公开(公告)号：KR1020070056828A

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020050115946

申请日：2005-11-30

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이유진 ,  김성현 ,  신진국 ,  임굉수

IPC: H01L29/786

Abstract: A silicon TFT and its manufacturing method are provided to improve the mobility of carrier and to reduce the leakage current by using a triple silicon thin film structure composed of a first amorphous silicon thin film, a micro crystalline silicon thin film and a second amorphous silicon thin film. A gate(110) is formed on a transparent substrate(100). A gate insulating layer(120) is formed on the resultant structure to cover the gate. A triple silicon thin film structure is formed on the gate insulating layer. The triple silicon thin film is composed of a first amorphous silicon thin film(130a), a micro crystalline silicon thin film(140) and a second amorphous silicon thin film(130b).

Abstract translation: 提供硅TFT及其制造方法以通过使用由第一非晶硅薄膜，微晶硅薄膜和第二非晶硅薄膜构成的三硅薄膜结构来提高载流子的迁移率和减小漏电流 电影。 在透明基板（100）上形成栅极（110）。 在所得结构上形成栅极绝缘层（120）以覆盖栅极。 在栅绝缘层上形成三硅薄膜结构。 三硅薄膜由第一非晶硅薄膜（130a），微晶硅薄膜（140）和第二非晶硅薄膜（130b）构成。

公开(公告)号：KR100696870B1

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：KR1020040049786

申请日：2004-06-29

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 서문석 ,  신진국 ,  이철승 ,  김성현 ,  최영진 ,  이경일

IPC: G01Q60/38 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L29/772

Abstract: 본 발명은 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 금속점을 증착시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐 침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
양자점, 원자간력, 현미경, 캔틸레버

公开(公告)号：KR100659044B1

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：KR1020040052097

申请日：2004-07-05

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이유진 ,  신진국 ,  명승엽 ,  임굉수

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 산화아연에 수소화 처리를 하여 박막 태양전지의 특성을 향상할 수 있는 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 산화아연 박막을 가지는 태양전지는 투명기판; 상기 투명기판 상에 위치하고 수소화된 산화아연 박막으로 구성된 제 1 투명 전도막; 상기 제 1 투명 전도막 상에 위치하고 비정질 실리콘으로 구성된 상부 셀; 상기 상부 셀 상에 위치하고 수소화된 산화아연 박막으로 구성된 제 2 투명 전도막; 상기 제 2 투명 전도막 상에 위치하고 금속막으로 구성된 배면 반사판 및 상기 제 2 투명 전도막과 배면 반사판 사이에 위치하고 마이크로 결정질 실리콘으로 구성된 하부 셀로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법은 종래의 실리콘 박막 태양전지의 전극 또는 반사막으로 사용되는 산화주석 박막 대신에 산화아연 박막을 증착하여 산화아연 박막의 특성을 향상시키고 열화 문제를 해결할 수 있는 장점이 있고, 실리콘 박막 태양전지의 효율 향상과 태양전지에서 발생하는 전력 손실을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
산화아연, 박막, 수소, 태양전지

公开(公告)号：KR100653198B1

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：KR1020040039653

申请日：2004-06-01

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 서문석 ,  신진국 ,  이철승 ,  김성현 ,  최영진 ,  이경일 ,  조진우

IPC: G01Q60/38 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 락인 증폭기를 사용하지 않으면서도 수십 GHz 이상에서 작동되는 반도체 소자의 고주파 특성을 볼 수 있는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 캔틸레버 지지대, 상기 캔틸레버 지지대상에 위치하며 일측이 부상된 캔틸레버 아암, 상기 캔틸레버 아암 선단에 위치한 팁, 상기 팁 내에 형성된 채널 및 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 이루어진 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 있어서, 상기 팁은 콘 모양 또는 피라미드 모양임을 특징으로 하는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 의해 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 팁을 제외한 주변의 절연막을 제거하므로써 고주파 소자의 검사가 가능한 효과가 있다.
고주파, 소자, 원자간력, 현미경, 캔틸레버

公开(公告)号：KR100558376B1

公开(公告)日：2006-03-10

申请号：KR1020030057694

申请日：2003-08-20

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 서문석 ,  신진국 ,  최영진 ,  이경일

IPC: G01N13/16

Abstract: 본 발명은 원자력 현미경용 MOSFET 캔틸레버에 관한 것으로, 제 1 실리콘층, 산화막과 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층된 지지부와; 상기 지지부의 산화막과 제 2 실리콘층이 지지부로부터 연장되어 하부로부터 부상된 캔틸레버부와; 상기 캔틸레버부 선단의 제 2 실리콘층에 형성된 탐침과; 상기 지지부와 캔틸레버부의 하부 전면에 형성된 금속층과; 상기 탐침 하부의 캔틸레버부에 형성된 채널과; 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 구성된다.
따라서, 본 발명은 원자력 현미경용 캔틸레버에 MOSFET를 내장시켜 정보의 읽기 및 쓰기 동작을 용이하게 구현할 수 있는 효과가 있다.
캔틸레버, 원자력, 현미경, 트랜지스터, 채널, MOS

