터 분리된 상태로 연결된다. 또다른 실시예에 따르면, 베리어 금속막의 정화 공정과 상부 금속막의 증착 공정이 인-시튜로 진행될 수 있도록, 정화 공정을 위한 챔버와 상부 금속막을 증착하기 위한 챔버가 외부 대기로부터 분리된 상태로 연결된다.
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公开(公告)号：KR1020050071860A
公开(公告)日：2005-07-08
申请号：KR1020040000233
申请日：2004-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4586 , C23C16/4404 , C23C16/4581 , H01L21/68742 , Y10T29/49
Abstract: 본 발명은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 웨이퍼에 금속층을 증착할 시 리프트 핀에 알루미늄의 증착을 억제하는 반도체 제조설비의 리프트 핀 및 그 제조방법에 관한 것이다.
CVD장치에서 공정진행 중에 CVD Al이 증착되지 않도록 하여 웨이퍼 브로큰이나 리프트핀의 파손을 방지하는 본 발명의 반도체 제조설비의 리프트핀은, SUS재질로 형성된 리프트핀을 설정된 온도에서 설정된 시간동안 산화시켜 CVD공정 진행 중에 CVD 알루미늄이 증착되지 않도록 한다.
본 발명은 CVD 공정쳄버에서 SUS재질로 제작한 후 그 표면을 산화시킨 히터와 리프트핀을 사용하므로, CVD공정을 진행할 시 리프트핀이 알루미늄에 의해 증착되지 않아 리프트링이 하강할 때 리프트핀이 중력에 의한 하강되지 못하므로 인한 웨이퍼의 브로큰을 방지하고, 또한 개구부를 통해 인입되는 로봇에 의해 리프트핀이 파손되는 것을 방지한다.-
公开(公告)号：KR1020050061950A
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020030093593
申请日：2003-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4401
Abstract: 본 발명에서는 아이들 상태시 고진공을 유지할 수 있는 플라즈마 반응 챔버가 개시된다.
이러한 플라즈마 반응 챔버는 웨이퍼 지지장치와, 상기 웨이퍼 지지장치와 이격되어 설치된 샤워헤드와, 상기 반응 챔버의 내벽과 웨이퍼 지지장치 사이에서 일정 외경 및 높이를 갖는 중공의 원통과 상기 원통의 일단부에 일체로 형성된 돌출부로 구성되고, 상기 샤워헤드와 소정간격 이격됨으로써, 상기 반응 챔버가 고진공이 될 수 있는 컨덕턴스를 갖도록 하는 챔버 인서트를 포함한다.
따라서, 본 발명에 의하면 아이들 상태시 고진공을 유지할 수 있으며, 반응 챔버로 유입되는 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100484934B1
公开(公告)日：2005-04-22
申请号：KR1020020055743
申请日：2002-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 서정훈
IPC: F24F1/48
Abstract: 본 발명은 공기조화기에 관한 것으로, 냉난방유로와 분리된 공기청정유로의 유동성 안정화에 관한 것이다. 따라서 이의 실현을 위해 본 발명은, 흡입구를 포함하는 일부 흡입유로를 냉난방 유로와 공유하고 상기 냉난방유로와는 별개의 토출유로를 가지는 공기청정유로를 형성하는 공기조화기에 있어서, 상기 일부 공유된 흡입유로를 냉난방 흡입유로와 공기청정 흡입유로로 분리시키기 위한 분할판이 마련되는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 공기청정용 송풍장치에 의해 토출되는 공기의 풍속 및 풍량의 균일도가 향상하여 공기청정효율이 높아진다.
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公开(公告)号：KR100475117B1
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：KR1020020072092
申请日：2002-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/76864 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 큰 아스펙트비 및 작은 CD를 가지는 콘택홀과 같은 리세스 영역을 매립하는 공정을 포함하는 금속 배선 형성 공정에서 스텝커버리지 조절막을 이용하여 금속 배선층의 스텝커버리지를 증가시킴으로써 콘택홀 내부에서 금속 배선층의 양호한 증착 상태 및 매립 상태를 얻을 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에서는 반도체 기판상에 리세스 영역을 구비하는 절연막 패턴을 형성한다. 상기 리세스 영역의 내벽 및 상기 절연막 패턴의 상부에 장벽 금속막을 형성한다. 상기 절연막 패턴의 상부에서보다 상기 리세스 영역 내벽 위에서 더 작은 두께를 가지는 스텝커버리지 조절막을 상기 장벽 금속막 위에 형성한다. CVD (chemical vapor deposition) 공정에 의하여 상기 스텝커버리지 조절막 위에 Al막을 형성한다.
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