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公开(公告)号：KR1020100076613A
公开(公告)日：2010-07-06
申请号：KR1020080134722
申请日：2008-12-26
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: PURPOSE: A field emission device and a manufacturing method thereof are provided to strongly adhere a carbon nano tube to a substrate by forming a cathode after patterning with water-based ink including a metal nano particle. CONSTITUTION: A water-based ink is prepared. A pattern is printed on a substrate with the water-based ink(1). An air gap is formed by heat-processing and solidifying the printed pattern. A carbon nanotube composition is printed on the pattern in which the air gap is formed(2). A cathode electrode and a carbon nano tube is formed by executing post-annealing after printing the carbon nanotube composition on a pattern which is generated by printing the water based ink on the substrate and solidifying it. A substrate where a post-annealing is executed is activated(3).
Abstract translation: 目的：提供场致发射器件及其制造方法，通过在包含金属纳米颗粒的水性墨水图案化之后，通过形成阴极，将碳纳米管牢固地附着在基板上。 构成：准备了水性油墨。 使用水性油墨（1）将图案印刷在基材上。 通过热处理和固化印刷图案形成气隙。 将碳纳米管组合物印刷在形成气隙的图案上（2）。 通过在将碳水化合物印刷在基材上并使其凝固而产生的图案上印刷碳纳米管组合物之后，进行后退火来形成阴极电极和碳纳米管。 执行后退火的基板被激活（3）。
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公开(公告)号：KR1020100012573A
公开(公告)日：2010-02-08
申请号：KR1020080074046
申请日：2008-07-29
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: PURPOSE: A field emission device using carbon nanotube and a method of manufacturing the device are provided to increase number of effective carbon nanotube contributing to the field emission without a process of vertical alignment by spreading carbon nanotube ink on conductive wire and forming carbon nanotube cluster from edge of the conductive wire to a traverse direction. CONSTITUTION: A field emission device using carbon nanotube comprises: a conductive wire(210) formed on substrate in which an insulation film is formed; a carbon nanotube cluster(220) spreading carbon nanotube ink on the conductive wire and projected from the edge of the conductive wire to the traverse direction.
Abstract translation: 目的：提供一种使用碳纳米管的场致发射器件及其制造方法，以增加有效的碳纳米管的数量，而不需要通过在导线上铺展碳纳米管油墨并形成碳纳米管簇而形成碳纳米管簇 导线的边缘到横向方向。 构成：使用碳纳米管的场致发射器件包括：形成在其中形成有绝缘膜的衬底上的导线（210）; 碳纳米管簇（220），其在所述导线上扩散碳纳米管油墨并且从所述导线的边缘向所述横向方向突出。
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公开(公告)号：KR100928730B1
公开(公告)日：2009-11-27
申请号：KR1020070083492
申请日：2007-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: C03C17/30
Abstract: 본 발명은 폴리실라잔을 기판에 코팅한 후 경화반응에 의해 실리카 유리막을 형성하는 방법을 이용하는 것으로서, 특히 경화반응을 진행함에 있어서 상온에서 실행하되, 고온 경화의 효과를 얻을 수 있는 유리막 형성 방법에 관한 것으로 폴리실라잔의 경화 방법에 상압 플라즈마 경화 또는 가압 가습 경화 또는 스팀 경화를 적용한다.
실리카 코팅, 폴리실라잔, 경화, 플라즈마Abstract translation: 使用聚硅氮烷钝化表面的二氧化硅玻璃膜形成方法被设置为当在室温下固化时不会因杂质而变形并且形成具有高密度的玻璃膜。 用于钝化表面的玻璃膜形成方法包括以下步骤：将聚硅氮烷涂覆在基板上; 并通过使用大气压等离子体工艺来固化聚硅氮烷。 固化步骤的处理时间为10-20分钟。 固化步骤的加工温度为50〜120℃。 大气压等离子体处理的处理气体是氩气和氧气。
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公开(公告)号：KR100696870B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020040049786
申请日：2004-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 금속점을 증착시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐 침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
양자점, 원자간력, 현미경, 캔틸레버-
公开(公告)号：KR100653198B1
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：KR1020040039653
申请日：2004-06-01
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 락인 증폭기를 사용하지 않으면서도 수십 GHz 이상에서 작동되는 반도체 소자의 고주파 특성을 볼 수 있는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 캔틸레버 지지대, 상기 캔틸레버 지지대상에 위치하며 일측이 부상된 캔틸레버 아암, 상기 캔틸레버 아암 선단에 위치한 팁, 상기 팁 내에 형성된 채널 및 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 이루어진 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 있어서, 상기 팁은 콘 모양 또는 피라미드 모양임을 특징으로 하는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 의해 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 팁을 제외한 주변의 절연막을 제거하므로써 고주파 소자의 검사가 가능한 효과가 있다.
