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公开(公告)号：KR101736462B1
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：KR1020090089289
申请日：2009-09-21
Applicant: 한화테크윈 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/01 , C23C16/0272 , C23C16/26 , H01B1/04 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02527 , H01L21/02645 , H01L21/02664
Abstract: 본발명은, (a) 베이스부재와, 상기베이스부재에형성된친수성산화층과, 상기산화층에형성된소수성금속촉매층과, 상기금속촉매층에형성된그래핀을포함하는그래핀부재를준비하는단계와, (b) 상기그래핀부재에물을가하는단계와, (c) 상기산화층과상기금속촉매층사이를분리하는단계와, (d) 상기금속촉매층을에칭공정으로제거하는단계를포함하는그래핀의제조방법과, 그제조방법으로얻어지는그래핀, 그그래핀을포함하는전도성박막, 투명전극, 방열또는발열소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明中，（a）基础构件，和形成在该基体上的亲水性氧化物层，以及形成在所述氧化物层上的疏水的金属催化剂层，形成在金属催化剂，（B所述方法包括制备石墨烯构件包括石墨烯的步骤 （C）从金属催化剂层分离氧化物层;和（d）通过蚀刻工艺去除金属催化剂层。 ，通过该方法获得的包含石墨烯的导电薄膜，透明电极以及散热或加热元件。
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公开(公告)号：KR101454463B1
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：KR1020090089290
申请日：2009-09-21
Applicant: 한화테크윈 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은, (a) 베이스 부재와, 상기 베이스 부재에 형성된 산화층과, 상기 산화층에 형성된 금속 촉매층과, 상기 금속 촉매층에 형성된 그래핀을 포함하는 그래핀 부재를 준비하는 단계와, (b) 접착층이 형성된 접착 부재를 상기 그래핀에 배치하는 단계와, (c) 상기 접착 부재에 소정의 힘을 가하여 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이를 분리하는 단계와, (d) 상기 금속 촉매층을 에칭 공정으로 제거하는 단계를 포함하는 그래핀의 제조 방법과, 그 제조 방법으로 얻어지는 그래핀, 그 그래핀을 포함하는 전도성 박막, 투명 전극, 방열 또는 발열 소자를 제공한다.
그래핀, 분리 방법, 제조 방법Abstract translation: 本发明中，（a）基础构件，形成在基底构件和形成的氧化层，并且该方法包括在金属催化剂层上的氧化物的层：形成于所述金属催化剂是制备石墨烯构件包括销，（b）中的粘合剂层 该方法包括设置在销的是被形成的结合材料，（c）该氧化物层和所述金属催化剂之间分离的工序中加入到去除金属催化剂层，以在蚀刻工艺上的结合材料的力，（d）， 并且，通过该制造方法得到的导电性薄膜，透明电极以及包含石墨烯和石墨烯的散热或加热元件。
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公开(公告)号：KR1020140106210A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130020472
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01B33/021 , B82B1/00 , B82B3/00
CPC classification number: C01B33/021 , C01P2004/64 , H01L21/02381
Abstract: A method for manufacturing ultra-thin film silicon according to an embodiment of the present invention comprises the steps of preparing a silicon layer on top of a silicon oxide film; forming a thermal oxide film in the upper region of the silicon layer by performing thermal oxidation on the surface of the silicon layer and forming a first silicon layer thinner than the silicon layer in the lower region of the silicon layer; exposing the surface of the first silicon layer by removing the thermal oxide film; forming an ozone oxide film in the first silicon layer adjacent to the surface of the first silicon layer by performing ozone surface oxidation on the surface of the first silicon layer and forming a second silicon layer thinner than the silicon layer between the ozone oxide film and the silicon oxide film; exposing the surface of the second silicon layer by removing the ozone oxide film; and separating the second silicon layer from the silicon oxide film by etching the silicon oxide film.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造超薄膜硅的方法包括以下步骤：在氧化硅膜的顶部制备硅层; 通过在硅层的表面上进行热氧化，在硅层的下部区域形成比硅层薄的第一硅层，在硅层的上部区域形成热氧化膜; 通过去除热氧化膜来暴露第一硅层的表面; 通过在第一硅层的表面上进行臭氧表面氧化，形成与第一硅层表面相邻的第一硅层中的臭氧氧化膜，形成比臭氧氧化物膜和 氧化硅膜; 通过去除臭氧氧化膜来暴露第二硅层的表面; 以及通过蚀刻所述氧化硅膜将所述第二硅层与所述氧化硅膜分离。
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公开(公告)号：KR1020140078593A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：KR1020140065671
申请日：2014-05-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 안종현
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/041
Abstract: The present invention relates to a touch panel and a method of producing the same. The touch panel and the method of producing the same according to the embodiment of the present invention include a substrate; a graphene electrode which is formed on the substrate; a protection layer which includes insulating polymer which is formed on the graphene electrode; an insulating layer which is formed on the protection layer; and an electrode material which is formed on the insulating layer. According to one embodiment of the present invention, the thickness of the protection layer is 1 nm to 1000 nm.