公开(公告)号：KR100555048B1

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020030057693

申请日：2003-08-20

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 서문석 ,  신진국 ,  최영진 ,  이경일

IPC: G01N13/16

Abstract: 본 발명은 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법에 관한 것으로, SOI(Silicon on Insulator) 기판의 실리콘층 상부에 탐침을 형성하는 단계와; 상기 탐침을 포함하여 실리콘층의 상부에 1차 절연막, 2차 절연막과 폴리실리콘층이 적층된 마스크 패턴을 형성하는 단계와; 상기 마스크 패턴으로 마스킹하여 상기 제 2 실리콘층에 제 1 불순물을 주입하는 단계와; 상기 2차 절연막의 측면 일부를 습식식각하고, 상기 폴리실리콘층을 제거하고, 상기 1차 절연막의 측면 일부를 습식식각하고, 상기 2차 절연막을 제거하여 상기 제 2 실리콘층 상부에 폭이 줄어든 1차 절연막을 남기는 단계와; 상기 1차 절연막으로 마스킹하여 제 2 불순물을 주입하는 단계와; 상기 탐침, 제 1과 2 불순물이 주입된 영역들을 포함하는 형상을 갖는 제 2 실리콘층의 패턴을 형성하고, 그 형상의 하부를 제거하여 부상시켜 캔틸레버를 형성하는 단계로 구성된다.
따라서, 본 발명은 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널 효과(Short channel)의 발생을 방지할 수 있으며, 테라 비트급 탐침형 정보 저장기기에 적용할 수 있다.
극소채널, 캔틸레버, 원자력, 현미경, 트랜지스터, 쇼트 채널

公开(公告)号：KR1020060003277A

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：KR1020040052097

申请日：2004-07-05

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이유진 ,  신진국 ,  명승엽 ,  임굉수

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 산화아연에 수소화 처리를 하여 박막 태양전지의 특성을 향상할 수 있는 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 산화아연 박막을 가지는 태양전지는 투명기판; 상기 투명기판 상에 위치하고 수소화된 산화아연 박막으로 구성된 제 1 투명 전도막; 상기 제 1 투명 전도막 상에 위치하고 비정질 실리콘으로 구성된 상부 셀; 상기 상부 셀 상에 위치하고 수소화된 산화아연 박막으로 구성된 제 2 투명 전도막; 상기 제 2 투명 전도막 상에 위치하고 금속막으로 구성된 배면 반사판 및 상기 제 2 투명 전도막과 배면 반사판 사이에 위치하고 마이크로 결정질 실리콘으로 구성된 하부 셀로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법은 종래의 실리콘 박막 태양전지의 전극 또는 반사막으로 사용되는 산화주석 박막 대신에 산화아연 박막을 증착하여 산화아연 박막의 특성을 향상시키고 열화 문제를 해결할 수 있는 장점이 있고, 실리콘 박막 태양전지의 효율 향상과 태양전지에서 발생하는 전력 손실을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
산화아연, 박막, 수소, 태양전지

公开(公告)号：KR1020060000809A

公开(公告)日：2006-01-06

申请号：KR1020040049780

申请日：2004-06-29

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 서문석 ,  신진국 ,  이철승 ,  김성현 ,  최영진 ,  이경일

IPC: G01Q60/38 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L29/772

CPC classification number: G01Q60/38 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L29/772

Abstract: 본 발명은 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 바이오 분자를 분석할 수 있고, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널(Short channel) 효과의 발생을 방지할 수 있으며, 탐침의 종횡비를 크게 하여, 정보의 센싱도를 향상시키는 원자간력 현미경용 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 동일한 두께의 포지티브 포토레지스트를 도포하여 탐침의 첨두부만 보이도록 하거나 포지티브 포토레지스트를 두껍게 도포한 후에 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포지티브 포토레지스트 상부에 네거티브 포토레지스트를 도포한 후에 마스크를 패터닝하여 탐침의 첨두부의 상기 네거티브 포토레지스트를 제거하는 단계; (e) 상기 네거티브 포토레지스트가 제거된 탐침의 첨두부에만 금속점을 증착하는 단계; 및 (e) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 바이오 분자들 간의 상호작용에 따른 전기적 효과를 측정함으로써 단일 분자를 탐침에 부착하는 장점이 있고, 수신 감도가 증대되는 효과가 있다.
AFM, 캔틸레버, 전하량 측정, 종횡비, 현미경, 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020050020050A

公开(公告)日：2005-03-04

申请号：KR1020030057693

申请日：2003-08-20

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 서문석 ,  신진국 ,  최영진 ,  이경일

IPC: G01N13/16

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a cantilever for an atomic force microscope having a field effect transistor structure is provided to obtain the cantilever having a micro channel without using an electric beam lithography process. CONSTITUTION: A method includes a step of forming a probe(204) on an upper surface of a second silicon layer of an SOI substrate, on which a first silicon layer, a first insulation layer, and the second silicon layer are sequentially deposited. A second insulation layer, a third insulation layer, a polysilicon layer, and a photoresist layer are sequentially stacked on the second silicon layer including the probe(204). A first mask pattern of a cantilever for an atomic force microscope is formed on an upper surface of the polysilicon layer by removing the photoresist layer through a photolithography process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有场效应晶体管结构的原子力显微镜的悬臂的方法，以在不使用电子光刻工艺的情况下获得具有微通道的悬臂。 构成：一种方法包括在SOI衬底的第二硅层的上表面上形成探针（204）的步骤，其上依次沉积有第一硅层，第一绝缘层和第二硅层。 第二绝缘层，第三绝缘层，多晶硅层和光致抗蚀剂层依次堆叠在包括探针（204）的第二硅层上。 通过光刻工艺去除光致抗蚀剂层，在多晶硅层的上表面上形成用于原子力显微镜的悬臂的第一掩模图案。

公开(公告)号：KR102107386B1

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：KR1020180103550

申请日：2018-08-31

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 박재현 ,  신진국

IPC: B29C64/209 ,  B29C64/245 ,  B29C64/393 ,  B33Y50/02 ,  B33Y30/00