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公开(公告)号：KR101639378B1
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：KR1020150087296
申请日：2015-06-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/50 , C23C16/513 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/22
Abstract: 박테리아방지용소수성박막및 상기박테리아방지용소수성박막의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种防止细菌的疏水性薄膜，以及疏水性薄膜的防止细菌的制造方法。 根据本发明的一个方面，提供一种疏水性薄膜的制造方法，其通过使用硅前体或氟化碳系气体前体的等离子体化学气相沉积法在基板上形成疏水性薄膜来防止细菌的形成 。
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公开(公告)号：KR1020160002615A
公开(公告)日：2016-01-08
申请号：KR1020150178482
申请日：2015-12-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본원은내마모성, 소수성및 소유성을갖는코팅막의제조방법, 및이에따라제조되는내마모성, 소수성및 소유성을갖는코팅막을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造耐磨，疏水和疏油涂膜的方法，以及由此制造的耐磨，疏水和疏油涂膜。 制造耐磨，疏水和疏油涂膜的方法包括：在基材上形成SiO_x薄膜的步骤; 形成主疏水性薄膜的步骤; 并在初级薄膜上形成次级疏油薄膜。
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公开(公告)号：KR101556677B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140022202
申请日：2014-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/44 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/509
Abstract: 본원은, 초소수성박막및 상기초소수성박막의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101270753B1
公开(公告)日：2013-06-03
申请号：KR1020120011773
申请日：2012-02-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B32B27/06 , B32B33/00 , B32B2457/208 , G06F2203/04102 , G06F2203/04103
Abstract: PURPOSE: A functional thin film including an FPCB and a functional thin film laminating method thereof are provided to flatten a surface of the FPCB and to enhance adhesive force between the FPCB and a transparent semiconductor layer by including a buffer layer. CONSTITUTION: A buffer layer(20) is formed on an FPCB. A transparent semiconductor layer(30) is formed on the buffer layer and includes oxides maintaining a transparent state in a visible light area. An insulating protection film(40) is formed on the transparent semiconductor layer and a fingerprint preventing film(50) is formed on the insulating protection film. The thickness of the transparent semiconductor layer is 1nm to 100nm and the buffer layer is made of SiOX or SiNX. The oxides are SnO2 and are doped with an n-type by using fluorine. [Reference numerals] (10) Flexible board; (20) Buffer layer; (30) Transparent semiconductor layer; (40) Insulating protection film; (50) Fingerprint preventing film
Abstract translation: 目的：提供包括FPCB的功能薄膜及其功能性薄膜层叠方法，以使FPCB的表面变平，并且通过包括缓冲层来增强FPCB与透明半导体层之间的粘合力。 构成：在FPCB上形成缓冲层（20）。 透明半导体层（30）形成在缓冲层上，并且包括在可见光区域保持透明状态的氧化物。 在透明半导体层上形成绝缘保护膜（40），在绝缘保护膜上形成指纹防止膜（50）。 透明半导体层的厚度为1nm至100nm，缓冲层由SiOX或SiNX制成。 氧化物是SnO 2，并且通过使用氟掺杂n型。 （附图标记）（10）柔性板; （20）缓冲层; （30）透明半导体层; （40）绝缘保护膜; （50）指纹防止膜
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公开(公告)号：KR1020120082657A
公开(公告)日：2012-07-24
申请号：KR1020110004073
申请日：2011-01-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for depositing a protective thin film are provided to reduce the permeability of water vapor through the polymer wafer while a SiOx(Silicon Dioxide) thin film or a SiON(Silicon Oxynitride) thin film is deposited on the polymer wafer. CONSTITUTION: An apparatus for depositing a protective thin film comprises a chamber(110), a first electrode(120), a first power supply unit, a second electrode(140),a second power supply unit(150), and a fluid supply unit(160). The fluids for generating plasma are injected into the chamber. The chamber comprises a flexible substrate(W) for a display. The first and second electrodes are vertically and oppositely placed each other in the chamber. The first and second power supply units respectively applies first and second pre-set proper power pre-set into the first and second electrodes. The fluid supplying unit supplies the fluids; OMCTS(Octamethylcyclotetrasiloxane) to the chamber. The flexible substrate(W) for the display is placed on the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种用于沉积保护薄膜的装置和方法，以降低聚合物晶片的水蒸汽渗透性，同时将SiOx（二氧化硅）薄膜或SiON（氮氧化硅）薄膜沉积在聚合物晶片上 。 