반도체 소자 제조 방법
    23.
    发明授权
    반도체 소자 제조 방법 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:KR101041866B1

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:KR1020090069032

    申请日:2009-07-28

    Abstract: 본 개시는 다이오드 및 전계효과 트랜지스터와 같은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 활성화 영역을 위한 산화물 반도체층의 형성 시, 적어도 가스 분위기를 포함한 공정 조건을 조절하여 상기 산화물 반도체층의 전기적 특성을 조절하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 가스 분위기는 캐리어 가스에서 산소의 비율을 조절하는 것일 수 있으며, 상기 산화물 반도체층 상에 쇼트키 접합 특성 또는 오믹 접합 특성을 갖는 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하여, 반도체 소자의 특성을 향상하고, 기존의 공정을 통하여 금속 전극의 선택 사용을 용이하게 하며, 소자의 소형화에 따른 단채널 등의 문제를 해결하고, 기존의 실리콘 기반 전자소자를 탈피할 수 있다.
    산화물 반도체, 활성화 영역, 쇼트키 접합, 오믹 접합, 가스 분위기

    CIGS 박막 제조 방법과 CIGS 박막 태양전지
    24.
    发明公开
    CIGS 박막 제조 방법과 CIGS 박막 태양전지 有权
    CIGS和CIGS太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:KR1020110020094A

    公开(公告)日:2011-03-02

    申请号:KR1020090077813

    申请日:2009-08-21

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/0445

    Abstract: PURPOSE: A fabrication method of CIGS and a CIGS solar cell is provided to enable the manufacture of a high quality light absorption layer by adding PVA(Poly Vinyl Alcohol) to an electrodeposition solution to improve the physical surface properties and cohesive property of a CIGS metal component. CONSTITUTION: In a fabrication method of CIGS and a CIGS solar cell, an electrode layer(120) comprised of molybdenum(Mo) is formed on a substrate(110). A bonding layer(130) comprised of copper is formed on the electrode layer. A CIGS light absorption layer(140) is formed on the bonding layer. The CIGS light absorption layer is formed by using an ionized metal precursor through electrodepositon. A CDS thin film layer(160) is formed on the CIGS light absorption layer.

    Abstract translation: 目的:提供CIGS和CIGS太阳能电池的制造方法,以通过向电沉积溶液中加入PVA(聚乙烯醇)来制造高品质的光吸收层,以改善CIGS金属的物理表面性质和内聚性 零件。 构成:在CIGS和CIGS太阳能电池的制造方法中,在基板(110)上形成由钼(Mo)构成的电极层(120)。 在电极层上形成由铜组成的接合层(130)。 在接合层上形成CIGS光吸收层(140)。 通过电沉积使用电离金属前体形成CIGS光吸收层。 在CIGS光吸收层上形成CDS薄膜层(160)。

    스페이서와 배향막을 동시에 형성할 수 있는 광배향성 광경화 조성물, 상기 광배향성 광경화 조성물을 사용하여 스페이서와 배향막을 동시에 형성하는 방법 및 이에 의하여동시에 형성된 스페이서와 배향막
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    发明公开
    스페이서와 배향막을 동시에 형성할 수 있는 광배향성 광경화 조성물, 상기 광배향성 광경화 조성물을 사용하여 스페이서와 배향막을 동시에 형성하는 방법 및 이에 의하여동시에 형성된 스페이서와 배향막 有权
    用于生产间隔件和对准层的光致变色和光致抗蚀剂组合物照相机同时使用相同的间隔件和对准层的制造方法,使用其制造间隔件和对准层

    公开(公告)号:KR1020100071625A

    公开(公告)日:2010-06-29

    申请号:KR1020080130412

    申请日:2008-12-19

    Abstract: PURPOSE: A photo alignment-photo curable composition, a formation method of a spacer and an alignment layer using thereof, and the spacer and the alignment layer are provided to simplify the manufacturing process, and to reduce the manufacturing cost. CONSTITUTION: A photo alignment-photo curable composition contains a photo alignment polymer including a photo-reactive group showing the photo anisotropy, and an oligomer including a photo polymerizable reactor. 5~10wt% of oligomer is included to the total composition. A formation method of a spacer and an alignment layer at the same time using the composition comprises the following steps: forming a layer of the photo alignment-photo curable composition on a substrate; transferring the shape of the spacer and the alignment layer using a PDMS stamp; and curing the alignment layer including the shape of the spacer by irradiating polarized light ultraviolet rays.

