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公开(公告)号：KR101473854B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020140139697
申请日：2014-10-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: DNA 패턴을 형성하는 단계 및 상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 形成DNA图案，并在DNA图案上形成石墨烯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140141542A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020140139697
申请日：2014-10-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/184 , B82B3/0009 , C01B2204/00 , C23C16/18
Abstract: DNA 패턴을 형성하는 단계 및 상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及形成石墨烯图案的方法，包括以下步骤：形成DNA图案; 并在DNA图案上形成石墨烯。 根据本发明，可以通过以目标图案生长石墨烯来形成石墨烯图案。 根据本发明的方法，可以获得纳米尺寸均匀的石墨烯图案。
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公开(公告)号：KR1020140141541A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020140139696
申请日：2014-10-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/184 , B82B3/0009 , C01B2204/00 , C23C16/18
Abstract: DNA 패턴을 형성하는 단계 및 상기 DNA 패턴 상에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀의 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及形成石墨烯图案的方法，包括以下步骤：形成DNA图案; 并在DNA图案上形成石墨烯。 根据本发明，可以通过以目标图案生长石墨烯来形成石墨烯图案。 根据本发明的方法，可以获得纳米尺寸均匀的石墨烯图案。
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24.发明授权
公开(公告)号：KR101029995B1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020090061816
申请日：2009-07-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은, 기판 상에 전자빔 리소그래피를 이용하여 전자빔 레지스트층을 선형 또는 격자 형상의 나노 패턴으로 형성하고, 상기 기판 전면에 중간층을 형성한 후 상기 전자빔 레지스트층을 제거함으로써 상기 중간층의 선형 또는 격자 형상의 나노패턴을 형성하고, 이후 상기 중간층 상에 흡착층, 대전물질층 및 나노입자층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법, 상기 방법에 의하여 집적된 1 차원 또는 2 차원 고집적 전도성 나노선 및 이를 이용한 소자에 관한 것이다.
나노선, 전자빔 리소그래피, 고집적, 대전물질, DNA, 나노입자-
25.发明公开
公开(公告)号：KR1020100094090A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020090013339
申请日：2009-02-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0052 , B81C1/00031 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A selectively positioning method of a nanostructure on a substrate, and a nano molecular electronic device including the nanostructure are provided to use an electrostatic attraction for arranging and positioning the nanostructure. CONSTITUTION: A selectively positioning method of a nanostructure on a substrate comprises the following steps: forming a photoresist pattern(20) on the substrate(10); controlling the line width of the pattern in nano level to form a nano unit photoresist layer; forming a protective layer(30) on the portion without the nano unit photoresist layer; removing the nano unit photoresist layer form the substrate; forming an adsorption layer(40); and applying a solution containing a nano-material.
Abstract translation: 目的：提供一种纳米结构在基片上的选择性定位方法，以及包括该纳米结构的纳米分子电子器件，以利用静电吸引来布置和定位纳米结构。 构成：在衬底上的纳米结构的选择性定位方法包括以下步骤：在衬底（10）上形成光致抗蚀剂图案（20）; 控制纳米级图案的线宽以形成纳米单元光刻胶层; 在不具有纳米单元光刻胶层的部分上形成保护层（30）; 去除纳米单元光致抗蚀剂层形成衬底; 形成吸附层（40）; 并施加含有纳米材料的溶液。
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公开(公告)号：KR1020060116477A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020050038892
申请日：2005-05-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/768 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y40/00
Abstract: A nano wire forming method and a semiconductor device manufactured thereby are provided to embody a uniform nano-sized wire by using a photoresist ashing process. A metal film(20) is formed on an object substrate. A photoresist layer is formed on the metal film. A photoresist pattern for exposing partially the metal film to the outside is formed on the resultant structure by etching selectively the photoresist layer. An ashing process is performed on the photoresist pattern, so that the exposed portion of the metal film is increased. An insulating material is deposited on the exposed portion of the metal film. A trench(43) is then formed by eliminating the photoresist pattern from the resultant structure.
Abstract translation: 提供了一种纳米线形成方法和由其制造的半导体器件，以通过使用光致抗蚀剂灰化处理来体现均匀的纳米尺寸的线。 在对象基板上形成金属膜（20）。 在金属膜上形成光致抗蚀剂层。 通过选择性地蚀刻光致抗蚀剂层，在所得结构上形成用于将金属膜部分地暴露于外部的光致抗蚀剂图案。 在光致抗蚀剂图案上进行灰化处理，使得金属膜的暴露部分增加。 绝缘材料沉积在金属膜的暴露部分上。 然后通过从所得结构中消除光致抗蚀剂图案来形成沟槽（43）。
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