-
公开(公告)号：KR101130067B1
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：KR1020090083710
申请日：2009-09-04
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 본 명세서는 기판과, 상기 기판상에 형성된 두개의 전극과, 상기 기판에 상기 두개의 전극 사이에 형성되며, 셀레늄 또는 황이 흡착(adsorption) 또는 흡수(absorption)된 흡착제(adsorbent) 또는 흡수제(absorbent)를 사용하여 셀렌화 또는 황화된 Cu
X In
Y Ga
Z Se
N S
M (X=0~1, Y=0~1, Z=0~1, N=0~1, M=0~1)층을 포함하는 화합물 반도체 태양전지를 제공한다.
태양전지, 광흡수층, CIGS-
公开(公告)号：KR101125008B1
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020090076790
申请日：2009-08-19
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 본 발명은, 본체와, 이 본체 내에 구비되고 증착물질을 수용하되 개구된 상부에는 밀폐를 위한 커버가 결합되고 하부에는 다공판으로 된 분사구가 형성된 도가니와, 이 도가니의 중간높이에서 도가니를 둘러싸도록 배치되고서 고주파 유도전류가 인가되는 제1코일 및, 이 제1코일의 아래에서 상기 도가니의 분사구를 둘러싸도록 배치되며 고주파 유도전류가 인가되는 제2코일을 포함하는 하향식 증발원과 이를 구비한 증착장치에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 적어도 하나의 증발원을 증착장치의 챔버의 상부에 배치하여 분자선이 아래로 공급될 수 있도록 하고서 고주파 유도가열을 이용함으로써, 대면적 기판에 형성되는 박막의 균일도를 확보하고 소스의 가열시간을 단축할 수 있어 저비용의 박막제조가 가능하게 되는 효과가 있게 된다.
-
公开(公告)号：KR101036165B1
公开(公告)日：2011-05-23
申请号：KR1020090095663
申请日：2009-10-08
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 나트륨 화합물과 용매를 포함하는 전착액을 준비하는 단계, 상기 전착액에 P측 전극과 상대전극을 침지시키는 단계, 상기 P측 전극과 상기 상대전극 사이에 전계를 인가하여 상기 P측 전극 상부에 나트륨 수화물 박막을 형성시키는 단계, 상기 P측 전극에 형성된 상기 나트륨 수화물 박막 상부에 칼코지나이드계 태양전지셀을 형성시키는 단계, 및 상기 칼코지나이드계 태양전지셀 상부에 N측 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 칼코지나이드계 태양전지의 제조방법이 제공된다.
-
公开(公告)号：KR101081443B1
公开(公告)日：2011-11-08
申请号：KR1020090077813
申请日：2009-08-21
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명의실시예는, PVA(poly vinyl alcohol)가포함된전착용액과 -1 ~ 5V 범위의직류(DC) 전압조건으로실시되는전착법으로태양전지용 CuInGaSe(=0-2,=0-2,=0-2,=0-3) 층의광흡수층형성을위해금속전구체를이용하여이온화된구리(Cu), 인듐(In), 칼슘(Ca), 셀렌(Se) 성분을전착하는것을특징으로하는 CIGS 박막제조방법을제공한다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110020094A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：KR1020090077813
申请日：2009-08-21
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of CIGS and a CIGS solar cell is provided to enable the manufacture of a high quality light absorption layer by adding PVA(Poly Vinyl Alcohol) to an electrodeposition solution to improve the physical surface properties and cohesive property of a CIGS metal component. CONSTITUTION: In a fabrication method of CIGS and a CIGS solar cell, an electrode layer(120) comprised of molybdenum(Mo) is formed on a substrate(110). A bonding layer(130) comprised of copper is formed on the electrode layer. A CIGS light absorption layer(140) is formed on the bonding layer. The CIGS light absorption layer is formed by using an ionized metal precursor through electrodepositon. A CDS thin film layer(160) is formed on the CIGS light absorption layer.
