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公开(公告)号：KR101533032B1
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020150016477
申请日：2015-02-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/56 , H01L21/02274
Abstract: 플라즈마부의하단에소스부가배열되고, 플라즈마부에그리드를포함하는박막증착장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜沉积装置，其中源单元布置在等离子体单元的下端，并且栅格包括在等离子体单元中。 薄膜沉积设备包括：基材装载单元，其中装载基材; 基材输送单元，其通过组合到所述基材装载单元而交替地移动所述基材; 以及薄膜沉积单元，以在基材上沉积薄膜。 薄膜沉积单元包括等离子体模块，其包括分离的源极和等离子体单元。 等离子体模块的等离子体单元包括：引入等离子体气体的流入单元; 等离子体存储单元，用于存储引入到流入单元中的等离子体气体; 以及多个等离子体产生单元和源单元，其被布置成在等离子体存储单元的下端彼此交叉。 等离子体模块还包括网格。 栅格位于等离子体生成单元的上端或下端，并且包括网状。 电网使等离子体产生单元中产生的离子的损伤最小化，并防止源单元和等离子体单元的混合。
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公开(公告)号：KR101081479B1
公开(公告)日：2011-11-08
申请号：KR1020100091776
申请日：2010-09-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/28556 , H01L29/458
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon thin film transistor using a low temperature process is provided to reduce manufacturing costs by simplifying a crystallization process using a laser and a doping process. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate. An n type or p type micro crystal silicon thin film is deposited on the buffer layer. A source electrode or drain electrode is formed by patterning the n type or p type micro crystal silicon thin film. An active layer is formed on the source electrode or drain electrode. An insulation layer and a metal electrode(150) are formed on the active layer. A gate electrode(160) is formed by patterning the active layer, the insulation layer, and the metal electrode on the substrate. The n type or p type micro crystal silicon thin film is formed by a low temperature chemical vapor deposition process.
Abstract translation: 目的：提供使用低温工艺制造硅薄膜晶体管的方法，通过简化使用激光和掺杂工艺的结晶过程来降低制造成本。 构成：在衬底上形成缓冲层（110）。 n型或p型微晶硅薄膜沉积在缓冲层上。 通过图案化n型或p型微晶硅薄膜形成源电极或漏电极。 在源电极或漏电极上形成有源层。 绝缘层和金属电极（150）形成在有源层上。 栅极电极（160）通过在基板上构图有源层，绝缘层和金属电极而形成。 n型或p型微晶硅薄膜是通过低温化学气相沉积工艺形成的。
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公开(公告)号：KR102069548B1
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：KR1020170170754
申请日：2017-12-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L51/00 , H01L21/027 , G03F7/00
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公开(公告)号：KR101827614B1
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR1020150183018
申请日：2015-12-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L51/52 , H01L21/02 , H01L51/56 , H01L21/471
Abstract: 본발명은방수특성이향상된배리어및 이를포함하는 OLED에관한것으로, 본발명의일 실시예에따른배리어는점착성필름; 상기점착성필름상부에균일한나노입자로형성된단층의나노입자층; 및상기나노입자층상부에증착된무기물배리어층을포함하여이루어진것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160090741A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：KR1020160000410
申请日：2016-01-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L51/56 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 금속산화물박막의증착방법, 및상기금속산화물박막의제조장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种金属氧化物薄膜的沉积方法及其制备装置。 金属氧化物薄膜的沉积方法包括以下步骤：通过使用多组分源气体和反应气体对基材进行等离子体处理; 以及在所述基材的表面上使所述多成分源气体与所述反应气体反应而在所述基材上形成金属氧化物薄膜。
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公开(公告)号：KR101474949B1
公开(公告)日：2014-12-22
申请号：KR1020130131982
申请日：2013-11-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0024
Abstract: 유기발광장치의제조시, OLED와무기물형광체를적어도일면이접촉하도록구비하고, 롤투롤공정을통해 OLED와무기물형광체를접합하고, 무기물형광체를색변환층으로구비하는 OLED를획득한다.
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公开(公告)号：KR101800755B1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：KR1020160055563
申请日：2016-05-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/54 , C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/452 , C23C16/448 , H01L51/56 , H01L51/00
Abstract: 유연성박막증착방법및 이를위한유연성박막증착장치에관한것으로서, 서로분리된제 1 반응가스공급부및 제 2 반응가스공급부와연결되는반응플라즈마부를구비하고, 상기반응플라즈마부와상기제 1 반응가스공급부및 상기제 2 반응가스공급부각각과의연결을선택적으로전환시키는제어밸브에의해제 1 반응가스와제 2 반응가스가상기반응플라즈마부에선택적으로공급되어상기기재에상기제 1 박막과상기제 2 박막이선택적으로증착되는박막증착장치및 증착방법을포함한다.
Abstract translation: 柔性薄膜的形成方法，并涉及一种柔性膜沉积装置为此，和连接到所述第一反应气体供给部和彼此分离的第二反应气体供给部的反应等离子体部分，其中所述反应的第一反应气体的供应部分的血浆部分，并且 第一反应气体和第二反应气体通过选择性地切换与每个第二反应气体供应部分的连接的控制阀被选择性地供应到反应等离子体部分，并且第一薄膜和第二薄膜 并选择性地沉积薄膜沉积设备和沉积方法。
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