Abstract translation: 触摸面板及其制造方法技术领域本发明涉及触摸面板及其制造方法。 根据本发明的实施例的触摸面板及其制造方法包括：基板; 形成在基板上的石墨烯电极; 保护层，其包括形成在所述石墨烯电极上的绝缘聚合物; 绝缘层，形成在保护层上; 以及形成在绝缘层上的电极材料。 根据本发明的一个实施例，保护层的厚度为1nm至1000nm。
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公开(公告)号：KR1020130130913A
公开(公告)日：2013-12-03
申请号：KR1020120054563
申请日：2012-05-23
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 안종현
IPC: G06F3/041
CPC classification number: H05K1/097 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111 , H05K3/10 , H05K3/4685 , H05K2201/0108 , G06F3/041
Abstract: The present invention relates to a touch panel and a manufacturing method thereof. The touch panel according to the present invention includes a base material, a graphene electrode which is formed on the base material, a protection layer which is formed on the graphene electrode, an insulation layer which is formed on the protection layer, and an electrode material which is formed on the insulation layer.
Abstract translation: 触摸面板及其制造方法技术领域本发明涉及触摸面板及其制造方法。 根据本发明的触摸面板包括基材，形成在基材上的石墨烯电极，形成在石墨烯电极上的保护层，形成在保护层上的绝缘层和电极材料 其形成在绝缘层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130129506A
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020120053411
申请日：2012-05-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/45 , H01L29/66742 , H01L29/7869
Abstract: The present invention relates to a thin film transistor and a manufacturing method thereof. The thin film transistor includes a base material, a channel layer, a source electrode, and a drain electrode. A barrier layer with graphene is formed between the channel layer and the source and drain electrodes. The channel layer includes an oxide semiconductor.
Abstract translation: 薄膜晶体管及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。 薄膜晶体管包括基底材料，沟道层，源电极和漏电极。 在沟道层和源极和漏极之间形成具有石墨烯的阻挡层。 沟道层包括氧化物半导体。
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公开(公告)号：KR101320407B1
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：KR1020120064814
申请日：2012-06-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B32B38/08 , B05D7/04 , B05D7/24 , B32B9/007 , B32B9/045 , C23C16/06 , C23C16/44
Abstract: PURPOSE: A direct transcription method of a graphene sheet is provided to have an excellent economic feasibility of time and cost in comparison with previous techniques as an additional support layer and an additional transcription device are not needed unlike an indirect transcription method and the time consumed for transcription is shortened from hours to minutes. CONSTITUTION: A direct transcription method of a graphene sheet includes the following steps; a step which forms a laminate with a catalyst layer/ the graphene sheet/a material for growth of the graphene after forming the material on the graphene sheet which is formed on the catalyst layer for growth of the graphene; and a step which forms a laminate of the graphene sheet/ the material separating the catalyst layer for graphene growth and the graphene