Abstract translation: 目的：提供CIGS和CIGS太阳能电池的制造方法，以通过向电沉积溶液中加入PVA（聚乙烯醇）来制造高品质的光吸收层，以改善CIGS金属的物理表面性质和内聚性 零件。 构成：在CIGS和CIGS太阳能电池的制造方法中，在基板（110）上形成由钼（Mo）构成的电极层（120）。 在电极层上形成由铜组成的接合层（130）。 在接合层上形成CIGS光吸收层（140）。 通过电沉积使用电离金属前体形成CIGS光吸收层。 在CIGS光吸收层上形成CDS薄膜层（160）。
-
公开(公告)号：KR1020110060687A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：KR1020090117348
申请日：2009-11-30
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/1828 , H01L31/0296 , Y02E10/543
Abstract: PURPOSE: A producing method of a cadmium sulfide thin film using ultrasonic waves is provided to secure the uniform surface of the cadmium sulfide thin film at the low temperature using the sonochemical synthesis. CONSTITUTION: A producing method of a cadmium sulfide thin film using ultrasonic waves comprises the following steps; washing the surface of a substrate, and drying with compressed air; preparing an aqueous solution containing cadmium and sulfur, and a Na4OH solution to mix the prepared solution; inserting the substrate in the aqueous solution containing the cadmium and the sulfur; processing the solution with the ultrasonic waves for the sonochemical synthesis to produce the cadmium sulfide thin film on the substrate; and washing the surface of the cadmium sulfide thin film, and drying with N2.
Abstract translation: 目的：提供使用超声波的硫化镉薄膜的制造方法，使用声化学合成法将硫化镉薄膜的均匀表面保持在低温。 构成：使用超声波的硫化镉薄膜的制造方法包括以下步骤： 洗涤基材的表面，并用压缩空气干燥; 制备含有镉和硫的水溶液和Na 4 OH溶液以混合制备的溶液; 将基板插入含有镉和硫的水溶液中; 用超声波处理溶液用于声化学合成，以在基底上产生硫化镉薄膜; 并洗涤硫化镉薄膜的表面，并用N 2干燥。
-
公开(公告)号：KR1020110038391A
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：KR1020090095663
申请日：2009-10-08
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a chalcogenide solar cell is provided to improve photoelectric conversion efficiency by including hydrated sodium thin film. CONSTITUTION: A depositing solution including sodium compounds and solvent is prepared. A p type electrode and an opposite electrode are immersed in the depositing solution. A sodium hydrate thin film is formed on the upper side of the p type electrode by applying an electric field between the p type electrode and the opposite electrode. A chalcogenide solar cell is formed on the upper side of the sodium hydrate of the p type electrode. An N side electrode is formed on the upper side of the chalcogenide solar cell.
Abstract translation: 目的：提供一种制造硫族化物太阳能电池的方法，通过包括水合钠薄膜来提高光电转换效率。 构成：制备包含钠化合物和溶剂的沉积溶液。 将p型电极和相对电极浸入沉积溶液中。 通过在p型电极和相对电极之间施加电场，在p型电极的上侧形成氢氧化钠薄膜。 在p型电极的钠水合物的上侧形成有硫族化物太阳能电池。 在硫族化物太阳能电池的上侧形成N侧电极。
-
公开(公告)号：KR1020110025581A
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：KR1020090083710
申请日：2009-09-04
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A chemical semiconductor solar cell and a photo absorbing layer manufacturing method thereof are provided to increase the efficiency of the solar cell battery by implementing the selenization and xanthation processes efficiently. CONSTITUTION: A chemical semiconductor solar battery comprises a substrate(110), two electrodes, and a light absorption layer(140). Two electrodes are formed on the substrate. A light absorption layer is formed on a substrate between two electrodes. The light absorption layer is selenized by using the absorbent.
Abstract translation: 目的：提供化学半导体太阳能电池及其光吸收层制造方法，以通过有效地实施硒化和黄原酸化方法来提高太阳能电池电池的效率。 构成：化学半导体太阳能电池包括基板（110），两个电极和光吸收层（140）。 在基板上形成两个电极。 在两个电极之间的衬底上形成光吸收层。 通过使用吸收剂对光吸收层进行硒化。
-
公开(公告)号：KR1020110019180A
公开(公告)日：2011-02-25
申请号：KR1020090076790
申请日：2009-08-19
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: PURPOSE: A downward type deposition source, capable of securing the uniformity of a thin film formed on a large-size substrate, and a deposition device having the same are provided to reduce a source heating time by using microwave induction heat. CONSTITUTION: A downward type deposition source comprises a main body(31), a pot(33), a first coil(35), and a second coil(37). The pot is installed within the main body and accepts deposition materials. The opened top of the pot is combined with a cover(32). A spray hole(34) consisting of porous plates is formed in the lower part of the pot. The first coil surrounds the pot at the half height of the pot.
Abstract translation: 目的：提供能够确保形成在大尺寸基板上的薄膜的均匀性的向下型沉积源和具有该沉积源的沉积装置，以通过使用微波感应加热来减少源加热时间。 构成：向下型沉积源包括主体（31），锅（33），第一线圈（35）和第二线圈（37）。 锅体安装在主体内并接受沉积材料。 锅的打开的顶部与盖（32）组合。 在锅的下部形成由多孔板构成的喷孔（34）。 第一个线圈在锅的半高处围绕着锅。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.018 seconds)