고주파, 소자, 원자간력, 현미경, 캔틸레버-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060000809A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040049780
申请日：2004-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
CPC classification number: G01Q60/38 , H01L21/0273 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 바이오 분자를 분석할 수 있고, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널(Short channel) 효과의 발생을 방지할 수 있으며, 탐침의 종횡비를 크게 하여, 정보의 센싱도를 향상시키는 원자간력 현미경용 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 동일한 두께의 포지티브 포토레지스트를 도포하여 탐침의 첨두부만 보이도록 하거나 포지티브 포토레지스트를 두껍게 도포한 후에 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포지티브 포토레지스트 상부에 네거티브 포토레지스트를 도포한 후에 마스크를 패터닝하여 탐침의 첨두부의 상기 네거티브 포토레지스트를 제거하는 단계; (e) 상기 네거티브 포토레지스트가 제거된 탐침의 첨두부에만 금속점을 증착하는 단계; 및 (e) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 바이오 분자들 간의 상호작용에 따른 전기적 효과를 측정함으로써 단일 분자를 탐침에 부착하는 장점이 있고, 수신 감도가 증대되는 효과가 있다.
AFM, 캔틸레버, 전하량 측정, 종횡비, 현미경, 트랜지스터-
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公开(公告)号：KR101892359B1
公开(公告)日：2018-08-27
申请号：KR1020160146400
申请日：2016-11-04
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 전기전도성및 신뢰성이우수한천공된구형금속산화물입자및 그의제조방법이개시된다. 본발명에따른천공된구형금속산화물입자는내부에적어도하나의공동을포함하는구형금속산화물입자로서, 공동은선형으로서, 구형금속산화물입자의일표면에서타표면을가로지르며형성되고, 공동에의해구형금속산화물입자의양표면에는개구가형성된구형금속산화물입자이다.
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公开(公告)号：KR1020170110763A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160034748
申请日：2016-03-23
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본발명은하이브리드탄소소재및 그의제조방법에관한것으로, 간단한전처리방법을통해서이차원탄소소재의표면에탄소나노튜브를균일하면서더 많이흡착시키기위한것이다. 본발명은이차원탄소소재를금속알콕사이드로표면처리하여상기이차원탄소소재의표면에금속산화물또는금속수화물을코팅하는단계, 및상기금속산화물또는금속수화물을이용하여상기이차원탄소소재의표면에탄소나노튜브를흡착시키는단계를포함하는하이브리드탄소소재의제조방법과, 그제조방법으로제조된하이브리드탄소소재를제공한다.
Abstract translation: 用于通过本发明的吸附和混合碳材料的表面上更均匀的碳纳米管和二维碳材料本发明涉及一种制造方法，一个简单的前处理方法的方法。 本发明的d相至与金属醇盐涂覆的金属氧化物和金属水合物的二维碳材料的表面的碳材料的表面处理的表面上，并且通过使用金属氧化物的二维碳材料和金属水合物碳纳米 并吸附该管，以及通过该方法制造的混合碳材料。
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公开(公告)号：KR1020170108416A
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020160032268
申请日：2016-03-17
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 고분자수지내에서의젖음성이향상되고, 분산성, 열전도특성및 전기전도특성이우수한삼차원탄소나노구조체및 그의제조방법이개시된다. 본발명에따른삼차원탄소나노구조체는이차원탄소소재상에일차원탄소소재가위치하여형성된삼차원탄소소재를포함하되, 삼차원탄소소재는표면에자기조립단분자층이형성되어있다.
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