sheet by using electrolysis which is performed as voltage is approved after immersing the laminate in an electrolyte. [Reference numerals] (AA) Form graphene sheet on catalyst layer for growth of the graphene→catalyst layer for growth of the graphene/ graphene sheet laminate; (BB) Form substrate on graphene sheet→catalyst layer for growth of the graphene/ graphene sheet/ substrate laminate; (CC) Separating catalyst layer for graphene growth and graphene sheet by using electrolysis→graphene sheet/substrate laminate
Abstract translation: 目的：提供石墨烯片材的直接转录方法，与以前的技术相比，具有优异的经济可行性和时间和成本，作为额外的支持层，并不需要额外的转录装置，不像间接转录法和消耗的时间 转录时间缩短为数分钟。 构成：石墨烯片的直接转录方法包括以下步骤： 在形成在用于石墨烯生长的催化剂层上的石墨烯片上形成材料之后，形成具有催化剂层/石墨烯片/用于生长石墨烯的材料的层压体的步骤; 并且通过使用在将层压体浸入电解质中之后作为电压进行电解的电解形成石墨烯片/分离用于石墨烯生长的催化剂层和石墨烯片的材料的层压体的步骤。 （AA）用于生长石墨烯的催化剂层上的石墨烯片（AA）石墨烯/石墨烯片层叠体生长用催化剂层; （BB）石墨烯片上的形成基板→用于生长石墨烯/石墨烯片/基板层压板的催化剂层; （CC）使用电解→石墨烯片/基板层叠体分离用于石墨烯生长的催化剂层和石墨烯片
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公开(公告)号：KR101315473B1
公开(公告)日：2013-10-04
申请号：KR1020090120621
申请日：2009-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/78603
Abstract: 본 발명은 생산성 및 생산수율을 향상시키는 전이 박막트랜지스터 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 방법은, 제 1 기판에 제 1 방향으로 연장된 소스 영역, 드레인 영역, 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역사이의 채널 영역을 형성하고, 상기 제 1 기판에 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장된 트렌치들을 형성하여, 상기 트렌치들사이의 활성 층을 정의하고, 상기 트렌치들 내부의 상기 제 1 기판을 비등방성 식각공정으로 식각하여 상기 트렌치들 사이의 상기 활성 층을 상기 제 1 기판으로부터 분리하고, 상기 활성 층을 제 2 기판 상에 접합하고, 상기 활성 층의 상기 채널 영역 상에 게이트 전극을 상기 제 1 방향으로 형성하는 것을 포함할 수 있다.
활성(active), 플라스틱(plastic), 게이트(gate), 플렉시블(flexible), 식각(etching)-
公开(公告)号：KR1020110090134A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：KR1020100009739
申请日：2010-02-02
Applicant: 한화테크윈 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/045 , G06F2203/04103 , H01B5/14
Abstract: PURPOSE: A touch panel and a method for manufacturing the touch panel are provided to reduce manufacturing time and costs. CONSTITUTION: A second substrate is placed facing a first substrate. The first conductive film is arranged on the first substrate. The first conductive film is made of graphene. A first electrode is integrally formed with the first conductive film. The first electrode is formed into graphene.
Abstract translation: 目的：提供触摸面板和制造触摸面板的方法，以减少制造时间和成本。 构成：第二衬底面向第一衬底放置。 第一导电膜设置在第一基板上。 第一导电膜由石墨烯制成。 第一电极与第一导电膜一体地形成。 第一电极形成石墨烯。
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公开(公告)号：KR101052116B1
公开(公告)日：2011-07-26
申请号：KR1020090069350
申请日：2009-07-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 희생층을 이용한 플렉시블 산화물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘 기판상에 희생층을 형성하고 상기 희생층 상에 산화물 반도체 소자를 제조하여 전기적 특성 향상을 위한 고온에서의 열처리가 가능하고, 상기 희생층을 선택적 식각율이 높은 재료를 사용하여 산성 및 염기에 의한 산화물 반도체 막의 손상을 제거할 수 있는 플렉시블 산화물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.
플렉시블, 산화물 반도체 소자, 열처리, 전사
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