一种用于沉积保护性薄膜的装置，包括室（110），第一电极（120），第一电源单元，第二电极（140），第二电源单元（150）和流体供应 单元（160）。 用于产生等离子体的流体被注入到腔室中。 腔室包括用于显示器的柔性基底（W）。 第一和第二电极在腔室中彼此垂直相对放置。 第一和第二电源单元分别在第一和第二电极中预先设置预设的第一和第二预定的正确功率。 流体供应单元供应流体; OMCTS（八甲基环四硅氧烷）至室。 用于显示器的柔性基板（W）放置在第二电极上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101152391B1
公开(公告)日：2012-06-05
申请号：KR1020100055950
申请日：2010-06-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01B13/016 , H01B11/18
Abstract: 본원은증착된이중금속차폐층을포함하는마이크로동축케이블의제조방법에관한것으로서, 중심도체를둘러감싸는절연층을형성하고; 상기절연층을둘러감싸는제 1 금속차폐층을스퍼터링공정에의해증착하고; 상기제 1 금속차폐층을둘러감싸는제 2 금속차폐층을전기도금공정에의해증착하는것: 을포함하는, 마이크로동축케이블의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101120365B1
公开(公告)日：2012-02-24
申请号：KR1020100009625
申请日：2010-02-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 마이크로 동축케이블에서 금속 차폐층을 금속 코팅 층으로 대처하는 마이크로 동축케이블에 관한 것이다. 보다 자세하게는 중심 도체 (100), 상기 중심 도체를 둘러싸는 절연층 (200) 및 상기 절연층을 둘러 감싸는 금속 차폐층(300)으로 전면코팅을 포함하는 마이크로 동축케이블 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명을 통하여 마이크로 동축 케이블의 생산공정을 단순화 시킬 수 있다. 특히 금속 차폐층이 횡권이나 편조등으로 구성되지 않고 코팅에 의한 완전 실딩방식으로서 하네스 공정의 탈피성과 더불어 고주파 특성까지 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR101105420B1
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：KR1020100009953
申请日：2010-02-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
Abstract: 기판이 수납된 챔버 내에 상호 수직 대향 배치된 적어도 두 개의 주 전극을 포함하는 주 전극부에 공급되는 제 1 전력 및 챔버 내에 상호 수평 대향 배치된 적어도 두 개의 보조 전극을 포함하는 보조 전극부에 공급되는 제 2 전력을 설정하고, 챔버 내에 유체를 주입하고, 주 전극부 및 보조 전극부에 제 1 전력 및 제 2 전력을 공급함으로써, 결정질 실리콘 박막 증착 속도를 높일 수 있는 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020090087680A
公开(公告)日：2009-08-18
申请号：KR1020080013079
申请日：2008-02-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 한전건
IPC: H01L21/203
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: A magnetron sputtering apparatus is provided to make the structure of the apparatus simple by arrangement of magnet and to form the uniform film. The substrate(12) is placed on the substrate pedestal(10). The target(14) is installed at the top of the substrate. The magnet(30) is positioned at the back of the target and is sealed by the chamber. The magnet of the magnetron sputtering apparatus has the left side or the right side of N or S pole. The magnetron sputtering apparatus generates the magnetic field for the electronics and ion binding in the target front side. The size of the magnet type partition is controlled corresponding to the size of the substrate for sputtering.
Abstract translation: 提供磁控溅射装置，通过配置磁体使装置的结构简单化并形成均匀的膜。 将衬底（12）放置在衬底基座（10）上。 目标（14）安装在基板的顶部。 磁体（30）位于目标的后部并由腔室密封。 磁控溅射装置的磁体具有N或S极的左侧或右侧。 磁控溅射装置在目标前侧产生电子和离子束缚的磁场。 对应于溅射用基板的尺寸来控制磁体型隔板的尺寸。
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公开(公告)号：KR101650367B1
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020150087297
申请日：2015-06-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/50 , C23C16/06 , C23C14/34 , C23C16/448 , C23C16/30
Abstract: 기재상에생체적합성물질, 금속전구체, 및반응가스를이용하여플라즈마화학기상증착법에의해금속도핑된박막을형성하는것을포함하는, 안티박테리아성박막의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制备抗菌薄膜的方法。 制备抗菌薄膜的方法包括：通过使用生物相容性材料，金属前体和反应气体的等离子体化学气相沉积法在基材上形成掺杂有金属的薄膜。
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