公开(公告)号：KR1020080077431A

公开(公告)日：2008-08-25

申请号：KR1020070016923

申请日：2007-02-20

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 주영창 ,  이신복 ,  황상수

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R31/2601

Abstract: An apparatus for testing electrical characteristic and reliability of semiconductors and packages is provided to suppress generation of scratch at semiconductor samples without using a sharp test pin. An apparatus for testing electrical characteristic and reliability of semiconductors and packages includes a lower frame(152), a higher frame(154), and plural conductive contact poles(158). The lower frame supports plural semiconductor samples by mounting the semiconductor samples. The higher frame is mounted on the lower frame to measure the electrical characteristic of semiconductor samples. One end of the conductive contact poles is connected to the higher frame and the other end thereof is connected electrically to the respective semiconductor samples mounted on the lower frame.

Abstract translation: 提供了一种用于测试半导体和封装的电气特性和可靠性的装置，以抑制半导体样品上的划痕产生而不使用尖锐的测试针。 一种用于测试半导体和封装的电特性和可靠性的装置，包括下框架（152），较高框架（154）和多个导电接触极（158）。 下框架通过安装半导体样品来支撑多个半导体样品。 较高的框架安装在下框架上以测量半导体样品的电特性。 导电接触极的一端连接到较高的框架，另一端电连接到安装在下框架上的各个半导体样品。

公开(公告)号：KR100566836B1

公开(公告)日：2006-04-03

申请号：KR1020030020001

申请日：2003-03-31

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 송성진 ,  민경덕 ,  주영창 ,  전병선 ,  제갈승

IPC: F02C7/06

Abstract: 본 발명은 마이크로터빈용 스러스트 가스베어링(1)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하이드로스태틱 방식 및 하이드로다이나믹 방식이 조합된 하이브리드 방식의 마이크로터빈용 스러스트 가스베어링(1)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 마이크로터빈용 스러스트 가스베어링(1)은 하이드로스태틱 방식의 설계 요소로서, 실리콘 기판으로 된 몸체(10)의 중심(20)의 둘레에는 외부로부터 고압 가스가 유입되는 수개의 오리피스(30)가 소정의 간격을 두고 형성되고, 하이드로다이나믹 방식의 설계 요소로서, 상기 수개의 오리피스(30)의 둘레에는 오리피스(30)를 통과한 고압 가스가 유동되는 통로를 형성하여 터빈 로터의 상하 치우침에 따른 압력차에 의해 터빈 로터의 위치를 조정하는 수개의 스파이럴 그루브(40)가 형성되며, 상기 수개의 스파이럴 그루브(40)의 둘레에는 스파이럴 그루브(40)를 통과한 고압 가스가 외부로 배출되는 통로(50)가 형성되고, 상기 스파이럴 그루브(40)의 주위에는 원형 채널(60)이 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 마이크로터빈용 스러스트 가스베어링(1)은 터빈 로터의 저속 회전으로부터 고속 회전에 이르기까지 거의 전 속도 범위에 걸쳐 안정적으로 작용할 수 있다.
마이크로터빈, 스러스트 가스베어링, 오리피스, 스파이럴 그루브, 원형 채널

公开(公告)号：KR1020040086679A

公开(公告)日：2004-10-12

申请号：KR1020030021033

申请日：2003-04-03

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 주영창 ,  윤민승 ,  민홍석

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A substrate etching method for forming various stepped structures and a method for fabricating a heat-sink for a three-dimensional micro-system using the same are provided to reduce a process period of time and the manufacturing cost by simplifying a fabrication process. CONSTITUTION: The first mask pattern(112) having the first hole for exposing the first region is formed on a substrate(100). The second mask pattern(114) having the second hole for exposing the second region is formed on the first mask pattern and the first region of the substrate. The first recess region(132) is formed on the second region by etching the substrate. The second recess region(134) and the third recess region are formed by etching the substrate. The second recess region and the third recess region have different stepped structures.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成各种阶梯式结构的基板蚀刻方法和用于制造使用其的三维微系统的散热器的方法，以通过简化制造工艺来缩短处理时间和制造成本。 构成：具有用于暴露第一区域的第一孔的第一掩模图案（112）形成在基板（100）上。 具有用于曝光第二区域的第二孔的第二掩模图案（114）形成在第一掩模图案和基板的第一区域上。 通过蚀刻基板，在第二区域上形成第一凹部区域（132）。 通过蚀刻基板形成第二凹部区域（134）和第三凹部区域。 第二凹部区域和第三凹部区域具有不同的台阶状结构。

公开(公告)号：KR1020020041363A

公开(公告)日：2002-06-01

申请号：KR1020020018215

申请日：2002-04-03

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 민경덕 ,  주영창 ,  송성진 ,  김세준 ,  민홍석 ,  박건중

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: B81C1/00087 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32134

Abstract: PURPOSE: A method of through-etching substrate is provided to efficiently perform a cooling processing of a substrate and to improve a profile around a penetrated hole by using a metal material. CONSTITUTION: A buffer(62) made of a silicon dioxide is formed on a surface of a silicon substrate(50) having a hole. Then, a metal film(64) made of an aluminum is formed on the buffer(62). After depositing another buffer(72) and another metal film(74) on the rear surface of the silicon substrate(50), an etch mask pattern(66) is formed on the metal film(74). After etching the metal film(74) and the buffer(72) using the etch mask pattern(66) as an etch mask, the silicon substrate(50) is penetrated by etching using the metal film(74) and the buffer(72) as another etch mask. Due to the metal films(64,74), plasma ion flux is smoothly circulated, so that a good profile is completed.

Abstract translation: 目的：提供一种通过蚀刻基板的方法，以有效地执行基板的冷却处理，并且通过使用金属材料来改善穿透孔周围的轮廓。 构成：在具有孔的硅衬底（50）的表面上形成由二氧化硅制成的缓冲器（62）。 然后，在缓冲器（62）上形成由铝制成的金属膜（64）。 在硅衬底（50）的后表面上沉积另一缓冲器（72）和另一金属膜（74）之后，在金属膜（74）上形成蚀刻掩模图案（66）。 在使用蚀刻掩模图案（66）蚀刻金属膜（74）和缓冲器（72）作为蚀刻掩模之后，通过使用金属膜（74）和缓冲器（72）的蚀刻来穿透硅衬底（50） 作为另一种蚀刻掩模。 由于金属膜（64,74），等离子体离子通量平稳地循环，从而完成了良好的轮廓。