    Abstract translation: 目的:提供光取向光固化性组合物,间隔物的形成方法及其取向层,以及间隔物和取向层,以简化制造工序,降低制造成本。 构成:光取向光固化性组合物含有含有显示光异向性的光反应性基团的光取向聚合物和含有光聚合反应器的低聚物。 5〜10wt%的低聚物包括在总组合物中。 使用该组合物同时形成间隔物和取向层的方法包括以下步骤:在基材上形成光取向光固化性组合物层; 使用PDMS印章转印间隔物和取向层的形状; 并通过照射偏振光紫外线固化包括间隔物的形状的取向层。

    페로브스카이트 나노구조체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 페로브스카이트 나노구조체

    公开(公告)号:KR101787083B1

    公开(公告)日:2017-10-19

    申请号:KR1020150154077

    申请日:2015-11-03

    Abstract: 본발명은상대습도 0 % 내지 50 %로조절된분위기에서금속할라이드(metal halide) 분말을포함하는혼합용액을도포하여금속할라이드박막을제조하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서제조된금속할라이드박막을화학식 1의화합물을포함하는용액에침지시켜페로브스카이트나노구조체를형성하는단계(단계 2);를포함하는페로브스카이트나노구조체의제조방법을제공한다. 본발명에따른페로브스카이트나노구조체의제조방법은금속할라이드분말을사용함으로써조밀한구조의전구체막 제조와더불어균일및 결정성이우수한페로브스카이트나노구조체를제조할수 있다. 또한, 상대습도를조절하여제조된치밀한구조의금속할라이드박막을기반으로페로브스카이트나노구조체를형성할수 있다. 나아가, 금속할라이드박막에고농도의페로브스카이트상을형성하는용액을침지시켜페로브스카이트시드를형성한후, 저농도의페로브스카이트상을형성하는용액을침지시켜페로브스카이트나노구조체를제조하는방법으로결정성이우수한페로브스카이트나노와이어를제조할수 있다.

    다공성의 금속 할라이드 박막 또는 후막 제조방법

    公开(公告)号:KR1020170052755A

    公开(公告)日:2017-05-15

    申请号:KR1020150154037

    申请日:2015-11-03

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본발명은다공성의금속할라이드박막또는후막제조방법에관한것으로서, 상기제조방법은태양전지의효율을높일수 있는다공성구조를갖는금속할라이드박막또는후막을제조할수 있는새로운방법을제시한다. 다공성의금속할라이드박막또는후막제조방법은다공성금속할라이드박막또는후막을통해반응후 잔여금속할라이드를최소화할수 있으며, 습막상태의금속할라이드에대기중 수분이거나, 외부에서수분을분사하여수분을공급함으로써금속할라이드박막의기공정도를제어할수 있어, 잔여금속할라이드가남는것을방지함으로써고효율태양전지를합성할수 있는매우유용한기술이다.

    염료감응 태양전지용 광전극층, 이를 포함하는 염료감응 태양전지, 및 각각의 제조 방법
    30.
    发明公开
    염료감응 태양전지용 광전극층, 이를 포함하는 염료감응 태양전지, 및 각각의 제조 방법 有权
    染料敏化太阳能电池的光电极层,包含其的染料敏化太阳能电池,

    公开(公告)号:KR1020170051740A

    公开(公告)日:2017-05-12

    申请号:KR1020150152376

    申请日:2015-10-30

    CPC classification number: Y02E10/542

    Abstract: 본발명은염료감응태양전지용광전극층, 이를포함하는염료감응태양전지, 및각각의제조방법에관한것으로, 본발명의실시예를따르는염료감응태양전지용광전극층의제조방법은, 금속산화물및 유기용매를포함하는분산액을형성하는단계, 금속산화물전구체및 고분자를포함하는혼합용액을형성하는단계, 상기분산액을기판상에전기분사하고, 상기혼합용액을기판상에전기방사하여금속산화물층을형성하는단계및 상기금속산화물층이형성된기판을열처리하는단계를포함하고, 상기열처리된금속산화물층은디스크형상의금속산화물입자및 나노와이어형태의금속산화물을포함한다.

    Abstract translation: 本发明是一种染料敏化涉及一种太阳能电池,光学电极,染料敏化太阳能电池,并且每个方法包括根据本发明,金属氧化物和有机溶剂的实施方式的染料敏化太阳能电池的光学电极层的制造相同,方法 ,形成包含金属氧化物前体和聚合物的混合溶液,将分散体喷涂在基材上,将基材上的混合溶液静电纺丝以形成金属氧化物层 然后对其上形成有金属氧化物层的基板进行热处理,其中热处理过的金属氧化物层包括盘状金属氧化物粒子和纳米线形式的金属氧化物。

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